●［特集］半導体　(1)東レリサーチセンターの半導体分野への取り組み［特集］半導体（1）東レリサーチセンターの半導体分野への取り組み技術開発企画部　杉山　直之半導体分野の進化と共に進められてきたとも言える。 2014年度の半導体デバイスセミナーでは、 ① 新規導入装置紹介（FIB、TOF-SIMS）、 ② 新規分析手法（過渡熱測定）、 ③ 技術開発の深化（分光、SPM）半導体デバイスの市場規模は、グローバルな観点からという3つの手法的な切り口と、微細デバイス（プロは、スマートフォン、タブレットにけん引されて、成長セッサ／メモリ）とパワーデバイスという2つの対象物を続けている。一方で、日本国内に限れば、半導体分野からの切り口で弊社の技術開発への取り組みを紹介させからの撤退が相次いでおり、現在はほぼ半導体メモリとて頂いた。その中でもトピックスとしては、「過渡熱測パワーデバイス（新材料含む）の2分野に集約されてき定による実デバイスの熱特性評価」を挙げたい。その理た感がある。ただし、この2分野における研究開発・生由として、熱特性の測定は、弊社のデバイスセミナーで産活動は非常に活発に行われており、分析評価に対するは初めて取り上げた手法であるという点が挙げられる。ニーズも非常に旺盛である。パワーデバイスの分野では、デバイスが実装されたパッ東レリサーチセンターでは、半導体デバイス分野を、ケージ／モジュールの放熱特性を評価する必要性が高「機能デバイス」、「材料・環境」、「医薬・バイオ」分野まっており、弊社が高分子材料の評価で培ってきた熱特と並ぶコア事業の一つとしてとらえ、日々お客様のニー性の評価技術をデバイス分野に応用した一例であり、新ズ・シーズにお応えさせて頂くための技術開発に取り組規メニューとして、是非一度お試し頂きたい。み、さらに積極的な設備投資を行ってきた。この他にも電気特性評価の手段として水銀プローブ、こうした半導体デバイスの解析に対する技術開発の進材料中の微細空孔などを評価する手法として陽電子消滅捗の発表の場として、毎年5月に「半導体デバイス分析法などを新たに導入し、半導体デバイス／材料の評価メセミナー」を開催してきた。今年度でちょうど区切りとニューの充実に努めている。また、来年度には、微細デなる10回目を数え、延べ1,000名超のお客様にご来場頂バイスの評価能力の増強を目的として、球面収差補正装いたことになる。この場を借りて、ご来場頂いたお客様置を備えた分析電子顕微鏡の増設も予定している。今後に感謝の意を表したい。今回の特集号では、2014年度のも継続的に設備投資、技術開発を推進し、高（難）度化デバイス分析セミナーで発表した内容をベースに各種分するお客様のニーズ・シーズにお応えすることによっ析技術の展開について、紹介させて頂く。て、日本の半導体産業を支援させて頂きたいと考えていさて、弊社の過去のセミナーで紹介させて頂いた弊社る。社員の発表内容を振り返ってみると、対象が半導体デバイスということもあり、やはりTEM、SIMSに関する発表例が多い。中でもTEMについては、先端デバイス／パワーデバイスに拘わらず、ほぼ毎年技術の進捗を紹介さ ■杉山　直之（すぎやま　なおゆき）技術開発企画部　先端分析推進室　室長趣味：少年野球のコーチ／観戦せて頂いている。これは、TEMが現在最も進歩の著しい手法であるということを反映した結果であり、また半導体デバイス分野におけるTEM評価の比重が大きくなっていることを示すものでもある。一方、SIMS、IR ／ラマン／ PL ／ CLに代表される分光法、およびSPM（SCM/SSRM）ついては、半導体デバイスの評価には欠かせない手法である反面、原理的な問題から、装置自体の大きなブレークスルーはないものの、前処理方法の進歩などによって、適用範囲の拡大が年々図られている。その技術開発に対する進捗を定期的に報告させて頂いているが、これらの分野は弊社独自の技術が多く盛り込まれており、お客さまからの関心も非常に高い。また、対象となるデバイス・材料分野については、微細デバイスに限らず、発光デバイス、ワイドギャップ半導体、新材料（カーボン）、新構造（MEMS ／ TSV）など幅広い分野について、取り扱ってきたことも特徴である。以上のことから、弊社の先端分析技術の技術開発が・11 東レリサーチセンター The TRC News No.121（Oct.2015）