学籍番号名半導体学 1. npn型トランジスタに関して、次の問に答え

半導体⼯学
学籍番号
⽒名
8回⽬
1. npn型トランジスタに関して、次の問に答えなさい
① 熱平衡状態におけるバンドダイアグラムを書きなさい。エミッタとコレクタの違いを分かりや
すく記載しなさい
② npnトランジスタでは、エミッタとコレクタはn型であり同じであるが、何が異なっている
か？何がどのように異なっているかを説明しなさい。
③ ②のようにトランジスタが設計されている理由を説明しなさい。
④ npnトランジスタが動作するようにバイアスをかけた時のバンド図を記載しなさい。
半導体⼯学
学籍番号
8回⽬
⽒名
2．トランジスタに関する下記の問に答えなさい。
(1) 図2-1のバイポーラトランジスタは、通称何型と呼ばれるか。
(2) ベースエミッタ間およびコレクタエミッタ間につなぐ○部分に直流バイアスを描きなさい。
(3) バイアスを加える前と加えたときの、それぞれのバンドダイヤグラムの概略を描きなさい。ただし、
エミッタとコレクタの違いに関して明記すること
(4) 図2-2において、ベース電流-0.5[mA]、コレクタ-エミッタ間電圧-3[V]のときのエミッタ接地直流
電流増幅率hFEを求めなさい。
(5) 図2-1のトランジスタにおいて、エミッタ電流のうち正孔電流の割合をエミッタ注⼊効率γ、エミッタ
正孔電流とコレクタ電流の割合をベース輸送効率αTと呼ぶ。hFEをγとαTを⽤いて表しなさい。
(6) トランジスタのhFEを⼤きくするには、どのような点に気をつけてトランジスタを作製すれば良いか。
B
C
E
図2-1
図2-2

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