ナノスケールデバイスの量子伝導特性に対する大規模シミュレーション電極（ドレイン）電極（ソース）有機分子架橋系の電流密度目的省エネルギー社会や安全安心な耐災害性社会，低希少元素化社会に貢献するナノスケールデバイスの可能性が議論されており，その実現に資する材料の特性の理解や材料探索のため，大規模シミュレーションを用いた量子伝導特性の解析を実施特徴両端に電極を持つ開放系の電子状態や伝導特性（コンダクタンス，電流電圧曲線等）を求めることができる手法       コンダクタンス電流-電圧曲線入射電子の空間分布電流密度電子状態（状態密度等）電流誘起力他電流-電圧曲線入射電子の空間分布入射電子強束縛近似または擬原子軌道・擬原子ポテンシャルを用いた密度汎関数理論＋非平衡グリーン関数法計算できる量適用例カーボンナノチューブと銅の複合材料銅に比べて約100倍という極めて高い電流容量を持つカーボンナノチューブ銅複合材料の伝導特性の解析単体CNT表面への銅原子の吸着数（黒）とコンダクタンス（赤）有機分子架橋系におけるスピントロニクス スピンバルブ → Tunnel magnetic resistance (RTM) スピンフィルター → Spin injection factor () Ni電極に架橋した非磁性分子の伝導 P AP or 電流誘起力の分布 P: Parallel magnetization AP: Anti-Parallel magnetization ●参考文献： Spintoronic transport of a non-magnetic molecule between magnetic electrodes Applied Physics Letters 103 (2013) 233115. Authors: H. Kondo and T. Ohno ※利用シミュレーションコード：EHMDおよびExTB （当財団において開発） ※利用シミュレーションコード：ASCOT 文部科学省次世代IT基盤構築のための研究開発「イノベーション基盤シミュレーションソフトウェアの研究開発」において開発・公開 http://www.ciss.iis.u-tokyo.ac.jp/index.html