様々な培養基材表面で均一な細胞凝集塊を 大量に

様々な培養基材表面で均一な細胞凝集塊を
大量に形成させるためのマスクシート
東京大学 先端科学技術研究センター
教授 生田 幸士
講師 池内 真志
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胚様体の大量生産が必要
幹細胞
幹細胞の培養
胚様体形成
分化誘導
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従来の胚様体培養手法
ハンギングドロップ
細胞非接着性培養基材
細胞懸濁液をディッシュの
天井に吊した状態
細胞同士の凝集により,自発的
に胚様体が形成
○ 細胞サイズの制御が可能
○ 大量生産が可能
☓ 煩雑な操作が伴う
☓ 胚様体サイズが不均一
大量・均質生産は困難
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目的
胚様体培養の初期条件
1.播種数
2.播種密度
を、胚様体1個オーダーで
コントロールする
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本技術のマスクシート(複数条件用)
5mm
特徴
1.テーパ—形状を有する多数の貫通孔
2.表面:細胞超低接着性
3.柔軟・自己接着性
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本技術を用いた培養プロトコル例
マスクシート
細胞培養皿など
ポイント
・任意の基材面に置くだけ
– 接着剤不要
①基材に貼付
貫通孔
・これ以降は、従来通りの
プロトコルが適用可能
幹細胞
②細胞播種
③胚様体形成
胚様体
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本技術のメリット①
従来手法
①基材の選択不可
本手法
①基材の選択自由
低接着シャーレ・温度応答性シャーレetc.
ポリスチレン,ガラスetc.
ゲル(コラーゲン等)
②細胞が残留
・効率低下
・再現性低下
インサート
②残留なし
高再現性・高効率
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本技術のメリット②
培養皿
x [mm]
y [mm]
マスクシート
細胞
(懸濁液濃度 C [mm-3])
t [mm]
① 1ウェルあたりの細胞数 = C t x2
C:細胞濃度(/mm3), t:溶液深さ(mm),x:上部開口径(mm)
② ウェル内の細胞密度 = C t x2/ y2
y:下部開口径(mm)
1回の播種操作で、複数条件下で胚様体培養
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応用① 胚様体形成の至適条件検討
6h
[mm]160.0
140.0
クラスタ直径
120.0
24h
100.0
80.0
下部開口φ280
下部開口 φ280um
φ280 um
下部開口φ240
下部開口 φ240um
φ240 um
下部開口φ180
下部開口 φ180um
φ180 um
下部開口φ140
下部開口 φ140um
φ140 um
60.0
40.0
20.0
0.0
0.0E+00
1.0E+05
2.0E+05
3.0E+05
4.0E+05
5.0E+05
6.0E+05
上部開口面積
7.0E+05
[mm2]
168h
1.胚様体サイズ。
2.至適な播種密度域が存在する。
200mm
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応用②大量生産用マスクシート
同一サイズ・形状の貫通孔を大量に配置.400個/cm2
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iPS細胞の胚様体形成
Yukawa H. et al.,
Biomaterials 2011
従来手法
(HD)
Day0
Day1
Day2
Day3
Day4
Day0
Day1
Day2
Day3
Day4
本手法
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胚様体大量生産の実証
Yukawa H. et al.,
Biomaterials 2011
胚様体形状の均一性
回収個数
長短径の差(μm)
1cm2あたりの回収個数
本技術
従来手法(HD)の10倍の生産効率
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想定される用途
・スクリーニングモデルとしてのがん細胞凝集
塊の大量作製
・幹細胞の均一な胚様体形成による分化誘導の
効率化
・電極基板との組み合せによる脳モデル,心筋
モデルの培養・解析
・生体に安全な基材であるので、例えば皮膚等
に微粒子をパターニングすることもできる。
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実用化に向けた課題
•現在、手作業で作製しているため、大量生
産に適した製造手法を開発しなければなら
ない。
・表面を保護するため、現状、ウェットな状
態での保管が必要である。実用化に向けて、
乾燥状態で保存できる処理手法を開発中。
・一部培養基材には接着が弱いため、接着面
の素材を検討中。
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企業への期待
•培養用の基材を取り扱っている企業は、本
技術と既存の基材を組み合わせることで、
3次元培養製品が容易に開発できると思わ
れる。
•乾燥状態で親水性を維持できる表面処理や、
新水表面への接着技術を持つ企業との共同
開発を期待。
•大量の細胞塊を必要とする用途にも有用。
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本技術に関する知的財産権
•発明の名称
:任意の分布形状と分布密度を
有する分子または粒子の集団を同時に多種大量
生成する方法とその方法に使用するマスク材
•登録番号 :特許第5231909号
•出願人
:科学技術振興機構
•発明者
:生田幸士、池内真志
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お問い合わせ先
【ライセンスについて】
科学技術振興機構
知的財産戦略センター 桑島 健
TEL 03-5214 - 8486
e-mail
[email protected]
【技術内容について】
東京大学
先端科学技術研究センター 池内真志
TEL 03-5452 - 5162
e-mail
[email protected]
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