ブース番 号 5 分 野 新素材・ものづくり・情報通信 所属・氏名 大学院自然科学研究科（工学系） ・ 鶴田 健二 問 合 せ 先 Tel 086-251-8142 E-mail [email protected] テ ー マ ナノ材料・デバイスのマルチスケール計算科学設計 基礎研究 研 究 ステップ 共 同 研 究 希 望 先 企 業 1 ○ ２ ３ ４ ５ 応用研究 素材メーカー，デバイス設計企業 【研究の概要と特徴】 私たちは，原子レベルからメゾスコピックまでの複数スケールの材料・デバイスの振舞いを，連続 的・同時並列的に解く材料・デバイスシミュレーション技術を開発しています(図１(a)）。 これまでに， 機械的な高強度化や新しい電子デバイス作成につながる，セラミックスの元素偏析現象（図１(b)）や， THz レベルの高周波弾性波デバイス（図１(c)）などの解析・設計を行っています。 【産業界へのアピールポイント】 市販のシミュレータではできない複数スケールの同時並列計算により，ナノスケールの材料特性計 算，ポリマー集合体などのメゾスケールの機械特性解析，マクロ・メゾスコピックなデバイス特性設計 までモデリング可能です。 【想定される用途】 ・ 新規材料の探索 ・ ナノデバイス設計 【特許等知的財産】 なし． (a) (b) (c) QM領域 Si原子 144 nm 応力分布図 73 nm Tsuruta et al. Mater. Trans. (2009) 鶴 田健 二，高 田和明， 日本セラミックス協会会報 「セラミックス」第４７巻第７号，pp.489-493 (2012). 電子密度分布 図１： (a) ハイブリッド QM/MD 法の模式図，(b)添加元素がアルミナ転位に偏析した材料のシミュレ ーション例，（c） THz 弾性波導波路の波動伝搬シミュレーション例
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