訂正表(PDF)

章
2
2
頁
399
400
場所
式(39)の下
式(45)
誤
 ∂E 
E ( k ) = E ( k0 ) +   ( k − k0 )
 ∂k  k =k0
1 ∂2E 
+  2  (k − k 0 ) 2
2  ∂k  k =k
0
1  ∂2E 
+  2  ( k − k0 ) 2
2  ∂k  k =k
0
∞
式(46)
h 2 k0
h2
( k − k 0 ) + * (k − k 0 )
*
m
m
[
E 

exp ik0 x − i t 
h 
π

−∞
2
式(49)
= E (k 0 ) +
Ψ ( x, t ) =
∞
*
*
最後の項の分母:m →2m
h 2 k0
h2
(k − k0 ) +
(k − k 0 )
*
m
2m*
(45)
Aσ x
[
E 

exp ik0 x − i t 
h 
π

× ∫ exp − σ x (k − k0 ) 2
× ∫ exp − σ x (k − k 0 ) 2
Ψ ( x, t ) =
401
(45)
Aσ x
2
+ i ( x − vt )(k − k 0 ) − i
2
σ k を式(39)に対応する(|a (k )| の空間的広
がりを表す)標準偏差とすると,
 ∂E 
E ( k ) = E ( k0 ) +   ( k − k 0 )
 ∂k  k =k0
Ψ ( x, t ) =
401
備考
2
σ k を式(39)の標準偏差とすると,
= E ( k0 ) +
2
正
−∞

h
( k − k0 ) 2 t  dk
*
m

2
(46)
A2
+ i ( x − vt )(k − k0 ) − i
2
Ψ ( x, t ) =
1/ 2
2 2


1 + h t 
 4m* 2σ 4 
x 



( x − vt ) 2
× exp −

2
2
2 2
*2
 2σ x + h t /( 2m σ x ) 
2
(49)
2
最後の項の係数
h

( k − k0 ) 2 t  dk
*
2m

( 46)
A2
1/ 2
2 2


1 + h t 
 4m* 2σ 4 
x 



( x − vt ) 2
× exp  −

2
2
2
2 2
*
 2σ x + h t /( 2m σ x ) 
2
[] →[]
(49)
σk
σ kz
電荷
ρ = (a1 1 + a2 2 )(a1* 1 + a2* 2 )
2
2
2
402
403
404
図11
右上5
右上13
⊿k
∆k z
電化
ρ = (a1 1 + a2 2 )(a1* 1 + a2* 2 )
4
652
式(21)
=| a1 |2 + | a2 |2 + a1a2* 1 2 + a1*a2 2 1
(21)
=| a1 |2 1 1 + | a2 |2 2 2 + a1a2* 1 2 + a1*a2 2 1
(21)
4
655
右上7
5
776
式(42)
5
785
右
dω /dν (=2π )で割る
1
w0 =
kg
8.まとめ
(42)
dω /dν (=2π )を掛ける
1
2
w0 =
kg
9.まとめ
(42)
8.→9.
章
7
頁
1070
場所
左
誤
閉じ込め係数
光閉じ込め係数
7
1075
右
閉じ込め係数
光閉じ込め係数
7
1076
閉じ込め係数
光閉じ込め係数
12
196
左
u m (r )
u m (r )
u : 太字, 本文および式(12)
12
196
右
両辺にum (r )をかけて
u : 太字, 上バーなし。(2か所)
12
196
右
Em (r )
両辺にum (r )をかけて
E m (r )
12
196
右
分極P によって電界 Emが
分極Pによって電界 E mが
P , E : 太字, 上バーなし
12
197
左上3
µ jk
µ jk
12
197
左, 右
µ , µ , µ 21 , µ12
µ,
12
198
右上5
微視的分極 µ
微視的分極 µ
12
198
右上10
µ
12
198
右上13
µ は µ の統計的な
12
198
式(41), (45)
(N& ) , (N)
N& , N
( )なし
12
199
式(55)~(58)
e
e
e : 太字, 上バーなし
i
正
µ
備考
3か所
E : 太字, 上バーなし
µ : 太字
µ , µ21 , µ12
i
µ は µ の統計的な
µ : 太字, 上バーなし
本文, 図3, 式(31),(32),(35),(35再掲)
µ : 太字, 上バーなし
µ : 太字, 上バーなし
µ : 太字
左図矢印
R→k
<µ>
<µ> i
12
200
図4
12
201
右
m v* よびF e
m v およびF e
12
205
左上5
20-20kHz
20 Hz-20 kHz
*
章
頁
場所
12
206
図10
12
206
式(114),(115),(117)
12
207
左上6
12
207
12
207
誤
正
備考
L, z
n
nr
一日
一旦
参考文献5)
John Wiley and sons
John Wiley and Sons
参考文献10)
第11章 光は曲がる(その2)
第11章 半導体が光る(その3)
13)
12
208
左上10
・・・ があります 。
・・・ があります。
12
208
右上17
R. カーツワイル
R. カーツワイル
14
466
図16
設置
装置
14
468
左
(2)N2 レーザー
(5)N2 レーザー
14
474
右下2
16
704
左上13
16
704
左下1
16
704
式(27)
16
707
左
)
13)削除
13)
37La
13)挿入
(2)→(5)
57La
活性層の利得g acと光閉じ込め係数ξ を用いる 「電力利得g [cm-1]で表す。」
と,g =ξg acである。
の後に挿入
g acのしきい値利得g th
しきい値利得g th
g th = α a +
1
1
ln
2 L R1 R2
(27)
3. 半導体レーザーの横モード制御
ξg th = α a +
1
1
ln
2 L R1 R2
(27)
3. 半導体レーザーの横モード特性と効率
(1) 半導体レーザーの横モード制御
g th → ξg th
章
頁
場所
16
711
図14
16
718
左
19
1061
19
19
誤
正
備考
J-V 曲線
7. むすび
6. むすび
図21左軸
(V)
(mW)
1061
図21右軸
(mW)
(V)
1064
図26横軸
(a.u.)
(deg)
7.→6.