<IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 コレクタ電流 I C ....................................... 100A コレクタ・エミッタ間電圧 V CES ............... 1 2 0 0 V 最大接合温度 T jmax ............................... 1 7 5 °C ●フラットベース形 ●銅ベース板（メッキレス） ●スズメッキピン端子 ●RoHS 指令対応 ●UL Recognized under UL1557, File E323585 7素子入 用途 インバータ装置，サーボアンプ，電源装置 など 外形及び接続図 単位：mm TERMINAL t=0.8 SECTION A 接続図 Tolerance otherwise specified Division of Dimension GUP(34 ) GVP(26) GWP(1 8) EUP(3 3) EVP(25 ) EWP(17) U(1) N(36) NTC P(35) V(2) W(3) W(4) GUN(30 ) GVP(2 2) GWN(14) GB(6 ) EUN(2 9) EVP(21) EWN(13 ) EB(5) 2013.8作成 1 TH2(11) 3 Tolerance 0.5 to over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 TH1(1 0) ±0.2 over 30 to 120 ±0.8 over 120 to 400 ±1.2 The tolerance of size between terminals is assumed to be ±0.4. <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 絶対最大定格（指定のない場合，T j =25 °C） インバータ部 IGBT/FWD 記号 項目 条件 定格値 単位 V CES コレクタ・エミッタ間電圧 G-E 間短絡 1200 V V GES ゲート・エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 V IC I CRM パルス, 繰返し コレクタ損失 P tot IE （注１） I ERM （注１） （注２, ４） 直流, T C =119 °C コレクタ電流 100 （注３） （注２，４） T C =25 °C 750 （注２） エミッタ電流 A 200 W 100 パルス, 繰返し （注３） A 200 ブレーキ部 IGBT/DIODE 記号 項目 条件 定格値 単位 V CES コレクタ・エミッタ間電圧 G-E 間短絡 1200 V V GES ゲート・エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 V IC I CRM （注２, ４） 直流, T C =125 °C コレクタ電流 パルス, 繰返し 50 （注３） （注２，４） P tot コレクタ損失 T C =25 °C V RRM ピーク繰返し逆電圧 G-E 間短絡 425 W 1200 V （注２） IF 順電流 I FRM A 100 50 パルス, 繰返し （注３） A 100 モジュール 記号 項目 条件 定格値 単位 V isol 絶縁耐電圧 全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間 2500 V T jmax 最大接合温度 瞬時動作（過負荷等） 175 °C T Cmax 最大ケース温度 （注４） 125 °C T jop 動作接合温度 連続動作 -40 ~ +150 T stg 保存温度 - -40 ~ +125 °C 電気的特性（指定のない場合，T j =25 °C） インバータ部 IGBT/FWD 記号 項目 I CES コレクタ・エミッタ間遮断電流 V CE =V CES , G-E 間短絡 I GES ゲート・エミッタ間漏れ電流 V GE =V GES , C-E 間短絡 V GE(th) ゲート・エミッタ間しきい値電圧 I C =10 mA, V CE =10 V コレクタ･エミッタ間飽和電圧 C ies 入力容量 C oes 出力容量 C res 帰還容量 QG ゲート電荷量 t d(on) ターンオン遅延時間 tr 上昇時間 t d(off) ターンオフ遅延時間 tf 下降時間 単位 最小 標準 最大 - - 1.0 mA - - 0.5 μA 5.4 6.0 6.6 V T j =25 °C - 1.80 2.25 V GE =15 V, T j =125 °C - 2.00 - （端子） T j =150 °C - 2.05 - I C =100 A V CEsat 規格値 条件 I C =100 A （注５） （注５） , , T j =25 °C - 1.70 2.10 V GE =15 V, T j =125 °C - 1.90 - （チップ） T j =150 °C - 1.95 - - - 10 - - 2.0 - - 0.17 - 233 - - - 300 V CE =10 V, G-E 間短絡 V CC =600 V, I C =100 A, V GE =15 V V CC =600 V, I C =100 A, V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, 誘導負荷 2013.8作成 2 - - 200 - - 600 - - 300 V V nF nC ns <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 電気的特性（続き：指定のない場合，T j =25 °C） インバータ部 IGBT/FWD 記号 項目 （注５） I E =100 A V EC （注１） エミッタ・コレクタ間電圧 規格値 条件 , 最小 標準 最大 T j =25 °C - 1.80 2.25 G-E 間短絡, T j =125 °C - 1.80 - （端子） T j =150 °C - 1.80 - T j =25 °C - 1.70 2.15 G-E 間短絡, T j =125 °C - 1.70 - （チップ） T j =150 °C - 1.70 - （注５） I E =100 A , 単位 V V t rr （注１） 逆回復時間 V CC =600 V, I E =100 A, V GE =±15 V, - - 300 ns Q rr （注１） 逆回復電荷 R G =6.2 Ω, 誘導負荷 - 5.3 - μC E on ターンオンスイッチング損失 V CC =600 V, I C =I E =100 A, - 8.6 - E off ターンオフスイッチング損失 V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, T j =150 °C, - 10.7 - 誘導負荷, 1 パルスあたり - 10.2 - mJ - - 3.5 mΩ - 0 - Ω （注１） E rr 逆回復損失 R CC'+EE' 内部配線抵抗 rg 内部ゲート抵抗 主端子-チップ間, 1 素子あたり, （注４） T C =25 °C 1 素子あたり mJ ブレーキ部 IGBT/DIODE 記号 項目 I CES コレクタ・エミッタ間遮断電流 V CE =V CES , G-E 間短絡 I GES ゲート・エミッタ間漏れ電流 V GE =V GES , C-E 間短絡 V GE(th) ゲート・エミッタ間しきい値電圧 I C =5 mA, V CE =10 V コレクタ･エミッタ間飽和電圧 C ies 入力容量 C oes 出力容量 C res 帰還容量 QG ゲート電荷量 t d(on) ターンオン遅延時間 tr 上昇時間 t d(off) ターンオフ遅延時間 tf 下降時間 I RRM 逆電流 順電圧 標準 最大 - - 1.0 mA - - 0.5 μA 6.0 6.6 V T j =25 °C - 1.80 2.25 V GE =15 V, T j =125 °C - 2.00 - （端子） T j =150 °C - 2.05 - I C =50 A （注５） , （注５） , T j =25 °C - 1.70 2.15 V GE =15 V, T j =125 °C - 1.90 - （チップ） T j =150 °C - 1.95 - - - 5.0 V CE =10 V, G-E 間短絡 - - 1.0 - - 0.08 V CC =600 V, I C =50 A, V GE =15 V - 117 - - - 300 V CC =600 V, I C =50 A, V GE =±15 V, R G =13 Ω, 誘導負荷 V R =V RRM , G-E 間短絡 - - 200 - - 600 - - 300 - - 1.0 T j =25 °C - 1.80 2.25 G-E 間短絡, T j =125 °C - 1.80 - （端子） T j =150 °C - 1.80 - T j =25 °C - 1.70 2.15 G-E 間短絡, T j =125 °C - 1.70 - （チップ） T j =150 °C I F =50 A VF 単位 最小 5.4 I C =50 A V CEsat 規格値 条件 I F =50 A （注５） （注５） , , V V nF nC ns mA V V - 1.70 - t rr 逆回復時間 V CC =600 V, I F =50 A, V GE =±15 V, - - 300 ns Q rr 逆回復電荷 R G =13 Ω, 誘導負荷 - 2.7 - μC E on ターンオンスイッチング損失 V CC =600 V, I C =I F =50 A, - 5.5 - E off ターンオフスイッチング損失 V GE =±15 V, R G =13 Ω, T j =150 °C, - 5.3 - E rr 逆回復損失 誘導負荷, 1 パルスあたり - 4.5 - mJ rg 内部ゲート抵抗 - - 0 - Ω 2013.8作成 3 mJ <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 電気的特性（続き：指定のない場合，T j =25 °C） NTC サーミスタ部 記号 項目 規格値 条件 （注４） R 25 ゼロ負荷抵抗値 T C =25 °C ∆R/R 抵抗値許容差 R 100 =493 Ω, T C =100 °C B (25/50) B 定数 計算式による値 P 25 電力損失 T C =25 °C （注４） （注６） （注４） 最大 単位 最小 標準 4.85 5.00 5.15 kΩ -7.3 - +7.8 % - 3375 - K - - 10 mW 熱的特性 記号 項目 規格値 条件 最小 標準 最大 R th(j-c)Q 接合・ケース間, インバータ部 IGBT, 1 素子あたり - - 0.20 R th(j-c)D 接合・ケース間, インバータ部 FWD, 1 素子あたり - - 0.29 R th(j-c)Q （注４） 熱抵抗 R th(j-c)D R th(c-s) 接触熱抵抗 接合・ケース間, ブレーキ部 IGBT - - 0.35 接合・ケース間, ブレーキ部 DIODE - - 0.63 - 15 - ケース・ヒートシンク間, 1 モジュールあたり, （注４） 熱伝導性グリース塗布 （注７） 単位 K/W K/W K/kW 機械的特性 記号 項目 規格値 条件 最小 標準 最大 単位 Ms 締付けトルク 主端子 M 5 ネジ 2.5 3.0 3.5 N·m Ms 締付けトルク 取付け M 5 ネジ 2.5 3.0 3.5 N·m 端子間 10.25 - - 端子・ベース板間 12.32 - - 端子間 10.28 - - 端子・ベース板間 10.85 - - - 370 - g ±0 - +100 μm ds 空間距離 da 沿面距離 m 質量 － ec ベース板平面度 X, Y 各中心線上 （注８） 注 1. 2. 3. 4. フリーホイールダイオード（FWD）の定格又は特性を示します。 接合温度は，最大接合温度（T j m a x ）以下です。 パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が，最大接合温度（T j m a x ）を越えない値とします。 ケース温度（T C ）及びヒートシンク温度（T s ）の定義点は，チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。 チップ中心位置は，チップ配置図のとおりです。 5. パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が無視できる値とします。 （試験回路図を参照） R 25 1 1 ) /( ) 6. B ( 25 / 50) ln( R 50 T25 T50 －：凹 ＋：凸 R 25 ：絶対温度 T 25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T 25 [K]=25 [°C]+273.15=298.15 R 50 ：絶対温度 T 50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T 50 [K]=50 [°C]+273.15=323.15 7. 接触熱抵抗の標準値は，熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを使用したときの値です。 8. ベース板（取付面）平面度測定箇所は，下図のとおりです。 Y X 取付面 取付面 －：凹 取付面 ＋：凸 9. プリント基板をスタンドオフにネジ止めする場合は，下記仕様のセルフタッピングネジをご使用ください。 〈呼び径（φ）2.6×10 又は 呼び径（φ）2.6×12 B1 タッピングネジ〉 ※ネジの長さは，プリント基板の厚み（t1.6～t2.0）によります。 2013.8作成 4 mm mm <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 推奨動作条件 記号 項目 規格値 条件 V CC 電源電圧 P-N 端子間 V GEon ゲート（駆動）電圧 GB-EB/G*P-E*P/G*N-E*N 端子間 (*=U, V, W) 外部ゲート抵抗 RG 1 素子あたり 単位 最小 標準 最大 - 600 850 V V 13.5 15.0 16.5 インバータ部 IGBT 6.2 - 62 ブレーキ部 IGBT 13 - 130 チップ配置図 (Top view) Ω 単位：mm, 公差：±1 mm Tr*P/Tr*N/TrBr: IGBT, Di*P/Di*N: FWD (*=U/V/W), DiBr: BRAKE DIODE, Th: NTC サーミスタ 記号は，それぞれのチップの中心を示します。 iE vGE P *: U, V, W ～ ～ 試験回路及び試験波形 90 % 0V 0 iE t E* P + * V CC IE iC ～ ～ -VGE RG t Irr vCE 0V trr 0A 90 % +V GE Q r r =0.5×I r r ×t r r Load G*P 0.5×I r r G*N vGE iC -V GE 10% 0A E* N tr N td ( o n ) tf td ( o ff ) t スイッチング特性試験回路及び試験波形 逆回復特性試験波形 iE iC iC ICM vCE VCC 0.1×ICM 0.1×VCC 0 vEC ICM VCC vCE VCC 0.1×VCC t IEM 0.02×ICM 0 t ti ti IGBT ターンオンスイッチング損失 IGBT ターンオフスイッチング損失 0A t 0V t ti FWD 逆回復損失 ターンオン / ターンオフスイッチング損失及び逆回復損失試験波形（積分時間説明図） 2013.8作成 5 <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 試験回路 35 35 VGE=15V VGE=15V IC 34 V 35 33 VGE=15V IC 26 V 25 2 Shortcircuited 3 Shortcircuited 30 29 Shortcircuited 22 36 21 P 14 36 13 P Shortcircuited GUP V GWP V EVP U B VGE=15V IC GVN N V W VGE=15V IC GUN V EWP V VGE=15V P Shortcircuited GVP EUP 36 P Shortcircuited EUN 17 V 1 IC 18 EVN VGE=15V N EWN G-E 間短絡 GVP-EVP, GVN-EVP, GWP-EWN, GWN-EWN, GB-EB G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GWP-EWP, GWN-EWN, GB-EB UP / UN IGBT VP / VN IGBT IC GWN IC GB N EB N G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GVP-EVP, GVN-EVN, GWP-EWP, GWN-EWN G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GVP-EVP, GVN-EVN, GB-EB WP / WN IGBT Brake IGBT V C E s a t 試験回路 35 35 Shortcircuited IE Shortcircuited 34 V Shortcircuited IE V 18 25 2 30 21 P 13 P Shortcircuited V V GUN Shortcircuited W Shortcircuited IE GVN N EVN V EWP V IE EUN GWP EVP U Shortcircuited 36 Shortcircuited GVP EUP 5 36 P Shortcircuited GUP 6 14 36 V Shortcircuited Shortcircuited 22 36 4 3 Shortcircuited 29 17 V 1 Shortcircuited IF IE 26 33 35 35 IE GWN N EWN G-E 間短絡 GVP-EVP, GVN-EVP, GWP-EWN, GWN-EWN, GB-EB G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GWP-EWP, GWN-EWN, GB-EB UP / UN FWD VP / VN FWD N G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GVP-EVP, GVN-EVN, GB-EB WP / WN FWD V EC / V F 試験回路 2013.8作成 6 G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GVP-EVP, GVN-EVN, GWP-EWP, GWN-EWN Brake DIODE <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 特性図 インバータ部 コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性 （代表例） 出力特性 （代表例） （チップ） T j =25 °C 3.5 V GE =20 V 13.5 V (V) 12 V 15 V コレクタ・エミッタ間飽和電圧 (A) V CEsat 150 コレクタ電流 IC 11 V 100 10 V 50 9V 0 3 T j =150 °C 2.5 T j =125 °C 2 T j =25 °C 1.5 1 0.5 0 0 2 4 6 コレクタ・エミッタ間電圧 8 10 0 50 200 I C (A) G-E間短絡 （チップ） 1000 10 T j =125 °C 8 V CEsat 6 (A) I C =200 A 100 T j =150 °C IE I C =100 A エミッタ電流 (V) 150 フリーホイールダイオード順特性 （代表例） （チップ） T j =25 °C 100 コレクタ電流 V CE (V) コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性 （代表例） コレクタ・エミッタ間飽和電圧 （チップ） V GE =15 V 200 I C =40 A 4 T j =25 °C 10 2 0 6 8 10 12 14 ゲート・エミッタ間電圧 16 V GE 18 1 20 0 0.5 1 1.5 エミッタ・コレクタ間電圧 (V) 2013.8作成 7 2 V EC 2.5 (V) 3 <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 特性図 インバータ部 スイッチング時間特性 （代表例） スイッチング時間特性 （代表例） V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, 誘導負荷 ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C V CC =600 V, I C =100 A, V GE =±15 V, 誘導負荷 ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C 1000 1000 t d(off) tf (ns) 100 スイッチング時間 スイッチング時間 (ns) tf t d(on) 10 tr t d(off) 100 t d(on) tr 1 10 1 10 コレクタ電流 100 IC 1 外部ゲート抵抗 (A) 100 RG (Ω) スイッチング損失特性 （代表例） スイッチング損失特性 （代表例） V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C V CC =600 V, I C /I E =100 A, V GE =±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C 100 100 E on (mJ) (mJ) 10 スイッチング損失, 逆回復損失 スイッチング損失, 逆回復損失 10 E rr E off 1 E on 0.1 E off 10 E rr 1 1 10 コレクタ電流 I C エミッタ電流 I E 100 1 10 外部ゲート抵抗 (A) (A) 2013.8作成 8 100 RG (Ω) <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 特性図 インバータ部 容量特性 （代表例） フリーホイールダイオード逆回復特性 （代表例） G-E間短絡, T j =25 °C V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, 誘導負荷 ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C 100 1000 C ies I rr (ns), I r r (nF) (A) 10 1 100 t rr t rr 容量 C oes 0.1 C res 10 0.01 0.1 1 10 コレクタ・エミッタ間電圧 1 100 V CE エミッタ電流 (V) IE (A) Single pulse, T C =25°C R t h ( j - c ) Q =0.20 K/W, R t h ( j - c ) D =0.29 K/W V CC =600 V, I C =100 A, T j =25 °C 20 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE Z th(j-c) 1 15 V GE (V) 100 最大過渡熱インピーダンス特性 ゲート容量特性 （代表例） ゲート・エミッタ間電圧 10 10 5 0 0 100 ゲート容量 200 QG 300 400 0.1 0.01 0.001 0.00001 0.0001 0.001 時間 (nC) 2013.8作成 9 0.01 (S) 0.1 1 10 <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 特性図 ブレーキ部 クランプダイオード順特性 （代表例） コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性 （代表例） G-E間短絡 （チップ） V GE =15 V （チップ） 100 3 T j =125 °C T j =150 °C T j =150 °C T j =125 °C V F (V) 2.5 2 1.5 10 順電圧 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V CEsat (V) 3.5 T j =25 °C T j =25 °C 1 0.5 0 1 0 20 40 60 コレクタ電流 80 100 0 0.5 1 順電流 I C (A) 1.5 2 2.5 I F (A) スイッチング損失特性 （代表例） スイッチング損失特性 （代表例） V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, 誘導負荷 ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C V CC =600 V, I C =50 A, V GE =±15 V, 誘導負荷 ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C 1000 3 1000 t d(off) tf (ns) 100 スイッチング時間 スイッチング時間 (ns) tf t d(on) 10 tr t d(off) 100 t d(on) tr 10 1 1 10 コレクタ電流 100 10 100 外部ゲート抵抗 I C (A) 2013.8作成 10 1000 R G (Ω) <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 特性図 ブレーキ部 スイッチング損失特性 （代表例） スイッチング損失特性 （代表例） V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C V CC =600 V, I C /I F =50 A, V GE =±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C 10 100 E off 1 E on スイッチング損失, 逆回復損失 (mJ) 逆回復損失 (mJ) スイッチング損失 (mJ) E rr 0.1 E on 10 E off E rr 1 1 10 100 10 コレクタ電流 I C (A) 順電流 I F (A) 外部ゲート抵抗 1000 R G (Ω) クランプダイオード逆回復特性 （代表例） 最大過渡熱インピーダンス特性 V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, 誘導負荷 ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C Single pulse, T C =25 °C R t h ( j - c ) Q =0.35 K/W, R t h ( j - c ) D =0.63 K/W 1000 1 100 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESISTANCE Z th(j-c) t r r (ns), I r r (A) 100 t rr I rr 10 1 10 順電流 100 0.1 0.01 0.001 0.00001 0.0001 0.001 0.01 時間 (S) I F (A) 2013.8作成 11 0.1 1 10 <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 特性図 NTC サーミスタ部 温度特性 （代表例） 100 抵抗値 R (kΩ) 10 1 0.1 -50 -25 0 25 温度 50 75 100 125 T (°C) 2013.8作成 12 <IGBT モジュール> CM100RX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 安全設計に関するお願い 弊 社 は 品 質 ，信 頼 性 の 向 上 に 努 め て お り ま す が ，半 導 体 製 品 は 故 障 が 発 生 し た り ，誤 動 作 す る 場 合 が あ り ま す 。弊 社 の 半 導 体 製 品 の 故 障 又 は 誤 動 作 に よ っ て 結 果 と し て ，人 身 事 故 ，火 災 事 故 、社 会 的 損 害 な ど を 生 じ さ せ な い よ う な 安 全 性 を 考 慮 し た 冗 長 設 計 ，延 焼 対 策 設 計 ，誤 動 作 防 止 設 計 な ど の 安 全 設 計 に 十 分 ご 留 意 ください。 本資料ご利用に際しての留意事項 ・本 資 料 は ，お 客 様 が 用 途 に 応 じ た 適 切 な 三 菱 半 導 体 製 品 を ご 購 入 い た だ く た め の 参 考 資 料 で あ り ，本 資 料 中 に 記 載 の 技 術 情 報 に つ い て 三 菱 電 機 が 所 有 す る 知 的 財 産 権 そ の 他 の 権 利 の 実 施 、使 用 を 許 諾 す る も の で はありません。 ・本 資 料 に 記 載 の 製 品 デ ー タ ，図 ，表 ，プ ロ グ ラ ム ，ア ル ゴ リ ズ ム そ の 他 応 用 回 路 例 の 使 用 に 起 因 す る 損 害 、 第三者所有の権利に対する侵害に関し、三菱電機は責任を負いません。 ・ 本 資 料 に 記 載 の 製 品 デ ー タ ，図 ，表 ，プ ロ グ ラ ム ，ア ル ゴ リ ズ ム そ の 他 全 て の 情 報 は 本 資 料 発 行 時 点 の も の で あ り ，三 菱 電 機 は ，予 告 な し に ，本 資 料 に 記 載 し た 製 品 又 は 仕 様 を 変 更 す る こ と が あ り ま す 。三 菱 半 導 体 製 品 の ご 購 入 に 当 た り ま し て は ，事 前 に 三 菱 電 機 ま た は 特 約 店 へ 最 新 の 情 報 を ご 確 認 頂 き ま す と と も に 、三 菱 電 機 半 導 体 情 報 ホ ー ム ペ ー ジ（ www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/）な ど を 通 じ て 公 開 される情報に常にご注意ください。 ・本 資 料 に 記 載 し た 情 報 は 、正 確 を 期 す た め 、慎 重 に 制 作 し た も の で す が 、万 一 本 資 料 の 記 述 誤 り に 起 因 す る損害がお客様に生じた場合には、三菱電機はその責任を負いません。 ・本 資 料 に 記 載 の 製 品 デ ー タ 、図 、表 に 示 す 技 術 的 な 内 容 、プ ロ グ ラ ム 及 び ア ル ゴ リ ズ ム を 流 用 す る 場 合 は 、 技 術 内 容 、プ ロ グ ラ ム 、ア ル ゴ リ ズ ム 単 位 で 評 価 す る だ け で な く 、シ ス テ ム 全 体 で 十 分 に 評 価 し 、お 客 様 の責任において適用可否を判断してください。三菱電機は、適用可否に対する責任は負いません。 ・本 資 料 に 記 載 さ れ た 製 品 は 、人 命 に か か わ る よ う な 状 況 の 下 で 使 用 さ れ る 機 器 あ る い は シ ス テ ム に 用 い ら れ る こ と を 目 的 と し て 設 計 、製 造 さ れ た も の で は あ り ま せ ん 。本 資 料 に 記 載 の 製 品 を 運 輸 、移 動 体 用 、医 療 用 、航 空 宇 宙 用 、原 子 力 制 御 用 、海 底 中 継 用 機 器 あ る い は シ ス テ ム な ど 、特 殊 用 途 へ の ご 利 用 を ご 検 討 の際には、三菱電機または特約店へご照会ください。 ・本資料の転載、複製については、文書による三菱電機の事前の承諾が必要です。 ・本 資 料 に 関 し 詳 細 に つ い て の お 問 い 合 わ せ 、そ の 他 お 気 付 き の 点 が ご ざ い ま し た ら 三 菱 電 機 ま た は 特 約 店 までご照会ください。 © 2013 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. 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