第6世代IGBTモジュール Sシリーズ NXタイプ CM100RX-24S - 三菱電機

<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
コレクタ電流 I C .......................................
100A
コレクタ・エミッタ間電圧 V CES ............... 1 2 0 0 V
最大接合温度 T jmax ............................... 1 7 5 °C
●フラットベース形
●銅ベース板(メッキレス)
●スズメッキピン端子
●RoHS 指令対応
●UL Recognized under UL1557, File E323585
7素子入
用途
インバータ装置,サーボアンプ,電源装置 など
外形及び接続図
単位:mm
TERMINAL
t=0.8
SECTION A
接続図
Tolerance otherwise specified
Division of Dimension
GUP(34 )
GVP(26)
GWP(1 8)
EUP(3 3)
EVP(25 )
EWP(17)
U(1)
N(36)
NTC
P(35)
V(2)
W(3)
W(4)
GUN(30 )
GVP(2 2)
GWN(14)
GB(6 )
EUN(2 9)
EVP(21)
EWN(13 )
EB(5)
2013.8作成
1
TH2(11)
3
Tolerance
0.5
to
over
3
to
6
±0.3
over
6
to
30
±0.5
TH1(1 0)
±0.2
over 30
to 120
±0.8
over 120
to 400
±1.2
The tolerance of size between
terminals is assumed to be ±0.4.
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
絶対最大定格(指定のない場合,T j =25 °C)
インバータ部 IGBT/FWD
記号
項目
条件
定格値
単位
V CES
コレクタ・エミッタ間電圧
G-E 間短絡
1200
V
V GES
ゲート・エミッタ間電圧
C-E 間短絡
± 20
V
IC
I CRM
パルス, 繰返し
コレクタ損失
P tot
IE
(注1)
I ERM
(注1)
(注2, 4)
直流, T C =119 °C
コレクタ電流
100
(注3)
(注2,4)
T C =25 °C
750
(注2)
エミッタ電流
A
200
W
100
パルス, 繰返し
(注3)
A
200
ブレーキ部 IGBT/DIODE
記号
項目
条件
定格値
単位
V CES
コレクタ・エミッタ間電圧
G-E 間短絡
1200
V
V GES
ゲート・エミッタ間電圧
C-E 間短絡
± 20
V
IC
I CRM
(注2, 4)
直流, T C =125 °C
コレクタ電流
パルス, 繰返し
50
(注3)
(注2,4)
P tot
コレクタ損失
T C =25 °C
V RRM
ピーク繰返し逆電圧
G-E 間短絡
425
W
1200
V
(注2)
IF
順電流
I FRM
A
100
50
パルス, 繰返し
(注3)
A
100
モジュール
記号
項目
条件
定格値
単位
V isol
絶縁耐電圧
全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間
2500
V
T jmax
最大接合温度
瞬時動作(過負荷等)
175
°C
T Cmax
最大ケース温度
(注4)
125
°C
T jop
動作接合温度
連続動作
-40 ~ +150
T stg
保存温度
-
-40 ~ +125
°C
電気的特性(指定のない場合,T j =25 °C)
インバータ部 IGBT/FWD
記号
項目
I CES
コレクタ・エミッタ間遮断電流
V CE =V CES , G-E 間短絡
I GES
ゲート・エミッタ間漏れ電流
V GE =V GES , C-E 間短絡
V GE(th)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
I C =10 mA, V CE =10 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
C ies
入力容量
C oes
出力容量
C res
帰還容量
QG
ゲート電荷量
t d(on)
ターンオン遅延時間
tr
上昇時間
t d(off)
ターンオフ遅延時間
tf
下降時間
単位
最小
標準
最大
-
-
1.0
mA
-
-
0.5
μA
5.4
6.0
6.6
V
T j =25 °C
-
1.80
2.25
V GE =15 V,
T j =125 °C
-
2.00
-
(端子)
T j =150 °C
-
2.05
-
I C =100 A
V CEsat
規格値
条件
I C =100 A
(注5)
(注5)
,
,
T j =25 °C
-
1.70
2.10
V GE =15 V,
T j =125 °C
-
1.90
-
(チップ)
T j =150 °C
-
1.95
-
-
-
10
-
-
2.0
-
-
0.17
-
233
-
-
-
300
V CE =10 V, G-E 間短絡
V CC =600 V, I C =100 A, V GE =15 V
V CC =600 V, I C =100 A, V GE =±15 V,
R G =6.2 Ω, 誘導負荷
2013.8作成
2
-
-
200
-
-
600
-
-
300
V
V
nF
nC
ns
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
電気的特性(続き:指定のない場合,T j =25 °C)
インバータ部 IGBT/FWD
記号
項目
(注5)
I E =100 A
V EC
(注1)
エミッタ・コレクタ間電圧
規格値
条件
,
最小
標準
最大
T j =25 °C
-
1.80
2.25
G-E 間短絡,
T j =125 °C
-
1.80
-
(端子)
T j =150 °C
-
1.80
-
T j =25 °C
-
1.70
2.15
G-E 間短絡,
T j =125 °C
-
1.70
-
(チップ)
T j =150 °C
-
1.70
-
(注5)
I E =100 A
,
単位
V
V
t rr
(注1)
逆回復時間
V CC =600 V, I E =100 A, V GE =±15 V,
-
-
300
ns
Q rr
(注1)
逆回復電荷
R G =6.2 Ω, 誘導負荷
-
5.3
-
μC
E on
ターンオンスイッチング損失
V CC =600 V, I C =I E =100 A,
-
8.6
-
E off
ターンオフスイッチング損失
V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, T j =150 °C,
-
10.7
-
誘導負荷, 1 パルスあたり
-
10.2
-
mJ
-
-
3.5
mΩ
-
0
-
Ω
(注1)
E rr
逆回復損失
R CC'+EE'
内部配線抵抗
rg
内部ゲート抵抗
主端子-チップ間, 1 素子あたり,
(注4)
T C =25 °C
1 素子あたり
mJ
ブレーキ部 IGBT/DIODE
記号
項目
I CES
コレクタ・エミッタ間遮断電流
V CE =V CES , G-E 間短絡
I GES
ゲート・エミッタ間漏れ電流
V GE =V GES , C-E 間短絡
V GE(th)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
I C =5 mA, V CE =10 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
C ies
入力容量
C oes
出力容量
C res
帰還容量
QG
ゲート電荷量
t d(on)
ターンオン遅延時間
tr
上昇時間
t d(off)
ターンオフ遅延時間
tf
下降時間
I RRM
逆電流
順電圧
標準
最大
-
-
1.0
mA
-
-
0.5
μA
6.0
6.6
V
T j =25 °C
-
1.80
2.25
V GE =15 V,
T j =125 °C
-
2.00
-
(端子)
T j =150 °C
-
2.05
-
I C =50 A
(注5)
,
(注5)
,
T j =25 °C
-
1.70
2.15
V GE =15 V,
T j =125 °C
-
1.90
-
(チップ)
T j =150 °C
-
1.95
-
-
-
5.0
V CE =10 V, G-E 間短絡
-
-
1.0
-
-
0.08
V CC =600 V, I C =50 A, V GE =15 V
-
117
-
-
-
300
V CC =600 V, I C =50 A, V GE =±15 V,
R G =13 Ω, 誘導負荷
V R =V RRM , G-E 間短絡
-
-
200
-
-
600
-
-
300
-
-
1.0
T j =25 °C
-
1.80
2.25
G-E 間短絡,
T j =125 °C
-
1.80
-
(端子)
T j =150 °C
-
1.80
-
T j =25 °C
-
1.70
2.15
G-E 間短絡,
T j =125 °C
-
1.70
-
(チップ)
T j =150 °C
I F =50 A
VF
単位
最小
5.4
I C =50 A
V CEsat
規格値
条件
I F =50 A
(注5)
(注5)
,
,
V
V
nF
nC
ns
mA
V
V
-
1.70
-
t rr
逆回復時間
V CC =600 V, I F =50 A, V GE =±15 V,
-
-
300
ns
Q rr
逆回復電荷
R G =13 Ω, 誘導負荷
-
2.7
-
μC
E on
ターンオンスイッチング損失
V CC =600 V, I C =I F =50 A,
-
5.5
-
E off
ターンオフスイッチング損失
V GE =±15 V, R G =13 Ω, T j =150 °C,
-
5.3
-
E rr
逆回復損失
誘導負荷, 1 パルスあたり
-
4.5
-
mJ
rg
内部ゲート抵抗
-
-
0
-
Ω
2013.8作成
3
mJ
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
電気的特性(続き:指定のない場合,T j =25 °C)
NTC サーミスタ部
記号
項目
規格値
条件
(注4)
R 25
ゼロ負荷抵抗値
T C =25 °C
∆R/R
抵抗値許容差
R 100 =493 Ω, T C =100 °C
B (25/50)
B 定数
計算式による値
P 25
電力損失
T C =25 °C
(注4)
(注6)
(注4)
最大
単位
最小
標準
4.85
5.00
5.15
kΩ
-7.3
-
+7.8
%
-
3375
-
K
-
-
10
mW
熱的特性
記号
項目
規格値
条件
最小
標準
最大
R th(j-c)Q
接合・ケース間, インバータ部 IGBT, 1 素子あたり
-
-
0.20
R th(j-c)D
接合・ケース間, インバータ部 FWD, 1 素子あたり
-
-
0.29
R th(j-c)Q
(注4)
熱抵抗
R th(j-c)D
R th(c-s)
接触熱抵抗
接合・ケース間, ブレーキ部 IGBT
-
-
0.35
接合・ケース間, ブレーキ部 DIODE
-
-
0.63
-
15
-
ケース・ヒートシンク間, 1 モジュールあたり,
(注4)
熱伝導性グリース塗布
(注7)
単位
K/W
K/W
K/kW
機械的特性
記号
項目
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
Ms
締付けトルク
主端子
M 5 ネジ
2.5
3.0
3.5
N·m
Ms
締付けトルク
取付け
M 5 ネジ
2.5
3.0
3.5
N·m
端子間
10.25
-
-
端子・ベース板間
12.32
-
-
端子間
10.28
-
-
端子・ベース板間
10.85
-
-
-
370
-
g
±0
-
+100
μm
ds
空間距離
da
沿面距離
m
質量
-
ec
ベース板平面度
X, Y 各中心線上
(注8)
注 1.
2.
3.
4.
フリーホイールダイオード(FWD)の定格又は特性を示します。
接合温度は,最大接合温度(T j m a x )以下です。
パルス幅及び繰返し率は,素子の温度上昇が,最大接合温度(T j m a x )を越えない値とします。
ケース温度(T C )及びヒートシンク温度(T s )の定義点は,チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。
チップ中心位置は,チップ配置図のとおりです。
5. パルス幅及び繰返し率は,素子の温度上昇が無視できる値とします。
(試験回路図を参照)
R 25
1
1

) /(
)
6. B ( 25 / 50)  ln(
R 50 T25 T50
-:凹
+:凸
R 25 :絶対温度 T 25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値;T 25 [K]=25 [°C]+273.15=298.15
R 50 :絶対温度 T 50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値;T 50 [K]=50 [°C]+273.15=323.15
7. 接触熱抵抗の標準値は,熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを使用したときの値です。
8. ベース板(取付面)平面度測定箇所は,下図のとおりです。
Y
X
取付面
取付面
-:凹
取付面
+:凸
9. プリント基板をスタンドオフにネジ止めする場合は,下記仕様のセルフタッピングネジをご使用ください。
〈呼び径(φ)2.6×10 又は 呼び径(φ)2.6×12 B1 タッピングネジ〉
※ネジの長さは,プリント基板の厚み(t1.6~t2.0)によります。
2013.8作成
4
mm
mm
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
推奨動作条件
記号
項目
規格値
条件
V CC
電源電圧
P-N 端子間
V GEon
ゲート(駆動)電圧
GB-EB/G*P-E*P/G*N-E*N 端子間 (*=U, V, W)
外部ゲート抵抗
RG
1 素子あたり
単位
最小
標準
最大
-
600
850
V
V
13.5
15.0
16.5
インバータ部 IGBT
6.2
-
62
ブレーキ部 IGBT
13
-
130
チップ配置図 (Top view)
Ω
単位:mm, 公差:±1 mm
Tr*P/Tr*N/TrBr: IGBT, Di*P/Di*N: FWD (*=U/V/W), DiBr: BRAKE DIODE, Th: NTC サーミスタ
記号は,それぞれのチップの中心を示します。
iE
vGE
P
*: U, V, W
~
~
試験回路及び試験波形
90 %
0V
0
iE
t
E* P
+
*
V CC
IE
iC
~
~
-VGE
RG
t
Irr
vCE
0V
trr
0A
90 %
+V GE
Q r r =0.5×I r r ×t r r
Load
G*P
0.5×I r r
G*N
vGE
iC
-V GE
10%
0A
E* N
tr
N
td ( o n )
tf
td ( o ff )
t
スイッチング特性試験回路及び試験波形
逆回復特性試験波形
iE
iC
iC
ICM
vCE
VCC
0.1×ICM
0.1×VCC
0
vEC
ICM
VCC
vCE
VCC
0.1×VCC
t
IEM
0.02×ICM
0
t
ti
ti
IGBT ターンオンスイッチング損失
IGBT ターンオフスイッチング損失
0A
t
0V
t
ti
FWD 逆回復損失
ターンオン / ターンオフスイッチング損失及び逆回復損失試験波形(積分時間説明図)
2013.8作成
5
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
試験回路
35
35
VGE=15V
VGE=15V
IC
34
V
35
33
VGE=15V
IC
26
V
25
2
Shortcircuited
3
Shortcircuited
30
29
Shortcircuited
22
36
21
P
14
36
13
P
Shortcircuited
GUP
V
GWP
V
EVP
U
B
VGE=15V
IC
GVN
N
V
W
VGE=15V
IC
GUN
V
EWP
V
VGE=15V
P
Shortcircuited
GVP
EUP
36
P
Shortcircuited
EUN
17
V
1
IC
18
EVN
VGE=15V
N
EWN
G-E 間短絡 GVP-EVP, GVN-EVP,
GWP-EWN, GWN-EWN,
GB-EB
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN,
GWP-EWP, GWN-EWN,
GB-EB
UP / UN IGBT
VP / VN IGBT
IC
GWN
IC
GB
N
EB
N
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN,
GVP-EVP, GVN-EVN,
GWP-EWP, GWN-EWN
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN,
GVP-EVP, GVN-EVN,
GB-EB
WP / WN IGBT
Brake IGBT
V C E s a t 試験回路
35
35
Shortcircuited
IE
Shortcircuited
34
V
Shortcircuited
IE
V
18
25
2
30
21
P
13
P
Shortcircuited
V
V
GUN
Shortcircuited
W
Shortcircuited
IE
GVN
N
EVN
V
EWP
V
IE
EUN
GWP
EVP
U
Shortcircuited
36
Shortcircuited
GVP
EUP
5
36
P
Shortcircuited
GUP
6
14
36
V
Shortcircuited
Shortcircuited
22
36
4
3
Shortcircuited
29
17
V
1
Shortcircuited
IF
IE
26
33
35
35
IE
GWN
N
EWN
G-E 間短絡 GVP-EVP, GVN-EVP,
GWP-EWN, GWN-EWN,
GB-EB
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN,
GWP-EWP, GWN-EWN,
GB-EB
UP / UN FWD
VP / VN FWD
N
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN,
GVP-EVP, GVN-EVN,
GB-EB
WP / WN FWD
V EC / V F 試験回路
2013.8作成
6
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN,
GVP-EVP, GVN-EVN,
GWP-EWP, GWN-EWN
Brake DIODE
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
インバータ部
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
(代表例)
出力特性
(代表例)
(チップ)
T j =25 °C
3.5
V GE =20 V
13.5 V
(V)
12 V
15 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
(A)
V CEsat
150
コレクタ電流
IC
11 V
100
10 V
50
9V
0
3
T j =150 °C
2.5
T j =125 °C
2
T j =25 °C
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
コレクタ・エミッタ間電圧
8
10
0
50
200
I C (A)
G-E間短絡
(チップ)
1000
10
T j =125 °C
8
V CEsat
6
(A)
I C =200 A
100
T j =150 °C
IE
I C =100 A
エミッタ電流
(V)
150
フリーホイールダイオード順特性
(代表例)
(チップ)
T j =25 °C
100
コレクタ電流
V CE (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
(代表例)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
(チップ)
V GE =15 V
200
I C =40 A
4
T j =25 °C
10
2
0
6
8
10
12
14
ゲート・エミッタ間電圧
16
V GE
18
1
20
0
0.5
1
1.5
エミッタ・コレクタ間電圧
(V)
2013.8作成
7
2
V EC
2.5
(V)
3
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
インバータ部
スイッチング時間特性
(代表例)
スイッチング時間特性
(代表例)
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
V CC =600 V, I C =100 A, V GE =±15 V, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
1000
1000
t d(off)
tf
(ns)
100
スイッチング時間
スイッチング時間
(ns)
tf
t d(on)
10
tr
t d(off)
100
t d(on)
tr
1
10
1
10
コレクタ電流
100
IC
1
外部ゲート抵抗
(A)
100
RG
(Ω)
スイッチング損失特性
(代表例)
スイッチング損失特性
(代表例)
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, 誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
V CC =600 V, I C /I E =100 A, V GE =±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
100
100
E on
(mJ)
(mJ)
10
スイッチング損失, 逆回復損失
スイッチング損失, 逆回復損失
10
E rr
E off
1
E on
0.1
E off
10
E rr
1
1
10
コレクタ電流 I C
エミッタ電流 I E
100
1
10
外部ゲート抵抗
(A)
(A)
2013.8作成
8
100
RG
(Ω)
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
インバータ部
容量特性
(代表例)
フリーホイールダイオード逆回復特性
(代表例)
G-E間短絡, T j =25 °C
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
100
1000
C ies
I rr
(ns), I r r
(nF)
(A)
10
1
100
t rr
t rr
容量
C oes
0.1
C res
10
0.01
0.1
1
10
コレクタ・エミッタ間電圧
1
100
V CE
エミッタ電流
(V)
IE
(A)
Single pulse, T C =25°C
R t h ( j - c ) Q =0.20 K/W, R t h ( j - c ) D =0.29 K/W
V CC =600 V, I C =100 A, T j =25 °C
20
NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
Z th(j-c)
1
15
V GE
(V)
100
最大過渡熱インピーダンス特性
ゲート容量特性
(代表例)
ゲート・エミッタ間電圧
10
10
5
0
0
100
ゲート容量
200
QG
300
400
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
時間
(nC)
2013.8作成
9
0.01
(S)
0.1
1
10
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
ブレーキ部
クランプダイオード順特性
(代表例)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
(代表例)
G-E間短絡
(チップ)
V GE =15 V
(チップ)
100
3
T j =125 °C
T j =150 °C
T j =150 °C
T j =125 °C
V F (V)
2.5
2
1.5
10
順電圧
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
V CEsat
(V)
3.5
T j =25 °C
T j =25 °C
1
0.5
0
1
0
20
40
60
コレクタ電流
80
100
0
0.5
1
順電流
I C (A)
1.5
2
2.5
I F (A)
スイッチング損失特性
(代表例)
スイッチング損失特性
(代表例)
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
V CC =600 V, I C =50 A, V GE =±15 V, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
1000
3
1000
t d(off)
tf
(ns)
100
スイッチング時間
スイッチング時間
(ns)
tf
t d(on)
10
tr
t d(off)
100
t d(on)
tr
10
1
1
10
コレクタ電流
100
10
100
外部ゲート抵抗
I C (A)
2013.8作成
10
1000
R G (Ω)
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
ブレーキ部
スイッチング損失特性
(代表例)
スイッチング損失特性
(代表例)
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, 誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
V CC =600 V, I C /I F =50 A, V GE =±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
10
100
E off
1
E on
スイッチング損失, 逆回復損失 (mJ)
逆回復損失 (mJ)
スイッチング損失 (mJ)
E rr
0.1
E on
10
E off
E rr
1
1
10
100
10
コレクタ電流 I C (A)
順電流 I F (A)
外部ゲート抵抗
1000
R G (Ω)
クランプダイオード逆回復特性
(代表例)
最大過渡熱インピーダンス特性
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
Single pulse, T C =25 °C
R t h ( j - c ) Q =0.35 K/W, R t h ( j - c ) D =0.63 K/W
1000
1
100
NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
Z th(j-c)
t r r (ns), I r r (A)
100
t rr
I rr
10
1
10
順電流
100
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
時間 (S)
I F (A)
2013.8作成
11
0.1
1
10
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
NTC サーミスタ部
温度特性
(代表例)
100
抵抗値
R (kΩ)
10
1
0.1
-50
-25
0
25
温度
50
75
100
125
T (°C)
2013.8作成
12
<IGBT モジュール>
CM100RX-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
安全設計に関するお願い
弊 社 は 品 質 ,信 頼 性 の 向 上 に 努 め て お り ま す が ,半 導 体 製 品 は 故 障 が 発 生 し た り ,誤 動 作 す る 場 合 が あ り
ま す 。弊 社 の 半 導 体 製 品 の 故 障 又 は 誤 動 作 に よ っ て 結 果 と し て ,人 身 事 故 ,火 災 事 故 、社 会 的 損 害 な ど を 生
じ さ せ な い よ う な 安 全 性 を 考 慮 し た 冗 長 設 計 ,延 焼 対 策 設 計 ,誤 動 作 防 止 設 計 な ど の 安 全 設 計 に 十 分 ご 留 意
ください。
本資料ご利用に際しての留意事項
・本 資 料 は ,お 客 様 が 用 途 に 応 じ た 適 切 な 三 菱 半 導 体 製 品 を ご 購 入 い た だ く た め の 参 考 資 料 で あ り ,本 資 料
中 に 記 載 の 技 術 情 報 に つ い て 三 菱 電 機 が 所 有 す る 知 的 財 産 権 そ の 他 の 権 利 の 実 施 、使 用 を 許 諾 す る も の で
はありません。
・本 資 料 に 記 載 の 製 品 デ ー タ ,図 ,表 ,プ ロ グ ラ ム ,ア ル ゴ リ ズ ム そ の 他 応 用 回 路 例 の 使 用 に 起 因 す る 損 害 、
第三者所有の権利に対する侵害に関し、三菱電機は責任を負いません。
・ 本 資 料 に 記 載 の 製 品 デ ー タ ,図 ,表 ,プ ロ グ ラ ム ,ア ル ゴ リ ズ ム そ の 他 全 て の 情 報 は 本 資 料 発 行 時 点 の も
の で あ り ,三 菱 電 機 は ,予 告 な し に ,本 資 料 に 記 載 し た 製 品 又 は 仕 様 を 変 更 す る こ と が あ り ま す 。三 菱 半
導 体 製 品 の ご 購 入 に 当 た り ま し て は ,事 前 に 三 菱 電 機 ま た は 特 約 店 へ 最 新 の 情 報 を ご 確 認 頂 き ま す と と も
に 、三 菱 電 機 半 導 体 情 報 ホ ー ム ペ ー ジ( www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/)な ど を 通 じ て 公 開
される情報に常にご注意ください。
・本 資 料 に 記 載 し た 情 報 は 、正 確 を 期 す た め 、慎 重 に 制 作 し た も の で す が 、万 一 本 資 料 の 記 述 誤 り に 起 因 す
る損害がお客様に生じた場合には、三菱電機はその責任を負いません。
・本 資 料 に 記 載 の 製 品 デ ー タ 、図 、表 に 示 す 技 術 的 な 内 容 、プ ロ グ ラ ム 及 び ア ル ゴ リ ズ ム を 流 用 す る 場 合 は 、
技 術 内 容 、プ ロ グ ラ ム 、ア ル ゴ リ ズ ム 単 位 で 評 価 す る だ け で な く 、シ ス テ ム 全 体 で 十 分 に 評 価 し 、お 客 様
の責任において適用可否を判断してください。三菱電機は、適用可否に対する責任は負いません。
・本 資 料 に 記 載 さ れ た 製 品 は 、人 命 に か か わ る よ う な 状 況 の 下 で 使 用 さ れ る 機 器 あ る い は シ ス テ ム に 用 い ら
れ る こ と を 目 的 と し て 設 計 、製 造 さ れ た も の で は あ り ま せ ん 。本 資 料 に 記 載 の 製 品 を 運 輸 、移 動 体 用 、医
療 用 、航 空 宇 宙 用 、原 子 力 制 御 用 、海 底 中 継 用 機 器 あ る い は シ ス テ ム な ど 、特 殊 用 途 へ の ご 利 用 を ご 検 討
の際には、三菱電機または特約店へご照会ください。
・本資料の転載、複製については、文書による三菱電機の事前の承諾が必要です。
・本 資 料 に 関 し 詳 細 に つ い て の お 問 い 合 わ せ 、そ の 他 お 気 付 き の 点 が ご ざ い ま し た ら 三 菱 電 機 ま た は 特 約 店
までご照会ください。
© 2013 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED
2013.8作成
13