高温逆バイアス試験装置パワー半導体の絶縁膜の経時破壊試験として高温、高電圧によるストレス条件下でのリーク電流挙動を測定評価します。 IGBT 、パワー MOSFETを中心としたパワー半導体の G 端子にピンチオフ電圧を印加した状態で、ストレス電圧としてC−E 、D−S 間に数 100 ∼ 3000Vを印加、 Ice・Idsリーク電流値を測定し、定期的にロギングします。ロギングデータは CSV 形式のファイルに保存し経時変化を評価できます。高温逆バイアス試験装置では、劣化加速として高温による加速をおこないます。そのため 350℃の高温下で試験に対応できる独自開発のセラミック材料や、コンタクトピン材料を使用した耐熱ソケット冶具をご用意しています。また、冶具部分にて電圧印加を順方向に変えることも高温逆バイアス試験装置でき逆バイアス試験とバイアス試験の 2 種類の試験が行えます。高温チャンバーにおきましても、評価サンプル数に適したさまざまなテストエリアサイズや温度制御範囲の半導体評価専用チャンバーを用意しています。高温逆バイアス試験では、高電圧、高温度をストレスとするためデバイス保護、作業者の安全にも留意し、さらにユーザーの設備安全仕様にもお応えいたします。この装置は IGBT 、パワー MOSFET 、ダイオードに限らず、その他の素子でも耐電圧評価装置としてもお使いいただけます。内槽システムブロック図ラックチャンバー TEG ボード電流測定回路保護ヒューズ C 直流電源装置 0V∼＋3,000V デバイス PC E PLC G 直流電源装置 −35V∼＋35V 電流測定回路無停電電源 C デバイス E G F11E22L01 （2010 年 11 月現在）