パワーデバイスＩＧＢＴ CONTENTS ■Ignition IGBT ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P. B8 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P. B9 ISO/TS 16949 取得済み www.rohm.co.jp B ＩＧＢＴ ■Field Stop Trench IGBT パワーデバイスＩＧＢＴ ▶Field Stop Trench IGBT Field Stop Trench IGBT ●Field Stop Trench IGBT早見表面実装タイプ端子挿入タイプ VCES IC (V) (A) 〈Tc=25℃〉〈Tc=100℃〉 TO-252 (D-PAK) LPDS (D2-PAK) TO-247N 短絡耐量保証高速スイッチング－ FRD内蔵 RGT8BM65D 4 650Ｖ 1 RGT8NS65D 2 3 8 RGT16NS65D 15 RGT30NS65D 4 20 RGT40NS65D 5 FRD内蔵 RGT40TS65D 6 RGTH40TS65 11 RGTH40TS65D 25 RGT50TS65D 7 RGTH50TS65 12 RGTH50TS65D 17 30 RGT60TS65D 8 RGTH60TS65 13 RGTH60TS65D 18 16 40 RGT80TS65D 9 RGTH80TS65 14 RGTH80TS65D 19 50 RGT00TS65D 10 RGTH00TS65 15 RGTH00TS65D 20 Field Stop Trench IGBT 早見表番号 B 品名 IC(A) IF(Diode)(A) VCES (V) Tc=25℃ Tc=100℃ PD (W) VCE(sat) typ. (V) tsc min. (μsec) Tc=25℃ Tc=100℃ VF(Diode) typ. (V) パッケージ TO-252 ＩＧＢＴ 1 RGT8BM65D 650 8 4 62 1.65 5 7 4 1.45 2 RGT8NS65D 650 8 4 65 1.65 5 7 4 1.45 3 RGT16NS65D 650 16 8 94 1.65 5 16 8 1.4 4 RGT30NS65D 650 30 15 133 1.65 5 26 15 1.5 5 RGT40NS65D 650 40 20 161 1.65 5 35 20 1.45 6 RGT40TS65D 650 40 20 144 1.65 5 35 20 1.45 7 RGT50TS65D 650 48 25 174 1.65 5 35 20 1.45 8 RGT60TS65D 650 55 30 194 1.65 5 40 20 1.35 9 RGT80TS65D 650 70 40 234 1.65 5 40 20 1.35 10 RGT00TS65D 650 85 50 277 1.65 5 50 30 1.45 11 RGTH40TS65 650 40 20 144 1.6 －－－－ 12 RGTH50TS65 650 50 25 174 1.6 －－－－ 13 RGTH60TS65 650 58 30 194 1.6 －－－－ 14 RGTH80TS65 650 70 40 234 1.6 －－－－ 15 RGTH00TS65 650 85 50 277 1.6 －－－－ 16 RGTH40TS65D 650 40 20 144 1.6 － 35 20 1.45 17 RGTH50TS65D 650 50 25 174 1.6 － 35 20 1.45 18 RGTH60TS65D 650 58 30 194 1.6 － 40 20 1.35 19 RGTH80TS65D 650 70 40 234 1.6 － 40 20 1.35 20 RGTH00TS65D 650 85 50 277 1.6 － 50 30 1.45 内部回路図 LPDS ＊ TO-247N ＊＊FRD内蔵 B8 www.rohm.co.jp パワーデバイスＩＧＢＴ ▶Ignition IGBT Ignition IGBT ●Ignition IGBT使用例 Boost coil IGBT ＋ Battery − Spark plug B IC G 5V Generator S Ignition IGBT 品名 ☆RGPZ10BM40 Vces （V） Vge （V） Ic （A） Pd （W） Eas （mJ） Vce（sat) typ. （V） 430±30 ±10 10 107 250 1.6 パッケージ内部回路図 TO-252 ☆RGPR10BM40 ±10 430±30 10 107 250 1.6 B ■形名の構成 R G T H 4 0 ① ② ③ T S ④ ①　IGBTを表す ②　ROHMシリーズ名〈TC＝100℃〉 ③　電流［IC］例　8 → 4A 16 → 8A 30 → 15A 40 → 20A 00 → 50A ④　パッケージ例　BM → TO-252 NS → LPDS TS → TO-247N 6 5 D ⑤ ⑥ ⑤　電圧［VCES］例　65 → 650V ⑥　FRD内蔵有無例　D → FRD内蔵 ■外形寸法図（単位 : mm） TO-252 LPDS TO-247N（3pin）（D2-PAK）〈TO-263〉〔SC-83〕 0.5 2.3 0.75 10.0 (3) 0.8 (1)(2) 0.85 2.9 6.1 (4) 0.5 0.9 2.1±0.2 0.76 5.0±0.2 2.0±0.2 21.0±0.3 2.2 φ3.6±0.1 20.0±0.3 6.6 5.2 4.0±0.2 1.0 6.0±0.2 16.0±0.3 1.2±0.2 3.1±0.2 0.62 0.6±0.15 2.4±0.3 5.45 Each lead has same dimensions Each lead has same dimensions Each lead has same dimensions www.rohm.co.jp B9 ＩＧＢＴ ☆：開発中パワーデバイスＩＧＢＴ MEMO B ＩＧＢＴ B10 www.rohm.co.jp