<IGBTモジュール> CM75TX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 コレクタ電流 IC ....................................... 75A コレクタ・エミッタ間電圧 VCES ............... 1 2 0 0 V 最大接合温度 T jmax ............................... 1 7 5 °C ●フラットベース形 ●銅ベース板（めっきレス） ●スズめっきピン端子 ●RoHS 指令対応 ●UL Recognized under UL1557, File E323585 6素子入 用途 インバータ装置，サーボアンプ，電源装置 など 外形及び接続図 単位：mm TERMINAL t=0.8 SECTION A 接続図 Tolerance otherwise specified P(54~56) P1(28~30) GVP(9) GWP(17) EUP(2) EVP(10) EWP(18) U(48~50) V(42~44) GUN(5) GVP(13) GWN(21) EUN(6) EVP(14) EWN(22) N(59~61) W(36~38) NTC GUP(1) TH2(32) N1(23~25) Caution: Each (three) pin terminal of P/N/P1/N1/U/V/W is connected in the module, but should use all each three pins for the external wiring. 2014.04 作成 TH1(31) 1 Division of Dimension 3 Tolerance 0.5 to ±0.2 over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 over 30 to 120 ±0.8 over 120 to 400 ±1.2 The tolerance of size between terminals is assumed to be ±0.4. <IGBTモジュール> CM75TX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 最大定格（指定のない場合，Tj=25 °C） インバータ部 IGBT/FWD 定格値 単位 VCES 記号 コレクタ・エミッタ間電圧 G-E 間短絡 1200 V VGES ゲート・エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 V IC 項目 直流, TC=122 °C コレクタ電流 ICRM パルス, 繰返し コレクタ損失 Pt ot IE （注１） IERM （注１） 条件 TC=25 °C 直流 エミッタ電流 （注２, ４） 75 （注３） A 150 （注２，４） 600 （注２） W 75 パルス, 繰返し （注３） A 150 モジュール 記号 項目 条件 定格値 単位 Visol 絶縁耐電圧 全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間 2500 V Tj m ax 最大接合温度 瞬時動作（過負荷等） 175 °C TCmax 最大ケース温度 （注４） 125 °C Tjop 動作接合温度 連続動作 -40 ~ +150 Tst g 保存温度 - -40 ~ +125 °C 電気的特性（指定のない場合，T j =25 °C） インバータ部 IGBT/FWD 記号 項目 規格値 条件 単位 最小 標準 最大 - - 1.0 mA ICES コレクタ・エミッタ間遮断電流 VCE=VCES, G-E 間短絡 IGES ゲート・エミッタ間漏れ電流 VGE=VGES, C-E 間短絡 - - 0.5 μA V G E (t h ) ゲート・エミッタ間しきい値電圧 IC=7.5 mA, VCE=10 V 5.4 6.0 6.6 V - 1.80 2.25 IC=75 A, V C E sa t VGE=15 V, (Terminal) コレクタ･エミッタ間飽和電圧 V C E sa t (Chip) Cies 入力容量 Coes 出力容量 Cres 帰還容量 QG ゲート電荷量 td(on) ターンオン遅延時間 tr 上昇時間 td(off) ターンオフ遅延時間 tf 下降時間 VEC T j =125 °C - 2.00 - T j =150 °C - 2.05 - T j =25 °C - 1.70 2.15 VGE=15 V, T j =125 °C - 1.90 - （注６） T j =150 °C - 1.95 - - - 7.5 - - 1.5 - - 0.13 試験回路図参照 （注６） IC=75 A, VCE=10 V, G-E 間短絡 VCC=600 V, IC=75 A, VGE=15 V VCC=600 V, IC=75 A, VGE=±15 V, RG=8.2 Ω, 誘導負荷 IE=75 A, （注１） G-E 間短絡, (Terminal) エミッタ・コレクタ間電圧 VEC T j =25 °C （注１） (Chip) 試験回路図参照 （注６） IE=75 A, - 175 - - - 300 - - 200 - - 600 - - 300 T j =25 °C - 1.80 2.25 T j =125 °C - 1.80 - T j =150 °C - 1.80 - T j =25 °C - 1.70 2.15 G-E 間短絡, T j =125 °C - 1.70 - （注６） T j =150 °C - 1.70 - V V nF nC ns V V trr （注１） 逆回復時間 VCC=600 V, IE=75 A, VGE=±15 V, - - 300 ns Qrr （注１） 逆回復電荷 RG=8.2 Ω, 誘導負荷 - 4.0 - μC Eon ターンオンスイッチング損失 VCC=600 V, IC=IE=75 A, - 7.3 - E of f ターンオフスイッチング損失 VGE=±15 V, RG=8.2 Ω, T j =150 °C, - 8.0 - 逆回復損失 誘導負荷, 1 パルスあたり - 6.9 - mJ - - 2.4 mΩ - 0 - Ω Err （注１） R CC'+EE' 内部配線抵抗 rg 内部ゲート抵抗 2014.04 作成 主端子-チップ間, 1 素子あたり, TC=25 °C （注４） 1 素子あたり 2 mJ <IGBTモジュール> CM75TX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 電気的特性（続き：指定のない場合，T j =25 °C） NTC サーミスタ部 記号 項目 （注４） R25 ゼロ負荷抵抗値 TC=25 °C ΔR/R 抵抗値許容差 R100=493 Ω, TC=100 °C B(25/50) B 定数 計算式による値 電力損失 P25 規格値 条件 TC=25 °C （注４） （注６） （注４） 最大 単位 最小 標準 4.85 5.00 5.15 kΩ -7.3 - +7.8 % - 3375 - K - - 10 mW 熱的特性 記号 項目 接合・ケース間, インバータ部 IGBT, 1 素子あたり （注４） 接合・ケース間, インバータ部 FWD, 1 素子あたり （注４） ケース・ヒートシンク間, 1 モジュールあたり, Rt h(j -c)Q 熱抵抗 Rt h(j -c)D Rt h(c-s) 規格値 条件 接触熱抵抗 熱伝導性グリース塗布 （注４，７） 最小 標準 最大 - - 0.25 - - 0.40 - 15 - 単位 K/W K/kW 機械的特性 記号 項目 取付け 締付けトルク Ms 規格値 条件 M 5 ねじ 最小 標準 最大 2.5 3.0 3.5 端子間 10.28 - - 端子・ベース板間 12.41 - - ds 沿面距離 da 空間距離 m 質量 － ec ベース板平面度 X, Y 各中心線上 9.88 - - 12.41 - - - 300 - g ±0 - +100 μm （注８） －：凹 ＋：凸 R25：絶対温度 T25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T25 [K]=25 [°C]+273.15=298.15 R50：絶対温度 T50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T50 [K]=50 [°C]+273.15=323.15 7. 接触熱抵抗の標準値は，熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを使用したときの値です。 8. ベース板（取付面）平面度測定箇所は，下図のとおりです。 Y X 取付面 －：凹 ＋：凸 9. プリント基板をスタンドオフにねじ止めする場合は，下記仕様のタッピンねじをご使用ください。 〈呼び径（φ）2.6×10 又は 呼び径（φ）2.6×12 B1 タッピンねじ〉 ※ねじの長さは，プリント基板の厚み（t1.6～t2.0）によります。 2014.04 作成 mm 端子・ベース板間 フリーホイールダイオード（FWD）の定格又は特性を示します。 接合温度は，最大接合温度（T j m a x ）以下です。 パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が，最大接合温度（T j m a x ）を越えない値とします。 ケース温度（T C ）及びヒートシンク温度（T s ）の定義点は，チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。 チップ中心位置は，チップ配置図のとおりです。 5. パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が無視できる値とします。 R 1 1 6. B( 25 / 50) = ln( 25 ) /( − ) R 50 T25 T50 取付面 N·m 端子間 注 1. 2. 3. 4. 取付面 単位 3 mm <IGBTモジュール> CM75TX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 推奨動作条件 記号 項目 規格値 条件 最小 標準 Unit 最大 VCC 電源電圧 P-N 端子間 - 600 850 V VGEon ゲート（駆動）電圧 G*P-E*P/G*N-E*N 端子間 (*=U, V, W) 13.5 15.0 16.5 V RG 外部ゲート抵抗 1 素子あたり 8.2 - 82 Ω チップ配置図 (Top view) 単位：mm, 公差：±1 mm Tr*P/Tr*N: IGBT, Di*P/Di*N: FWD (*=U/V/W), Th: NTC サーミスタ。 記号は，それぞれのチップの中心を示します。 iE *: U, V, W P1 ～ ～ 試験回路及び試験波形 vGE P 90 % 0V G*P -VGE iE 0 Load IE E*P iC VCC t 90 % RG 0 G*N vGE 0A Irr vCE 0.5×I r r iC E*N 10% -VGE 0A N1 N tr td(on) tf td(off) t スイッチング特性試験回路及び試験波形 逆回復特性試験波形 iE iC iC ICM vCE VCC 0.1×ICM 0.1×VCC 0 trr ～ ～ + * +VGE Q r r =0.5×I r r ×t r r t vEC ICM VCC vCE VCC 0.1×VCC t IEM 0.02×ICM 0 t ti ti IGBT ターンオンスイッチング損失 IGBT ターンオフスイッチング損失 0A t 0V t ti FWD 逆回復損失 ターンオン / ターンオフスイッチング損失及び逆回復損失試験波形（積分時間説明図） 2014.04 作成 4 <IGBTモジュール> CM75TX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 試験回路 28~30 VGE=15V 54~56 28~30 VGE=15V 1 54~56 28~30 VGE=15V 9 V 42~44 G-E 間 短絡 5 23~25 28~30 59~61 13 23~25 54~56 28~30 G-E 間 短絡 1 2 59~61 23~25 28~30 54~56 G-E 間 短絡 10 V 21 22 9 VGE=15V 5 IC 6 V 36~38 VGE=15V 13 23~25 54~56 18 V IC 14 59~61 59~61 17 42~44 48~50 23~25 36~38 G-E 間 短絡 14 6 VGE=15V 18 V 48~50 G-E 間 短絡 IC 10 2 G-E 間 短絡 17 IC IC V 54~56 21 IC 22 23~25 59~61 G-E 間短絡 GVP-EVP, GVN-EVP, GWP-EWN, GWN-EWN G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GWP-EWP, GWN-EWN UP / UN IGBT VP / VN IGBT 59~61 G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GVP-EVP, GVN-EVN WP / WN IGBT V C E s a t 試験回路 28~30 G-E 間 短絡 54~56 28~30 1 IE G-E 間 短絡 2 9 5 23~25 28~30 18 28~30 G-E 間 短絡 1 2 54~56 28~30 G-E 間 短絡 G-E 間 短絡 59~61 G-E 間 短絡 IE IE 21 22 59~61 23~25 G-E 間短絡 GVP-EVP, GVN-EVP, GWP-EWN, GWN-EWN G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GWP-EWP, GWN-EWN UP / UN FWD VP / VN FWD 59~61 G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GVP-EVP, GVN-EVN WP / WN FWD VEC 試験回路 2014.04 作成 V 36~38 13 23~25 54~56 18 V 14 6 59~61 17 42~44 IE 5 23~25 59~61 10 V 21 22 9 48~50 23~25 36~38 G-E 間 短絡 13 23~25 54~56 IE V 14 59~61 54~56 17 42~44 G-E 間 短絡 6 G-E 間 短絡 IE V 48~50 G-E 間 短絡 G-E 間 短絡 10 V G-E 間 短絡 28~30 54~56 5 <IGBTモジュール> CM75TX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 特性図 インバータ部 出力特性 （代表例） コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性 （代表例） （チップ） T j =25 °C 3.5 VGE=20 V 13.5 V (V) 12 V 15 V コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCEsat コレクタ電流 IC (A) 125 100 11 V 75 10 V 50 9V 25 0 2 4 6 8 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE T j =150 °C 2.5 T j =125 °C 2 T j =25 °C 1.5 1 0.5 0 10 50 100 150 コレクタ電流 IC (A) (V) コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性 フリーホイールダイオード順特性 （代表例） （代表例） （チップ） T j =25 °C （チップ） G-E間短絡 1000 10 8 IE (A) IC=150 A IC=75 A 6 エミッタ電流 (V) 3 0 0 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCEsat （チップ） VGE=15 V 150 IC=30 A 4 100 T j =150 °C T j =125 °C 2 T j =25 °C 0 6 8 10 12 14 ゲート・エミッタ間電圧 2014.04 作成 16 18 10 20 0.5 1 1.5 2 エミッタ・コレクタ間電圧 VGE (V) 6 2.5 VEC (V) 3 <IGBTモジュール> CM75TX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 特性図 インバータ部 スイッチング時間特性 スイッチング時間特性 （代表例） VCC=600 V, VGE=±15 V, RG=8.2 Ω, 誘導負荷 ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C （代表例） VCC=600 V, IC=75 A, VGE=±15 V, 誘導負荷 ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C 1000 1000 td(off) tf スイッチング時間 (ns) 100 スイッチング時間 (ns) tf td(on) 10 tr td(off) 100 td(on) tr 10 1 1 10 1 100 コレクタ電流 IC (A) 10 外部ゲート抵抗 100 RG (Ω) スイッチング損失特性 スイッチング損失特性 （代表例） VCC=600 V, VGE=±15 V, RG=8.2 Ω, 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C （代表例） VCC=600 V, IC/IE=75 A, VGE=±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C 100 100 1 10 Eon スイッチング損失, 逆回復損失 (mJ) E off 逆回復損失 スイッチング損失 (mJ) (mJ) 10 Eon E off 10 Err Err 0.1 1 1 1 10 1 100 コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 エミッタ電流 IE (A) 2014.04 作成 10 7 100 RG (Ω) <IGBTモジュール> CM75TX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 特性図 インバータ部 容量特性 （代表例） フリーホイールダイオード逆回復特性 （代表例） VCC=600 V, VGE=±15 V, RG=8.2 Ω, 誘導負荷 ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C G-E間短絡, T j =25 °C 1000 100 Cies 1 (ns), I r r (nF) (A) 10 trr trr 容量 Coes Irr 100 0.1 Cres 0.01 10 0.1 1 10 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE 100 1 10 100 エミッタ電流 IE (A) (V) ゲート容量特性 最大過渡熱インピーダンス特性 （代表例） Single pulse, TC=25°C R t h ( j - c )Q =0.25 K/W, R t h ( j - c ) D =0.40 K/W VCC=600 V, IC=75 A, T j =25 °C 1 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE Zth(j-c) ゲート・エミッタ間電圧 VGE (V) 20 15 10 5 0 0 50 100 150 ゲート容量 QG 2014.04 作成 200 250 0.1 0.01 0.001 0.00001 0.0001 0.001 時間 (nC) 8 0.01 (S) 0.1 1 10 <IGBTモジュール> CM75TX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 特性図 NTC サーミスタ部 温度特性 （代表例） 100 抵抗値 R (kΩ) 10 1 0.1 -50 -25 0 25 温度 2014.04 作成 50 75 100 125 T (°C) 9 <IGBTモジュール> CM75TX-24S 大電力スイッチング用 絶縁形 安全設計に関するお願い 弊 社 は 品 質 ，信 頼 性 の 向 上 に 努 め て お り ま す が ，半 導 体 製 品 は 故 障 が 発 生 し た り ，誤 動 作 す る 場 合 が あ り ま す 。弊 社 の 半 導 体 製 品 の 故 障 又 は 誤 動 作 に よ っ て 結 果 と し て ，人 身 事 故 ，火 災 事 故 、社 会 的 損 害 な ど を 生 じ さ せ な い よ う な 安 全 性 を 考 慮 し た 冗 長 設 計 ，延 焼 対 策 設 計 ，誤 動 作 防 止 設 計 な ど の 安 全 設 計 に 十 分 ご 留 意 ください。 本資料ご利用に際しての留意事項 ・本 資 料 は ，お 客 様 が 用 途 に 応 じ た 適 切 な 三 菱 半 導 体 製 品 を ご 購 入 い た だ く た め の 参 考 資 料 で あ り ，本 資 料 中 に 記 載 の 技 術 情 報 に つ い て 三 菱 電 機 が 所 有 す る 知 的 財 産 権 そ の 他 の 権 利 の 実 施 、使 用 を 許 諾 す る も の で はありません。 ・本 資 料 に 記 載 の 製 品 デ ー タ ，図 ，表 ，プ ロ グ ラ ム ，ア ル ゴ リ ズ ム そ の 他 応 用 回 路 例 の 使 用 に 起 因 す る 損 害 、 第三者所有の権利に対する侵害に関し、三菱電機は責任を負いません。 ・ 本 資 料 に 記 載 の 製 品 デ ー タ ，図 ，表 ，プ ロ グ ラ ム ，ア ル ゴ リ ズ ム そ の 他 全 て の 情 報 は 本 資 料 発 行 時 点 の も の で あ り ，三 菱 電 機 は ，予 告 な し に ，本 資 料 に 記 載 し た 製 品 又 は 仕 様 を 変 更 す る こ と が あ り ま す 。三 菱 半 導 体 製 品 の ご 購 入 に 当 た り ま し て は ，事 前 に 三 菱 電 機 ま た は 特 約 店 へ 最 新 の 情 報 を ご 確 認 頂 き ま す と と も に 、 三 菱 電 機 半 導 体 情 報 ホ ー ム ペ ー ジ （ www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/） な ど を 通 じ て 公 開される情報に常にご注意ください。 ・ 本 資 料 に 記 載 し た 情 報 は 、正 確 を 期 す た め 、慎 重 に 制 作 し た も の で す が 、万 一 本 資 料 の 記 述 誤 り に 起 因 す る損害がお客様に生じた場合には、三菱電機はその責任を負いません。 ・本 資 料 に 記 載 の 製 品 デ ー タ 、図 、表 に 示 す 技 術 的 な 内 容 、プ ロ グ ラ ム 及 び ア ル ゴ リ ズ ム を 流 用 す る 場 合 は 、 技 術 内 容 、プ ロ グ ラ ム 、ア ル ゴ リ ズ ム 単 位 で 評 価 す る だ け で な く 、シ ス テ ム 全 体 で 十 分 に 評 価 し 、お 客 様 の責任において適用可否を判断してください。三菱電機は、適用可否に対する責任は負いません。 ・本 資 料 に 記 載 さ れ た 製 品 は 、人 命 に か か わ る よ う な 状 況 の 下 で 使 用 さ れ る 機 器 あ る い は シ ス テ ム に 用 い ら れ る こ と を 目 的 と し て 設 計 、製 造 さ れ た も の で は あ り ま せ ん 。本 資 料 に 記 載 の 製 品 を 運 輸 、移 動 体 用 、医 療 用 、航 空 宇 宙 用 、原 子 力 制 御 用 、海 底 中 継 用 機 器 あ る い は シ ス テ ム な ど 、特 殊 用 途 へ の ご 利 用 を ご 検 討 の際には、三菱電機または特約店へご照会ください。 ・本資料の転載、複製については、文書による三菱電機の事前の承諾が必要です。 ・本 資 料 に 関 し 詳 細 に つ い て の お 問 い 合 わ せ 、そ の 他 お 気 付 き の 点 が ご ざ い ま し た ら 三 菱 電 機 ま た は 特 約 店 までご照会ください。 © 2013-2014 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. 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