三重大学極限ナノエレクトロニクスセンターMIE-CUTE 窒化物半導体MOVPE成長のその場観察と光学特性三重大学大学院工学研究科材料科学専攻生川満久氏日時：平成21年12月16日（水）16:30∼ 場所：三重大学VBL 2Fセミナー室講演要旨窒化物半導体のAlN，GaN，InN，およびこれらの混晶AlGaN，InGaN等を用いた発光ダイオードや半導体レーザが実用化されている。これらのデバイスは，主にサファイアやSiなどの異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長より作製されているため，成長層と基板との間の熱膨張係数差や格子定数差によって大きな応力が発生しそれによる基板の反り転位やクラックが問係数差や格子定数差によって大きな応力が発生し，それによる基板の反り，転位やクラックが問題となっている。我々は，結晶性の向上と反り低減を目的にMOVPE(Metal-organic Vapor Phase Epitaxy:有機金属気相成長)法を用いてサファイア基板とSi基板上に窒化物半導体の成長を行っている。本講演では，以下について述べる。 (1) MOVPE法で無極性面であるa面GaNをr面サファイア基板上に成長条件を変えて成長を行い，フォトルミネセンス(PL)測定により評価した。面内均一な発光を目指してその場観察反り測定により発光層成長時に反りがゼロになるよう制御した成長を行い，さらにLED作製を行た行った。 (2) MOVPE法でSi基板上の窒化物半導体成長を行い，評価を行った。結晶性を向上するため， FACELO(Facet Controlled Epitaxial Lateral Overgrowth:ファセット制御選択横方向成長 )を格子状に行った制限ELO技術を提案し，その方法でGaN成長を行い，光学特性を評価した。 (3) GaNとの格子整合性が比較的良好な3C-SiCをSi上に形成した基板を用いて，結晶性と表面平坦性を評価した。SIMOX(Separation by Implanted oxygen)上に3C-SiCを堆積させたものも基板(SiC/SiO2/Si)として使用した。三重大学極限ナノエレクトロニクスセンターでは、所属する研究者の研究内容を紹介するセミナーを定期的に行い、学内外の研究者・学生・企業の方々に情報発信を行っていきます。広範なナノエレクトロニクス分野の最先端の研究に触れることのできる貴重な機会ですので、多数の皆様にふるってご参加いただければ幸いです。三重県津市栗真町屋町１５７７三重大学大学院工学研究科担当：中村浩次 TEL:059-231-5361 （内線6715） Email: [email protected]