● ● 小特集 マイクロプラズマー基礎から応用まで一 3.高周波(HF》励起マイクロセルプラズマ 真壁利明,栗原 優 (慶慮大学理工学部) Micro−Cell−Plasma Driven by High Frequency Voltage Source MAKABE Toshiakl and KUR田ARA Masaru D8pαπ配εn∫げEl6αron∫csαn4EZ8c尻6αZ Eng∫n667’ng,κE10Un’vαsの,yoんohα配α223−8522,/卯αn (Received27January2000) Abstract Thispaper(lescribesthe basicconcept ofamicro−cellplasmainagasmixture,sustainedbyaHighFrequency (HF)voltage source.The key to maintaining a micro−cell plasma is to re(luce awamoss andincrease plasma pro(1uction.THe advantage ofHFmicro−ce且plasmais the spatialtrappingofionsan(lpartly electronsbythe extemal HF voltage source。As a result,the efficiency of UV ra(iiation caused by the high rate of excitation is improved as compared with that of low{requency operation. Keywords= micro−cell−plasma,relaxation contlnuum mo(lel,high frequency operation,plasma display panel, efficiency ofUV ra(liation,excitation proces亀Penning ionization,stepwise ionization,Xe/Ne mixture 3,1 はじめに 点と,(2)パルス印加時に2個の金属電極を被覆している 新材料や超微細加工によるエレクトロニクスの発展は 誘電体表面に十分な量の単極性電荷が蓄積し逆極性の表 留まるところを知らない.極限サイズのプラズマはPDP 面電位が生まれ,この壁電位が引き続くプラズマ維持パ (Plasma Display Pane1)の光源要素としての応用に加 ルスの大きさを生成時に比べ十分低く押さえることがで え,新しい機能を持った要素としてより広い立場で21世 きる利点が生まれる.この2つの現象は誘電体バリア放 紀のエレクトロニクスを支えることになるであろう.こ 電に本質的なものであり,低電力でかつLSIと整合性が こでは,一個のマイクロセルが高周波電源で維持される いい駆動回路を設計しようとすると(1)と(2)はトレードオ プラズマ(highfrequencymicro−celLplasma)の可能性に フの関係になる.低周波誘電体バリア放電を使用した現 ついて論じてみたい. 用PDPに本質的な効率改善を望めない点がここにあ μsオーダのパルス幅をもった低周波電源でマイクロ る. セルに放電を生成し維持する慣用的な駆動では,電源の LSIと整合性のいい低電圧駆動が可能で,しかも低消 パルス幅がイオンのセル内走行時間程度となる[1,2].こ 費電力化が見込めるマイクロセルプラズマ(Micro−CelL のとき,(1)投入パワーの約半分が質量の大きいイオンの Plasma;MCP)源として高周波(HF)駆動タイプがある ドリフト輸送に使われ,セル側壁の高温加熱に消費され [3].しかし,マイクロセルにプラズマを生成し維持する るため,プラズマ生成や励起分子(発光源)生成に費や ことはそう容易ではなく,極限サイズのプラズマ維持の されるパワー効率が原理的に低く押さえられてしまう欠 観点から放電プラズマを研究することは,現在大変意義 α漉ho〆58一規α〃’規αん訪8@規肋己818αんε∫ααc伽 444 小特集 3.高周波(HF)励起マイクロセルプラズマ lnsulator 真壁,栗原 [eV1 Ne+ 20.7 1.2mm 1m 十 晒撫 繍恥倒纏剛el 毒 HF Cbb Xe2 Ne★ 16.3 か無 12、1 II陶 鍛 曝細も Xe*★ 9.8 美馨陶§・葦 一銅禰1 0.8mm m胴 Xe2(3Σ〉 Xe2(1Σ) 十 Xe Xe2(Ou) 譲㌧一 メ篇 Xe Ne 0.3mm Xe2 Fig.2 Excitation Ievels of Ne and Xe. 些i ∼ 齪鍵舞 z翫 −箔 一15 10 Fig、1 Micro−cell considered inthisstudy. O o① 一17 ノ ! ! ノ ! Qsi” ■ ’# (VHF)に上げることにより,センチサイズのプラズマ Qsi3P2 ω10 ω の維持電圧が低くなることに着目し[4,5],マイクロセル ω o o −18 プラズマの予測とその後のデザインを緩和連続モデル 10 (Relaxation ConTinuum(RCT)model)[6,7]をもとに行 \ ’ ’ O −16 −10 ζ 筆者はプラズマの励起源を高周波(HF),超高周波 、 ↓ ∈ がある. !一 Qi Qm 『 Qsiex Xe 一一一Ne ” 、藁 、 xl∼ 寒 “ ’ 悪 、 ぺ ノ ヨ ペ ・Q3P ¥ ノ、、 、 ノ, 、、 ¥ト ずノ ヌ ,, Qex才・ レ 、、 μ 、¥ レロ ペ 1:1 \ρex l目 Q3P2\、 :昌 っている[3]. 0.01 0.1 1 10 100 1000 electron energy[eV] 3.2 マイクロセルプラズマのモデリング 3.2.1マイクロセル構造と衝突素過程 Fig.3 Cross section ofXe(solid line)and Ne(dashed line), 本研究で考慮したマイクロセルの構造をFig.1に示 Fig。3にNeとXeの電子衝突断面積を,また,Fig.4 す.マイクロセルは円筒形で底部にアース電極を配し, リング状側壁の一部がドライブ電極でブロッキングコンデ に電子ボルツマン方程式から解析したNe/Xe(10%)混 ンサを介して高周波電源に接続されている.電極を除い 合ガス中の反応レート係数を示す.ゐ、n,κi,たexはそれぞ たセル壁材は比誘電率ε,ニ3,8のガラス(誘電体)である. れ運動量移行,電離,電子励起衝突の反応レート係数で Fig。2は慣用的PDPの原料となるNeとXeの励起準位 ある.また尭siは励起状態からの累積電離衝突の反応レー 図である.PDPはXe原子,分子の共鳴準位Xe(3P1),X♂ ト係数である. (1βΣ,0、)から放射される紫外光が蛍光板を通して可視光 3、2.2 RCTモデル に変換される機構を利用している.電子生成の観点から ここではRCTモデルが数密度連続の式,有効電界緩和 は,Xe基底状態からの直接電離とともに準安定励起準位 の式,ポアソンの式で構成された高圧力の系を対象とす Xe(3P2)からの多段階電離が重要である.また,現用機で る.この方程式系の時間発展を数値解析し,放電構造が はペニング効果による電子生成を期待してNe/Xe混合 周期定常状態になるまで続ける. ガスを使用している.ここでは,電子,XeちXeを 数密度連続の式は, Ne+の4種の荷電粒子と,7種の励起分子を考慮した. これらの粒子の時空間数密度分布をRCTモデルから解 警一Σ為階Σ碗一▽・r♪ 析した[8]. l m 445 (1) プラズマ・核融合学会誌 第76巻第5号 2000年5月 境界条件として,数密度は壁表面でOである.正弦波 10『6 の高周波維持電圧V(♂)はブロッキングコンデンサCb 一 一8 1 r 10 ω 一’蓑S罵i3p2ksi㎝kiXe罵”k隔匿”’1;”≡… を介してリング電極に印加されている.したがって,リ kex紐Ne , 一一二二星.ブ鰐び ング状のRF電極には70sin碗+耽の電位が現れる. ”レ/5グ 一 E −10 010 払てニニ・4二写勿”’ /’”’ の = q)は1.OpFとした. 3.2.3 紫外光の発光効率 44イ kex3P2Ne ⊂ .虫 O −12 ε10 80 kex3PIN!ノ Φ _14 お10 L マイクロセルの消費電力と紫外光発光効率について考 『kexI e 察するために励起粒子からの紫外光エネルギーは !! !! 隔一ナ∫丁万v伸dVdあ 〆 , kexNe ノ ! kex2Ne 10『16 ! kiNe Ne/Xe(10%) で表すことができる.Tとhはそれぞれ印加電圧の周期 ! 10 100 (6) とプランク定数,レjと窃は紫外光の周波数と発光ライフタ 1000 イムである.7はマイクロセルの体積である. dc−E/N[Tdl セル内で電子とイオンの加熱に消費される電力はj種 Fig,4 Ratecoefficient in Ne/Xe(10%). 荷電粒子の伝導電流密度を謀r,オ)とすると, 楕はj種粒子の数密度,%1、,%1,,%mは1種粒子の生成消滅 に関係する粒子の数密度を表す・T」は粒子フラックスで 四D一Σナ∬v綱・E(r,オ)dVdあ あり,荷電粒子と中性粒子のフラックスはそれぞれ次式 」 で表される. (7) と求まる. 乃=叩dj一身▽楕, (2) Tj一一Po▽循, (3) 結局,紫外光発光効率ρは Σ確UVj ρニ1 。 (8) ここで%と易はそれぞれドリフト速度と拡散係数, マVD Z)oは中性粒子の等方拡散係数である.電子の輸送係数と と表せる.また,非弾性衝突により失われる電子のエネ 反応レート係数はボルツマン方程式からDC換算電界 ルギーは E/ノ〉の関数として算出している.その他の反応レートは 肱一払丁∫γεj脚1d臨 文献から引用した.電子の各反応レートはそのしきい値 (9) エネルギーを超えた電子の有効電界E,ffを緩和式から求 め,奴E。κ/N)と求まる.例として電離に関する有効電界 ここで角と亀は非弾性衝突のしきい値エネルギーと反応 の式は レート係数である. ∂ E2−E2 3.3 高周波マイクロセルプラズマの特性 ∂渉(%e鴫)一一e監、%e Flg.5は圧力100Torr,印加電圧の振幅100V,電源周 (4) 一▽{噛鴫一Pレ▽(躍eE藷)], 波数50MHz,Ne/Xe(10%)におけるマイクロセルプ ラズマの結果である.プラズマはマイクロセル内に広く ここでEは瞬時局所電界を,Ee∬とτ,、は有効電界と電離 分布している.マイクロセルプラズマはそのスケールの しきい値エネルギー以上の電子のエネルギー緩和時問で 微小さゆえに,内壁における損失が支配的で,セル近傍 ある.また,ポアソン方程式は でその数密度が急激に減少する.このために周期定常プ ラズマをマイクロセル内に維持するには,電子のネット プ7一一▽・E一一舌[早咽・ 生成レートを1020cm−3s−1と,センチオーダのリアクタ (5) 内に比べ4桁も高くなる.マイクロセルプラズマでは, であり,銘Pjと編はそれぞれ正イオンと電子の数密度で, このようにいかに表面損失を減らし生成量を増加させる 6とεoは素電荷と真空中の誘電率である. かが鍵となる.高周波(HF)源を使用すれば,イオンと 446 小特集 真壁,栗原 3.高周波(HF)励起マイクロセルプラズマ (a) (a〉 2.4 一1.O T 臣 1 σ) 叩 ∈ ξ…o・5 Q1.2 8 さ 孚 o ド 』ざ0。0 マー0.0 ⊂ ロ ぐ 0 0 1.2 α6 。賃αぜ zfm呵糠%o 1.2 0.6 zfm呵 (b) 。鴛αぜ 怨〃o (b) rr6.4 一1.O Tの マ の 叩 叩 ∈32 ρ る ∈o・5 8 ら γ0.0 ド0.0 ロ ぐ ロ ぐ 0 α6 ・一。鷺αぜ zfm呵熾%O 0 α6 。貧αぜ 1,2 1,2 z絢徹%o Fig,5 Time averaged(a)electron number density and(b)net Fig。6 Timeaveraged(a)stepwiseionizationbywayofX(3P2)and (b)penning lonization ofNe*. iOniZatiOn rate. 一部の電子がセル内に捕捉される利点が生きる.また, 励起粒子の生成レートが増加し,結果として,電子生成 投入電力の大半が電子に供給されるため,電子衝突によ が増加することになる.この機構により,放電維持電圧 る励起粒子の生成が増加し,発光効率の改善が期待でき を低下させることができる. る. 現用PDPではXe(3P1)共鳴励起粒子からのλ=147nm さて現用機ではペニング電離を利用して電子生成レー の紫外光(Fig.7(a))を蛍光材にあて可視光を発光させ画 トを増加させる目的で,混合ガスNe/Xe(10%)を使用 像を表示している.このほかにもXeエキシマ粒子からの している.本研究によると,定常状態ではXe(3P2)準安定 紫外光(Fig。7(b))も利用される.紫外光を放射する励起 励起粒子からの累積電離(Fig.6(a))が電子生成レートの 粒子はおもに,電子衝突で生成されるため,より電子に 98%を占め支配的となる.一方,Ne*準安定原子によるペ エネルギーが注入可能な高周波(HF)駆動のマイクロセル ニング電離(Fig.6(b))の寄与は少ない.これはNe*の励 プラズマがこの目的に有用である.本研究では147nm 起準位が高いためネット生成レートが低いことと,さら の共鳴線は全紫外光の45%を占め,173nmのエキシマ線 にバルクプラズマ中で,電子との累積電離衝突により枯 は54%であった.Xe混合比が低くなるにつれ,共鳴線が 渇してしまうためである.このように定常状態ではペニ 支配的になる.しかし,Xe(3P1)からの共鳴線は,放射閉 ング効果による電子生成レートの増加は原理的に望めな じ込め効果により蛍光材に届きにくい.このため,Xe い.しかし,非弾性衝突の断面積がXeに比べ小さいNe の混合比を増加し,エキシマ線を多くすることが発光効 ガスを混合すると,電子の高エネルギー成分が増加しXe 率を高くする鍵となる. 447 プラズマ・核融合学会誌 第76巻第5号 2000年5月 電維持電圧の低下が望める.また,発光効率については, (a) [ 12.0 σ) Xe混合比の増加が電子生成の減少を導くマイナス点と λ=147nm 紫外光放射効率の改善という利点を生み,トレードオフ 叩 の関係にある. EO1.0 じ oア 3.4 おわりに マイクロセルプラズマ(MCP)を用いたPDPが実用化 』一〇.0 され,極限サイズのプラズマにもわずかではあるが関心 3 が注がれているのは大変喜ばしい.マイクロサイズのプ く ラズマはこれを生成する容器,すなわち,リアクタ壁で 0 1.2 α6 。貧αぜ z伽呵楡〃o のプラズマ損失過程に強く依存し,リアクタ形状がMCP 実現の鍵となることを述べた.極限サイズのプラズマ源 はPDPに限らず,今後各種の機能材料の高効率発現セル (b) 一 19.7 の や生体治療用としてその役割を演ずると筆者は考えてい λ=173nm る.この小解説により読者諸氏がMCPに関心を持たれる 機会となれば幸いである. 叩 ∈ 04.8 参考文献 ㌍ o ア ー0.0 3 く 1.2 [1]J.Meunier,Ph.BelenguerandJ』P.Boeu五J.ApPl.Phys. 78,731(ig95). 12]」.Sumioka,M.Kurihara and T.Makabe,17∫h3y脚. P’α5用αProcε35貌8(Nagasaki,2000〉. [3]M.Kurihara and T.Makabe,IEEE Trans.Plasma Sci. 0 27,1372(1999). α6 。質αぜ zfm呵怨〃0 [4]S.Kakuta,T.Kitajima,T.Okabe and T.Makabe,Jpn. J.Appl.Phys.33,4335(1994), [5]T.Kitalima,N.Nakano,T.MakabeandY.Yamaguchi, Fig.7 Time averaged UV emission rate from(a)Xe(3P1)with Plasma Source Sci.Technol.2,40(1993). 147nm and(b)Xe2(3Σ)with173nm. [6]K.Okazaki,T。MakabeandY.Yamaguchi,App1.Phys. Lett.54,王742(1989). PDPではマイクロセルプラズマの放電維持電圧の低 [7]T.Makabe,N Nakano,and Y.Yamaguchi,Phys.Rev. 下,および発光効率の改善が重要な鍵である.以上述べ A45,2520(1992). てきたように高周波(HF〉でプラズマを維持すれば,放 [8]M.Kurihara and T.Makabe,s諭n漉8めoJ。ApPl.P鼓ys. 448
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