特集論文液晶・半導体工場向けクリーンオゾンガス及びオゾン水製造装置田畑要一郎＊古澤伸元＊安居院憲彰＊葛本昌樹＊＊野田清治＊＊＊要旨携帯電話，パソコン，ナビゲーションシステム，ディジまた，2001年のPRTR（環境汚染物質排出・移動登録）法タルカメラ等の情報機器の普及が1990年後半から急速に伸施行によって化学物質の管理がより一層強化されるため，びてきた。これらの機器の主要部品である液晶基板と半導多量の薬品を消費してきた既存の処理方式から環境を考慮体デバイスは，極限に近い品質追求と高集積化が要求されした処理方式に移行しつつある。その処理方式において，る。そのため，液晶・半導体製造分野においては，製造技オゾンガス及びオゾン水の適用工程が拡大してきている。本稿では，三菱電機のクリーンオゾンガス発生技術とオ術自体の改善見直しが日進月歩で進んでいる。ゾンガスによるクリーンオゾン水生成技術について紹介すその中で，クリーンオゾンガス及びオゾン水製造装置は，オゾンの強力な酸化力を利用した)液晶基板と半導体ウェるとともに，液晶・半導体製造分野のオゾン適用市場に見ーハの前洗浄工程， *高集積化したI C 基板回路の絶縁膜合った製品機種のラインアップとそれぞれの機種性能につ成膜工程，+フォトレジスト膜のはく（剥）離工程，及び, いて紹介する。今後，この製品機種を基盤として，より使表面酸化処理工程に次世代製造技術として積極的に採用さいやすい製品を追求し，オゾン利用分野の拡大に貢献する。れつつある。 100 オゾン発生器マスフローマスフローコントローラコントローラオゾン水濃度計洗浄機純水溶中解空モ糸ジ膜オゾン水濃度（ppm）オゾン水生成原理ュールオゾン分解塔オゾンガス超純水誘電体（セラミックス）高圧電極（導電膜層）容器ガスの流れ +オゾン水によるフォトレジスト剥離（バッチ方式） 60 40 20 )半導体ウェーハ洗浄 200 300 mmφ mmφ 10.0 )液晶基板洗浄 20.0 30.0 オゾン水流量（ë／min） 40.0 放射状スペーサ部低圧電極 50.0 +オゾンガスによるフォトレジスト剥離中空糸 250 3 冷却器供給電源 80 0 0.0 オゾン濃度（g／m ）窒素ガス酸素ガス +オゾン水によるフォトレジスト剥離（枚葉方式） 200 150 OP−150C OP−75C 100 50 OP−500C OP−250C ,表面酸化処理 0 0.0 100.0 *TEOS／オゾンCVD 200.0 300.0 400.0 500.0 40.0 50.0 オゾン発生量（g／h） 0 原料ガス入り口オゾンガス取り出し口 0.0 10.0 20.0 30.0 3 クリーンオゾン発生器ガス流量（ë／min）：（オゾン濃度170g／m 時）オゾンガス製造装置“クリーンオゾナイザ”及びクリーンオゾン水製造装置の製品群とニーズ高圧力・高濃度オゾン発生技術に基づいてクリーンオゾナイザを製品化している。この製品は，液晶・半導体製造分野の①オゾン水洗浄，②絶縁成膜，③オゾンガスとオゾン水によるフォトレジスト剥離，④表面酸化処理工程に適用可能な製品機種をそろえている。 44 （772）＊電力・産業システム事業所＊＊先端技術総合研究所（工博）＊＊＊同研究所