SHINDENGEN スイッチングパ ワ ー トランジスタ 2SC4149 LSV series ■ 外 形 寸 法 図 OUTLINE DIMENSIONS Case : ITO-220 Unit : mm (TP10S4) 10A NPN ■ 定 格 表 RATINGS ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings 項目 記号 Item Symbol 保存温度 Tstg Storage Temperature 接合部温度 Junction Temperature コレクタ･ベース電圧 Collector to Base Voltage コレクタ･エミッタ電圧 Collector to Emitter Voltage エミッタ･ベース電圧 Emitter to Base Voltage コレクタ電流 DC Collector Current DC コレクタ電流 Peak Collector Current Peak ベース電流 DC Base Current DC ベース電流 Peak Base Current Peak トランジスタ損失 Total Transistor Dissipation 絶縁耐圧 Dielectric Strength 締め付けトルク Mounting Torque 規格値 Ratings -55∼150 単位 Unit ℃ Tj 150 ℃ VCBO 60 V VCEO 40 V VEBO 7 V IC 10 ICP 20 IB 1.5 IBP 2 条件 Conditions A A PT Vdis TOR Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd Tc = 25℃ 25 W 一括端子・ケース間, AC1分間印加 Terminal to case, AC 1 mitute (推奨値：0.3N･m） (Recommended torque : 0.3N･m） 2 kV 0.5 N･m 2SC4149 (TP10S4) ス イ ッ チ ン グ パ ワ ート ラ ン ジ ス タ ●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics (Tc=25℃) 項目 記号 Item Symbol コレクタ･エミッタ電圧 IC = 0.1A VCEO(sus) Collector to Emitter Sustaining Voltage コレクタ遮断電流 Collector Cutoff Current エミッタ遮断電流 Emitter Cutoff Current 直流電流増幅率 DC Current Gain コレクタ･エミッタ飽和電圧 Collector to Emitter Saturation Voltage ベース･エミッタ飽和電圧 Base to Emitter Saturation Voltage 熱抵抗 Thermal Resistance トランジション周波数 Transition Frequency ターンオン時間 Turn on Time 蓄積時間 Storage Time 下降時間 Fall Time ICBO ICEO IEBO hFE 条件 Conditions 定格電圧において At rated Voltage 定格電圧において At rated Voltage VCE = 2V, IC = 5A VCE(sat) 規格値 Ratings Min 40 単位 Unit V Max 0.1 Max 0.1 Max 0.1 mA mA Min 70 Max 0.3 V Max 1.2 V Max 5 ℃/W TYP 50 MHz IC = 5A VBE(sat) θjc fT IB = 0.25A 接合部･ケース間 Junction to case VCE = 10V, IC = 1A ton ts tf Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd Max 0.3 IC = 5A IB1 = 0.5A, IB2 = 0.5A RL = 5Ω, VBB2 = 4V Max 1.5 Max 0.5 μs 直流電流増幅率 hFE DC Current Gain 0.01 −55°C −25°C 0°C 25°C 50°C 100°C Tc = 150°C 10 0.001 100 1000 hFE - I C コレクタ電流 IC [A] Collector Current 0.1 2SC4149 1 10 VCE = 2V 20 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE [V] Collector-Emitter Voltage 15A IC = 1A Tc = 25°C 0 0.001 0.5 1 0.01 3A 7A 0.1 ベース電流 IB [A] Base Current 5A 10A 15A 1 2 0 0.5 1 1.5 10A 1.5 7A 2 5A 2 3A 2.5 IC = 1A 3 2.5 3 2SC4149 飽和電圧 Saturation Voltage ベース・エミッタ間電圧 VBE [V] Base-Emitter Voltage 2SC4149 スイッチング時間 - IC Switching Time - IC 1 スイッチング時間 tSW [µs] Switching Time ts ton 0.1 tf IB1 = 0.1IC IB2 = 0.1IC VBB2 = 4V VCC = 25V Tc = 25°C 0.01 0 2 4 6 コレクタ電流 IC [A] Collector Current 8 10 2SC4149 スイッチング時間 - Tc Switching Time - Tc 1 スイッチング時間 tSW [µs] Switching Time ts tf 0.1 ton IC = 5A IB1 = 0.5A IB2 = 0.5A VBB2 = 4V R L = 5Ω 0.01 0 50 100 ケース温度 Tc [°C] Case Temperature 150 過渡熱抵抗 θjc(t) [°C/W] Transient Thermal Impedance 0.01 10-5 0.1 1 10 10-4 10-3 2SC4149 時間 t [s] Time 10-2 10-1 100 過渡熱抵抗 θjc(t) Transient Thermal Impedance 101 2SC4149 順バイアスSOA Forward Bias SOA 20 10ms 1ms 10 DC コレクタ電流 IC [A] Collector Current P T 制限領域 1 I S/B 制限領域 0.1 Tc = 25°C Single Pulse 0.01 1 10 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE [V] Collector-Emitter Voltage 40 2SC4149 コレクタ電流減少率 Collector Current Derating 100 I S/B 制限領域 コレクタ電流減少率 [%] Collector Current Derating 80 60 40 P T 制限領域 20 V CE = 一定 0 0 50 100 ケース温度 Tc [°C] Case Temperature 150
© Copyright 2024 ExpyDoc
