2SC3264 シリコンNPNエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SA1295とコンプリメンタリ) 単位 VCB＝230V 100max μA VCEO 230 V IEBO VEB＝5V 100max μA VEBO 5 V V(BR)CEO IC＝25mA 230min V IC 17 A hFE VCE＝4V, IC＝5V IB 5 A VCE(sat) IC＝5A, IB＝0.5A 2.0max V 200(Tc＝25℃) W fT VCE＝12V, IE＝−2A 60typ MHz Tj 150 ℃ COB VCB＝10V, f＝1MHz 250typ pF −55∼＋150 ℃ ※ランク O(50∼100), Y(70∼140) 2-ø3.2±0.1 IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 60 12 5 10 –5 0.5 –0.5 0.30typ 2.40typ 0.50typ 17 A 60 0mA 15 50mA 1 I C =10A I B =20mA 0 0 1 2 3 5 5A 0 4 0 0.5 1.0 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 1.5 0 2.0 0 ） 2 3 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (V CE =4V) 200 1 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性（代表 例 ） 温度 10 0m A 10 ） A 温度 200m 2 5˚C （ケ 25 ース ˚C A 10 5 E (V CE =4V) 12 400m 3.0 +0.3 -0.1 5.45±0.1 C 17 コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) 1.0 コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) 3 0.65 +0.2 -0.1 I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 3 15 2 3 製品質量 約18.4ｇ イ．品名 ロ．ロット番号 V CE (sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ） I C – V CE 特性 （代 表 例 ） A 1.5 ロ B RL (Ω) A イ 5.45±0.1 VCC (V) 0 2. 9 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） A .0 2.1 ース Tstg 24.4±0.2 50min※ PC 6.0±0.2 36.4±0.3 7 ICBO 規格値 （ケ V 外形図 MT-200 (Ta＝25℃) 試 験 条 件 0˚C 230 記 号 21.4±0.3 単 位 VCBO ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 4.0max 記 号 20.0min ■絶対最大定格 用途：オーディオ、一般用 −3 LAPT (V C E =4V) 3 200 100 100 Typ 50 過渡熱抵抗 θ j -a ( ˚C/W) 直流電流増幅率 h F E 25 ˚C – 30 ˚C 50 1 0.5 10 10 0.02 0.1 0.5 1 5 10 17 0.02 0.1 コレクタ電流 I C (A) 0.5 1 5 10 17 0.1 1 10 100 f T – I E 特性（代表 例 ） 1000 2000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 (V CE =12V) 40 100 200 10 –1 エミッタ電流 I E (A) –10 3 10 80 40 0.1 –0.1 付 放熱板なし 自然空冷 板 0.5 熱 1 120 放 コレクタ電流 I C (A) 5 20 0 –0.02 160 大 40 s 限 Typ 60 m DC 10 無 遮断周波数 f T (MH Z ) 80 最大許容損失 P C (W) 直流電流増幅率 h F E 125 ˚C 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 300 5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 65
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