SHINDENGEN

SHINDENGEN
ショットキーバリアダイオード
単体型
■ 外形寸法図 O U T L I N E D I M E N S I O N S
D5S6M
Case : ITO-220
Unit : mm
60V 5A
特長
●Tj150℃
● P RRSM アバランシェ保証
●フルモールド
用途
● SR 電源
● DC/DC コンバータ
●家電、ゲーム、OA 機器
●通信、ポータブル機器
■ 定格表 R A T I N G S
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings （指定のない場合は、Tc=25℃）
項目
記号
条件
Item
Symbol
Conditions
Tstg
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operating Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
繰り返しせん頭サ-ジ逆電圧
Repetitive Peak Surge Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
繰り返しせん頭サ-ジ逆電力
Repetitive Peak Surge Reverse Power
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
規格値
Ratings
-55∼150
単位
Unit
℃
Tj
150
℃
VRM
60
V
65
V
5
A
100
A
330
W
1.5
kV
0.5
N･m
規格値
Ratings
Max 0.58
単位
Unit
V
Max 4.5
mA
Typ 260
pF
VRRSM パルス幅0.5ms, duty 1/40
IO
IFSM
PRRSM
Vdis
TOR
Pulse width 0.5ms, duty 1/40
50Hz 正弦波, 抵抗負荷, Tc=130℃
50Hz sine wave, R-load, Tc=130℃
50Hz 正弦波, 非繰り返し1サイクルせん頭値, Tj=125℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1 cycle peak value, Tj=125℃
パルス幅10μs, Tj= 25℃
Pulse width 10μs, Tj= 25℃
一括端子・ケ-ス間, AC1分間印加
Terminals to case, AC 1 minute
(推奨値：0.3N･m)
(Recommended torque：0.3N･m)
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics （指定のない場合は、Tc=25℃）
項目
記号
条件
Item
Symbol
Conditions
VF
順電圧
IF=5A,
パルス測定
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
接合容量
Junction Capacitance
IR
Cj
θjc
熱抵抗
Thermal Resistance
θjf
IF=5A,
VR=V RM,
VR=V RM,
f=1MHz,
Pulse measurement
パルス測定
Pulse measurement
VR=10V
接合部・ケ−ス間 junction to case
接合部・フィン間（参考値）
junction to heatsink (Reference value)
Copyright & Copy;2001 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
Max 4.5
℃/W
Max 6.0
順方向特性
Forward Voltage
D5S6M
順電流 IF [A]
Forward Current
10
Tc=150°C [MAX]
1
Tc=150°C [TYP]
Tc=25°C [MAX]
Tc=25°C [TYP]
1素子当たりパルス測定
Pulse measurement per diode
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
順電圧 VF [V]
Forward Voltage
1.2
1.4
1.6
接合容量 Cj [pF]
Junction Capacitance
0.1
100
1000
1
逆電圧 VR [V]
Reverse Voltage
D5S6M
10
接合容量
Junction Capacitance
1 素子当り
f=1MHz
Tc=25°C
TYP
D5S6M
逆方向特性
Reverse Current
1000
Tc=150°C [MAX]
Tc=150°C [TYP]
100
逆電流 IR [mA]
Reverse Current
Tc=125°C [TYP]
10
Tc=100°C [TYP]
Tc=75°C [TYP]
1
0.1
1素子当たりパルス測定
Pulse measurement per diode
0.01
0
10
20
30
40
逆電圧 VR [V]
Reverse Voltage
50
60
D5S6M
逆電力損失曲線
Reverse Power Dissipation
15
逆電力損失 PR [W]
Reverse Power Dissipation
DC
D=0.05
0.1
0.2
10
0.3
0.5
5
SIN
0.8
0
0
10
20
30
40
50
60
70
逆電圧 VR [V]
Reverse Voltage
Tj = 150°C
0
VR
tp
D=tp /T
T
順電力損失曲線
Forward Power Dissipation
D5S6M
6
順電力損失 PF [W]
Forward Power Dissipation
5
DC
D=0.8
4
SIN
0.2
3
0.5
0.3
0.1
0.05
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
出力電流 IO [A]
Average Rectified Forward Current
Tj = 150°C
IO
0
tp
D=tp /T
T
ディレーティングカーブ
Derating Curve
D5S6M
出力電流 IO [A]
Average Rectified Forward Current
10
DC
8
D=0.8
6
0.5
SIN
0.3
4
0.2
0.1
2
0
0.05
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ケース温度 Tc [°C]
Case Temperature
VR = 30V
IO
0
0
VR
tp
D=tp /T
T
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Capability
D5S6M
IFSM
200
10ms 10ms
1 cycle
非繰り返し non-repetitive
正弦波 sine wave
サージ電流印加前の
接合部温度 Tj=125°C
せん頭サージ順電流 IFSM [A]
Peak Surge Forward Current
150
100
50
0
1
2
5
10
20
通電波数 [cycle]
Number of Cycles
50
100
SBD 共通
繰り返し尖頭サージ逆電力減少率
Repetitive Surge Reverse Power Derating Curve
120
PRRSM 減少率 [%]
PRRSM Derating
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
接合部温度 Tj [°C]
Junction Temperature
IRP
IR
VR
VRP
0.5IRP
0
tp
PRRSM = IRP × VRP
繰り返し尖頭サージ逆電力耐量
Repetitive Surge Reverse Power Capability
SBD 共通
PRRSM(t p) / PRRSM(t p=10µs) Ratio
10
1
0.1
1
10
100
パルス幅 tp [µs]
Pulse Width
IRP
IR
VR
VRP
0.5IRP
0
tp
PRRSM = IRP × VRP

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