2SD1796

C
等価回路
2SD1796
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ
ICBO
VCEO
60±10
単位
VCB＝50V
10max
μA
mA
V
IEBO
VEB＝6V
10max
VEBO
6
V
V(BR)CEO
IC＝10mA
60±10
IC
4
A
hFE
IB
0.5
A
VCE(sat)
PC
25(Tc＝25℃)
W
fT
150
℃
COB
−55∼＋150
℃
V
IC＝3A, IB＝10mA
1.5max
V
VCE＝12V, IE＝−0.2A
60typ
MHz
VCB＝10V, f＝1MHz
45 typ
pF
1.35±0.15
1.35±0.15
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
30
10
3
10
–5
10
–10
1.0typ
4.0typ
1.5typ
1
0.3mA
0
1
2
3
1
I C =1 A
0
0.2
4
0.5
1
5
10
50
(V C E =4V)
10000
直流電流増幅率 h FE
Typ
5000
1000
500
100
5000
12
5˚C
˚C
25
C
0˚
–3
1000
500
100
50
0.5
1
50
0.05
4
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
4
温度）
度）
1
V CB =10V
I E =–2V
0.5
1
10
100
1000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代表例）
2
5
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
20000
10000
1
θ j-a – t特性
h FE – I C 温度特性（代表例）
20000
0.1
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
AS O 曲線（単発パルス）
P c – Ta定格
(V CE =10V)
30
10
120
自然空冷
シリコーングリス
放熱板はアルミ
寸法単位はmm
1m
m
s
10
5
10
100
s
0m
Typ
60
40
最大許容損失 P C (W)
コレクタ電流 I C (A )
80
DC
s
遮断周波数 f T (MH Z )
直流電流増幅率 h FE
0
100
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性（代表例）
0.05
2
1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
温度）
4A
ケース
I C= 2 A
（ケース
I C=
I C= 3 A
ス温
0.4 mA
2
3
2
ケー
コレクタ電流 I C (A)
0. 5m A
˚C（
0 .6 m A
3
125
0
.8 m A
コレクタ電流 I C (A)
=
(V CE =2V)
4
A
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
IB
0
I C – V BE 温度特性（代表例）
3
1.0m
製品質量約2.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
B C E
V CE (sat) – I B 特性（代表例）
I C – V CE 特性（代表例）
A
2.4±0.2
2.2±0.2
VCC
(V)
m
20
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
4
ø3.3±0.2
イ
ロ
2 5 ˚C （
Tstg
2000min
4.2±0.2
2.8 c0.5
− 3 0 ˚C
Tj
VCE＝4V, IC＝3A
10.1±0.2
4.0±0.2
V
規格値
0.8±0.2
60±10
外形図 FM20(T0220F)
(Ta＝25℃)
試験条件
±0.2
VCBO
記号
3.9
単位
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規格値
記号
(3 k Ω)(1 5 0Ω) E
用途：ソレノイド、リレー、モータ駆動、一般用
16.9±0.3
■絶対最大定格
B
13.0min
サージ電圧吸収
ダーリントン
1
0.5
20
無
1 00x 1 0
10
放熱板なし
自然空冷
20
限
150x150x2
0x
大
放
熱
板
付
2
50x50x2
0.1
放熱板なし
2
0
–0.01
0.05
–0.1
エミッタ電流 I E (A)
–1
–4
3
5
10
50
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
100
0
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
139

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