2SCR574D : トランジスタ

2SCR574D
Datasheet
NPN 2.0A 80V ミドルパワートランジスタ
l 外形図
項目
規定値
VCEO
80V
IC
2A
CPT
2SCR574D
l 特長
1) ミドルパワードライバに最適。
2) コンプリメンタリ:2SAR574D
3) V CE(sat)が低い。
l 内部回路図
V CE(sat)=0.30V(Max.).
(I C/I B=1A/50mA)
4) Pbフリー対応済み/RoHS準拠
l 用途
モータードライバ、LEDドライバ
電源
l 包装仕様
形名
2SCR574D
パッケージ
CPT
パッケージ テーピング
サイズ
コード
6595
TL
リール
サイズ
テープ幅
(mm)
(mm)
330
16
基本発注
単位
標印
(pcs)
2500
CR574
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l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C)
項目
記号
規定値
単位
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
80
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
80
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
6
V
IC
2
A
ICP*1
4
A
IB
0.5
A
PD*2
10
W
Tj
150
℃
Tstg
-55 ~ +150
℃
最小値 標準値 最大値
単位
コレクタ電流
ベース電流
許容損失
ジャンクション温度
保存温度
l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)
項目
記号
条件
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
IC = 100μA
80
-
-
V
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
IC = 1mA
80
-
-
V
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
IE = 100μA
6
-
-
V
コレクタ遮断電流
ICBO
VCB = 80V
-
-
1
μA
エミッタ遮断電流
IEBO
VEB = 4V
-
-
1
μA
-
100
300
mV
120
-
390
-
コレクタ・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
VCE(sat) IC = 1A, IB = 50mA
hFE
VCE = 3V, IC = 100mA
利得帯域幅積
f T*3
VCE = 10V, IE = -500mA,
f = 100MHz
-
280
-
MHz
出力容量
Cob
VCB = 10V, IE = 0A,
f = 1MHz
-
20
-
pF
ターンオン時間
ton
-
90
-
ns
蓄積時間
tstg
-
600
-
ns
下降時間
tf
IC = 1A,
IB1 = 100mA,
IB2 = -100mA,
VCC ⋍ 10V,
RL = 10Ω
測定回路図参照
-
150
-
ns
*1 Pw=10ms 1PULSE
*2 Tc=25℃
*3 パルス測定
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l 電 気 的 特 性 曲 線 (Ta = 25°C)
Fig.1 Grounded Emitter Propagation
Characteristics
Fig.2 Typical Output Characteristics
Fig.3 DC Current Gain vs. Collector
Current(I)
Fig.4 DC Current Gain vs. Collector
Current(II)
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l 電 気 的 特 性 曲 線 (Ta = 25°C)
Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current(I)
Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current(II)
Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Fig.8 Gain Bandwidth Product vs. Emitter
Current
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l 電 気 的 特 性 曲 線 (Ta = 25°C)
Fig.9 Emitter input capacitance vs.
Emitter-Base Voltage
Collector output capacitance vs.
Collector-Base Voltage
Fig.10 Safe Operating Area
スイッチングタイム測定回路図
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l外 形 寸 法 図
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