2SAR542F3

2SAR542F3
Datasheet
PNP -3.0A -30V ミドルパワートランジスタ
l 外形図
項目
規定値
VCEO
-30V
IC
-3A
HUML2020L3
2SAR542F3
l 特長
1) ミドルパワードライバに最適。
2) V CE(sat)が低い。
l 内部回路図
VCE(sat)=-0.20V(Max.).
(IC/I B=-1A/-50mA)
3) 大電流
IC=-3A(max),I CP=-6A(max)
4) リードレス小型面実装
パッケージ(HUML2020L03)
熱伝導率、電気伝導率が優れている。
5) Pbフリー対応済み/RoHS準拠
B:ベース
C:コレクタ
E:エミッタ
l 用途
モータードライバ、LEDドライバ
電源
l 包装仕様
形名
2SAR542F3
パッケージ
HUML2020L3
パッケージテーピング
サイズ
コード
2020
TR
リール
サイズ
テープ幅
(mm)
(mm)
180
8
基本発注
単位
標印
(pcs)
3000
MQ
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l 絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目
記号
規定値
単位
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
-30
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
-30
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
-6
V
IC
-3
A
ICP*1
-6
A
IB
-500
mA
PD*2
1.0
W
PD*3
2.1
W
Tj
150
℃
Tstg
-55 ～ +150
℃
最小値標準値最大値
単位
コレクタ電流
ベース電流
許容損失
ジャンクション温度
保存温度
l 電気的特性 (Ta = 25°C)
項目
記号
条件
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
IC = -100μA
-30
-
-
V
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
IC = -1mA
-30
-
-
V
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
IE = -100μA
-6
-
-
V
コレクタ遮断電流
ICBO
VCB = -30V
-
-
-100
nA
エミッタ遮断電流
IEBO
VEB = -4V
-
-
-100
nA
IC = -1A, IB = -50mA
-
-90
-200
mV
コレクタ・エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
直流電流増幅率
hFE
VCE = -2V, IC = -500mA
200
-
500
-
利得帯域幅積
fT
VCE = -10V, IE = 100mA,
f = 100MHz
-
240
-
MHz
出力容量
Cob
VCB = -10V, IE = 0mA,
f = 1MHz
-
40
-
pF
ターンオン時間
ton*4
IC = -2.5A, VCC = -10V
-
45
-
ns
蓄積時間
tstg*4
IB1 = -250mA
-
200
-
ns
下降時間
tf*4
IB2 = 250mA
-
25
-
ns
*1　Pw=1ms 1PULSE
*2　FR4基板実装時(25.4×25.4×1.6mm, Cu PAD：645mm 2)
*3　Pw=10ms
FR4基板実装時(25.4×25.4×1.6mm, Cu PAD：645mm 2)
*4　スイッチングタイム測定回路図参照
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l 電気的特性曲線 (Ta = 25°C)
Fig.1 Grounded Emitter Propagation Characteristics
Fig.3 DC Current Gain vs. Collector Current(I)
Fig.2 Typical Output Characteristics
Fig.4 DC Current Gain vs. Collector Current(II)
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l 電気的特性曲線 (Ta = 25°C)
Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current(I)
Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage vs. Collector
Current
Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current(II)
Fig.8 Gain Bandwidth Product vs. Emitter Current
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l 電気的特性曲線 (Ta = 25°C)
Fig.9 Emitter input capacitance vs.
Emitter=Base Voltage
Collector output capacitance vs.
Collector-Base Voltage
Fig.10 Safe Operating Area
スイッチングタイム測定回路
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l外形寸法図
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