データシート

C
等価回路
2SD2390
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ(2SB1560とコンプリメンタリ)
単位
VCBO
160
V
ICBO
VCB＝160V
100max
μA
VCEO
150
V
IEBO
VEB＝5V
100max
μA
V
規格値
5
V
V(BR)CEO
IC＝30mA
150min
IC
10
A
hFE
VCE＝4V, IC＝7A
5000min※
IB
1
A
VCE(sat)
IC＝7A, IB＝7mA
2.5max
VEBO
単位
100(Tc＝25℃)
W
VBE(sat)
IC＝7A, IB＝7mA
3.0max
V
Tj
150
℃
fT
VCE＝12V, IE＝−2A
55typ
MHz
−55∼＋150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
95typ
4.8±0.2
1.8
5.0±0.2
2.0
イ
2.0±0.1
ø3.2±0.1
ロ
V
PC
Tstg
15.6±0.4
9.6
4.0
試験条件
19.9±0.3
記号
外形図 MT-100(T03P)
(Ta＝25℃)
規格値
記号
E
用途：オーディオ、シリーズレギュレータ、一般用
■電気的特性
(Ta＝25℃)
(7 0Ω )
pF
2
4.0max
■絶対最大定格
20.0min
ダーリントン
B
3
1.05 +0.2
-0.1
0.65 +0.2
-0.1
※ランク O(5000∼12000), P(6500∼20000), Y(15000∼30000)
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
70
10
7
10
–5
7
–7
0.5typ
10.0typ
1.1typ
1. 5m A
0
0
2
4
0
6
0.2
0.5
1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
5
10
50
0
100 200
(V C E =4V)
5000
25 ˚C
5000
– 30 ˚C
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C /W)
直流電流増幅率 h FE
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
10000
1000
1000
0.2
0.5
1
5
500
0.2
10
0.5
コレクタ電流 I C (A)
1
5
10
）
温度
ース
（ケ
1
0.5
0.1
1
5
10
50 100
500 1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代表例）
2.5
3
70000
50000
Typ
2
θ j-a – t特性
h FE – I C 温度特性（代表例）
10000
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
40000
0
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性（代表例）
度）
ス温
12
25˚
5˚
2
0˚C
4
−3
I C =5A
度）
I C =7A
1
6
ケー
I B =0.4mA
2
I C =10A
C（
0.6mA
4
2
ス温
0.8mA
ケー
1m A
6
8
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
1.2 mA
C（
8
コレクタ電流 I C (A)
(V CE =4V)
10
3
A
1.4
E
I C – V BE 温度特性（代表例）
コレクタ電流 I C (A)
10 m A
2.
5m
A
2m
C
製品質量約6.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE (sat) – I B 特性（代表例）
I C – V CE 特性（代表例）
10
5.45±0.1
B
AS O 曲線（単発パルス）
P c – Ta定格
(V CE =12V)
30
80
10
100
10
100
m
50
付
最大許容損失 P C (W)
板
コレクタ電流 I C (A)
熱
0.5
放
1
大
40
s
限
Typ
60
0m
無
遮断周波数 f T (MH Z )
s
10
DC
5
放熱板なし
自然空冷
20
0.1
0
–0.02
–0.1
–1
エミッタ電流 I E (A)
150
–10
0.05
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150

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