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A-8 巨大磁気抵抗効果センサによる
磁性流体の極低濃度の計測
環日本海域環境研究センター
生体機能計測研究部門
岩瀬 勝紀
発表内容
実験目的
 磁性流体の濃度検出原理

-磁性流体の濃度検出原理
-巨大磁気抵抗効果(GMR)センサ
-均一磁界発生装置

磁性流体の極低濃度の計測
-周波数の違いによる計測結果の比較
-一定濃度内に存在する空洞部分の検出

まとめ,今後の課題
実験目的
Q = k m f Dw B
2
[W/cc]
km : 係数(=2.410-3 W/Hz/(mgFe/cc)/T2/cc)
f : 周波数 (known)
B : 磁束密度 (known)
Dw : 生体内での磁性流体の重量濃度
(unknown)
体内の磁性流体濃度
治療後の残留濃度
の検出が必要
磁性流体の濃度検出原理
ヘルムホルツコイル
B0
磁性流体
均一磁界
挿入された
磁性流体入り
トレー
B1
巨大磁気抵抗効果
センサ
 * = 1  4Dw (hs rf )
Dw  1
:反磁界係数
 * :磁性流体の比透磁率 r f :磁性粒子の比重
N B0 :均一外部磁束密度
Dw :磁性流体の重量濃度 h s :クラスタ構造の占積率 B1 :磁性流体内の均一磁束密度
巨大磁気抵抗効果(GMR)センサ
単位 : m
20,000
針状センサ
(低侵襲な計測
が可能)
針の先端部
針の根元
GMRセンサ
250
カバー
GMR 1
GMR 2,3,4
ボンディングパッド
Probe 接続部
GMRセンサ
磁束密B
度
1 , B0 が
同 時 に計 測 可 能
40m
75m
75m×40m
感度方向
0.729m
均一磁界発生装置
0.770m
発生磁界の不均一度
Lee-Whiting Helmholtz coil
磁性流体の極低濃度の計測
周波数の違いによる計測結果の比較
0.12%wt
0.08%wt
0.20%wt
0.03%wt
0.05%wt
0%wt
実験モデル
Lee-Whiting Helmholtz coil
周波数f=10,50,100Hz
均一外部磁界 B 0 = 90μT
アンプ倍率:100倍
18mm
寒天
・B
形状比m=1
1 反磁界係数
N=0.33
18mm
磁性流体入り寒天
一定濃度内に存在する空洞部分の検出
磁性流体
磁性流体が行きわたっている
腫瘍部位
磁性流体がいきわたっていない
(空洞部分がある)
一定濃度内に存在する空洞部分の検出
実験モデル
Lee-Whiting Helmholtz coil
周波数f=100 Hz
均一外部磁界 B 0 = 90 T
アンプ倍率:100倍
18mm
磁性体
・B
形状比m=1
1 反磁界係数
N=0.33
18mm
空洞部分(寒天)
磁性流体内にある空洞部分の計測
まとめ
•磁性流体の濃度検出原理
•磁束密度の変化率を計測
•巨大磁気抵抗効果センサ
•磁界B1,B0を同時に検出
•均一磁界発生装置
•不均一度0.001%を作製
•10~100Hzでは影響なし
周波数の違いによる
治療後の磁性流体の残留濃度検出が可能
計測結果への影響
•0.05%wtまで計測可能
空洞部分の検出
一定の変化を確認
今後の課題
空洞部分
臓器、皮下組織
(磁性流体を含まない)
磁性流体を含んだ
腫瘍部位
×
•空洞部分を外部から確認
•厚みが増して計測が非常に困難
ご清聴ありがとうございました
誘導加温形ハイパーサーミアおよび
誘導発熱
癌細胞は熱に弱い
一定時間42~43℃に加熱すれば死滅
励磁コイル
制御装置および電源
磁性流体体内(腫瘍部位)注入
腫瘍部位に磁束密度照射
磁性流体が腫瘍に含ま
れている
誘導発熱による加温
誘導加温形ハイパーサーミア
癌細胞死滅
GMRセンサ
Helmholtz tri-coil
発生磁界の不均一度
770 mm
770 mm
260 mm
214 mm
140 turns
z
z
140 turns
4 turns
r
1 turn
Helmholtz tri-coil
Lee Whiting Helmholtz coil
729 mm
r
188 mm
315 mm
62 turns
コンター図
磁界の不均一度
 / 4rp3 = Dvd 3
Pb =
0 rp2 
d  rh
Pg =
 
d = 
 4 Dv
,

0 rp2  
d
rh 
1  
 d
 0 d 2  rp2 
d
1/ 3



rp
d  rp , rh
(1)
(2)
(3)
rp3 

PL = Pb  Pg = 0 d 1 

3
d 

(4)
N L = 1/ d , NS = 1/ d 2
(5)
2rp3 

S 0* 1

P = PL Ns / NL  =
=
= 0* = 0 1 
l
1
d3 

(6)
3
2

r
p
* = 1 
= 1  4 Dv
d3
(7)