陽電子エネルギーと検出領域考察（手始め） • 300MeV/cの-beamからの崩壊陽電子、200MeV以上を取るのがFOMで最も得をする。 下の２プロット参照 • 50MeV未満のhigh-rateかつAnalyzing powerの小さい“不要な“陽電子と、 250MeV以上のAnalyzing powerが大きい陽電子の軌道が重なる。 pege4 • FOMでは最適ではないが、100<E<250MeVの崩壊陽電子を検出するのが現実的か？ page3 – FOMでどれだけ負けるのか見積もる必要あり。 b=1.25  200MeV/c@=3  2GeV/c @=30 =N/Nmax A FOM=NA2 13% A～0.46 ～13% 実験室系の陽電子運動量 Green line:  beam trajectory Red line: e+ trajectory of each energy bin ビーム面から10cm未満の領域の陽電子の、ビーム面への射影です。 E<50MeV 50<E<100MeV Analyzing power 小なので取得してもうれしくない。むしろ、レートが高すぎて避けたい。 100<E<150MeV Green line:  beam trajectory Red line: e+ trajectory of each energy bin ビーム面から10cm未満の領域の陽電子の、ビーム面への射影です。狙い目はこの辺のエネルギー領域の陽電子検出か？ 100 <E < 250 MeV 150<E<200MeV 200<E<250MeV Analyzing power 小なので取得してもうれしくない。むしろ、レートが高すぎて避けたい。 E<50MeV 低エネルギーの陽電子と、高エネルギーの陽電子の軌道はほとんど同じ領域にある。 Analyzing power 大なので取得したいけども、困難か？ 250<E<300MeV E<100 MeV Backward-decay (Forwarddecay と位相が逆) 100< E<175 MeV Left-right-decay 左右でイベント選択しないと、スピン成分が平均されてしまう 175< E<300 MeV (max) Forward-decay 200<E<300MeV 取得が最も FOMが大きくなる。 E>275 MeV 陽電子検出が困難かもしれない。 200<E<300MeV 150<E<250 MeV 175<E<275 MeV 3者の /を比較してみる。 3通りのエネルギービンで比較 1.7E6  in total A C=Counts 2/ndf /total / A2 C 150<E<250 MeV 0.23 0.25 5600/4647 4.83E-4 0.013 175<E<275 MeV 0.34 0.19 5433/4623 3.78E-4 0.022 200<E<300MeV 0.46 0.13 4964/4565 3.43E-4 1.1 1.4 (2.2) 0.028 2.2 Aと CA2 計算値とも合致 CA A , C 2   CA CA 2  CA  A  C