2008インターンシップ報告書 マニュアルレイアウト設計 DNP LSI DESIGN ・論理設計/レイアウト設計/設計検証などが仕事 ・JR埼京線赤羽駅徒歩5分 ・フレックスタイム制でコアタイムは11時~16時 ・一人一人にPCがありUNIXを使って作業 ・セキュリティが厳しく書類、データの持出しは不可 実習内容 ・LSIができるまでの流れについて ・MOSの構造および基本動作の学習 ・STDセルでのレイアウト演習 ・セルの検証(DRC/LVS)演習 ・4bitカウンタのレイアウト作成と検証 LSIができるまで 発注 システム設計 機能設計 論理設計/回路設計 レイアウト設計 マスク設計 LSI製造 LSI組み立て LSI評価 DLDの仕事 トップダウン MOSの構造 MOSの構造 width length P/N拡散 酸化膜 ポリシリコン アルミ N/P基板 widthが長いと電流を多く流せる lengthはプロセスの微細度の指 針 MOSの基本動作 PMOSは入力Lowで電気を通す 入力I 入力L 入力H NMOSは入力Highで電気を通す 入力I 入力L 入力H STDセルのレイアウト ・仕様書があり、その項目を守りながらレイアウトを行う デザインルール(各素材の間隔に関する規定) レイヤー仕様(レイヤー番号と素材の対応付け) コンタクトセル仕様(配線ポイントの素材間隔に関する規 定) 1/2ルール(隣接セルがあるときの素材間隔に関する規定) ・SolarisからSX9000(GUI)というソフト呼び出し使った ・小さなパーツを作成し、合成して大きなパーツを作る(ボトムアッ プ) レイアウト図(1) コンタクトが守るべき 条件を包含させたセ ルを数種類作る INV0D1(NOT) PMOS w=3.25μm l=600nm NMOS w=1.5μm l=600nm ND02D1(NAND) PMOS w=4.0μm l=600nm NMOS w=3.25μm l=600nm ND03D1(NAND) PMOS w=4.5μm l=600nm NMOS w=4.0μm l=600nm セルを組み合わせる 複数のセルを配置 し、論理回路の入 出力に沿うように配 線する。 (左図は1bitカウンタ) 1bit counter回路図 1bit counter配線図 ブロックレイアウトの 配線の様子 横配線はアルミ1(水 色のレイヤー) 縦配線はアルミ2(青 いレイヤー) セルの検証/DRC ・verilogでネットリストのテストベンチをするのと同様に1つのセ ルをレイアウトしたら必ず検証をする ・DRC(Design Rule Check) 設計基準をDRC.RULファイルに書き起こし、そのファイルに基 づいてレイヤー間の幅などのチェックをする。 →結果はテキストファイル(*.sum)と エラー図形ファイル(*.sf)の両方で出力される DRC結果(1) sumファイルはテ キスト形式でルー ルファイルに記述 されているエラー 番号とエラー座標 を列挙する。 左図では AL1 52がエラー番号 3.90 8.45 …が座標 DRC結果(2) DRCで出力されるsf ファイルは左図の黄 色の部分のように作 成したレイアウトと同 じ形式のデータでエ ラー箇所が出力され る。 左図では0.500となっ ているアルミ-アルミ間 隔は本当は0.800必 要 LVS ・LVS(Layout Versus Schematic) スパイスネット(ネットリスト)、LVS.RUL(レイヤーの設定)を基に レイアウトが論理的に正しいかチェックをする →結果はテキストファイル(*.lvs)と エラー図形ファイル(*.sf)の両方で出力される ・DRC/LVS片方でも失敗したら修正し、両方とも再チェックする SpiceNet 文法 .SUBCKT 回路名 端子 *PININFO 端子:I/O インスタンス名 ドレイン ゲート ソース 基板 (N/P)M W=width L=length M=ゲート数 .ENDS または .SUBCKT 回路名 端子 *PININFO 端子:I/O インスタンス名 端子 / SUBCKT名 .ENDS LVS結果 I/OやMOSの数など が出力される。 間違ってる部分と繋 がっている回路すべ てに何重ものエラー がでる LVSのエラーリスト 左図のように?がついたリスト が列挙される。 4bit counter作成にあたり 接続関係および入出力の取り出し位置でブロックの配置場所 や向きを考える。 →配線を短くし抵抗を下げるためや、全体で配線スペースを確 保するため できる限りつめる。空きスペースを作らない。 →一つのウェハーでより多くのチップを作ることができコストが 安くなる。 さらに上位のセルを作ることも考え、配線箇所をつぶさないよ うに、使用トラックを減らす。 4bit counter回路図 4bit counter(ブロック配置) NAND NOT 1bit counter NOR 4bit counter (配 線) 全レイヤー図 まとめ レイアウトは幾何学的に絵を描くような感 覚で面白かった 大変だったのは空間的な余裕をもって作 れないことや検証からもれるルールの存 在、ついでLVSの無数のエラー 最終的な目標を視野にいれた設計が必要
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