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2008インターンシップ報告書
マニュアルレイアウト設計
DNP LSI DESIGN
・論理設計/レイアウト設計/設計検証などが仕事
・JR埼京線赤羽駅徒歩5分
・フレックスタイム制でコアタイムは11時~16時
・一人一人にPCがありUNIXを使って作業
・セキュリティが厳しく書類、データの持出しは不可
実習内容
・LSIができるまでの流れについて
・MOSの構造および基本動作の学習
・STDセルでのレイアウト演習
・セルの検証(DRC/LVS)演習
・4bitカウンタのレイアウト作成と検証
LSIができるまで
発注
システム設計
機能設計
論理設計/回路設計
レイアウト設計
マスク設計
LSI製造
LSI組み立て
LSI評価
DLDの仕事
トップダウン
MOSの構造
MOSの構造
width
length
P/N拡散
酸化膜
ポリシリコン
アルミ
N/P基板
widthが長いと電流を多く流せる
lengthはプロセスの微細度の指
針
MOSの基本動作
PMOSは入力Lowで電気を通す
入力I
入力L
入力H
NMOSは入力Highで電気を通す
入力I
入力L
入力H
STDセルのレイアウト
・仕様書があり、その項目を守りながらレイアウトを行う
デザインルール(各素材の間隔に関する規定)
レイヤー仕様(レイヤー番号と素材の対応付け)
コンタクトセル仕様(配線ポイントの素材間隔に関する規
定)
1/2ルール(隣接セルがあるときの素材間隔に関する規定)
・SolarisからSX9000(GUI)というソフト呼び出し使った
・小さなパーツを作成し、合成して大きなパーツを作る(ボトムアッ
プ)
レイアウト図(1)
コンタクトが守るべき
条件を包含させたセ
ルを数種類作る
INV0D1(NOT)
PMOS
w=3.25μm
l=600nm
NMOS
w=1.5μm
l=600nm
ND02D1(NAND)
PMOS
w=4.0μm
l=600nm
NMOS
w=3.25μm
l=600nm
ND03D1(NAND)
PMOS
w=4.5μm
l=600nm
NMOS
w=4.0μm
l=600nm
セルを組み合わせる
複数のセルを配置
し、論理回路の入
出力に沿うように配
線する。
(左図は1bitカウンタ)
1bit counter回路図
1bit counter配線図
ブロックレイアウトの
配線の様子
横配線はアルミ1(水
色のレイヤー)
縦配線はアルミ2(青
いレイヤー)
セルの検証/DRC
・verilogでネットリストのテストベンチをするのと同様に1つのセ
ルをレイアウトしたら必ず検証をする
・DRC(Design Rule Check)
設計基準をDRC.RULファイルに書き起こし、そのファイルに基
づいてレイヤー間の幅などのチェックをする。
→結果はテキストファイル(*.sum)と
エラー図形ファイル(*.sf)の両方で出力される
DRC結果(1)
sumファイルはテ
キスト形式でルー
ルファイルに記述
されているエラー
番号とエラー座標
を列挙する。
左図では
AL1 52がエラー番号
3.90 8.45 …が座標
DRC結果(2)
DRCで出力されるsf
ファイルは左図の黄
色の部分のように作
成したレイアウトと同
じ形式のデータでエ
ラー箇所が出力され
る。
左図では0.500となっ
ているアルミ-アルミ間
隔は本当は0.800必
要
LVS
・LVS(Layout Versus Schematic)
スパイスネット(ネットリスト)、LVS.RUL(レイヤーの設定)を基に
レイアウトが論理的に正しいかチェックをする
→結果はテキストファイル(*.lvs)と
エラー図形ファイル(*.sf)の両方で出力される
・DRC/LVS片方でも失敗したら修正し、両方とも再チェックする
SpiceNet
文法
.SUBCKT 回路名 端子
*PININFO 端子:I/O
インスタンス名 ドレイン ゲート ソース 基板
(N/P)M W=width L=length M=ゲート数
.ENDS
または
.SUBCKT 回路名 端子
*PININFO 端子:I/O
インスタンス名 端子 / SUBCKT名
.ENDS
LVS結果
I/OやMOSの数など
が出力される。
間違ってる部分と繋
がっている回路すべ
てに何重ものエラー
がでる
LVSのエラーリスト
左図のように?がついたリスト
が列挙される。
4bit counter作成にあたり
接続関係および入出力の取り出し位置でブロックの配置場所
や向きを考える。
→配線を短くし抵抗を下げるためや、全体で配線スペースを確
保するため
できる限りつめる。空きスペースを作らない。
→一つのウェハーでより多くのチップを作ることができコストが
安くなる。
さらに上位のセルを作ることも考え、配線箇所をつぶさないよ
うに、使用トラックを減らす。
4bit counter回路図
4bit counter(ブロック配置)
NAND
NOT
1bit counter
NOR
4bit counter (配
線)
全レイヤー図
まとめ
レイアウトは幾何学的に絵を描くような感
覚で面白かった
大変だったのは空間的な余裕をもって作
れないことや検証からもれるルールの存
在、ついでLVSの無数のエラー
最終的な目標を視野にいれた設計が必要