05/09/06 2D Trion and ohmic contact study on a new sample “8_25_05.1” Toshiyuki Ihara Abstract. ・新しくデザインした試料 8_25_05.1 （低ドープ6nmGaAs/AlGaAs量子井戸）に対してInはんだのアニールを行い、その周辺で点励起PLスキャン・PLE測定を行った。・アニールによって、InはんだからInが試料表面を流れたような模様が現れた。これをIn flowと呼ぶことにして、この影響も同時に調べた。・狙い通り、Inはんだ・In flowともにその周辺で電子濃度の減少がはっきりと見られた。・今後、In以外の金属のアニ－ルや、蒸着を試してゆく予定。 Sample information Sample name 8-25-05.1 x 4 pieces Quantum well 63 ÅGaAs Barrier 36% AlGaAs Si doping 7x109cm-2 (6.1A x 14sec) Set back 200Å Electron density ～7x109cm-2 Indium annealing 20s PL over view （Inとは無関係の領域）４つの試料のPLを測定した。Wellの厚みは10%/mmで計算しており、端の方では大きなずれが生じる可能性がある。特に5.5nmはもっと薄くなっているっぽい。 PL scan near Indium 6.3nmの#14において、Inはんだ・In flowの付近でPLスキャンを測定してみた。右図はステップ間隔2μmで、In から離れていったときのPLスペクトル。 Inはんだ・In flowの付近では excitonが観測される。明らかに電子濃度が減少している。電子濃度の減少はInから 50μmに及ぶ。 ※ それぞれのピークが excitonやtrionであることは、 PLE測定で確認される → 次項 PLE spectra measured near / far from Indium ※参考：arm wellの場合今回の実験でも、 Indiumの周りで二次元電子濃度が減少していることを確認できた。今後、他の金属や蒸着などを試してゆく予定。