GEMの印加テスト @林栄精器つくば営業所 2005.7.22 報告者：関本美知子 GEMの現在までの経過 • 2005年6月下旬、サイエナジーより5枚納入 • 林栄精器つくば営業所にて印加テストを開始 接着前にGEMのフィルムだけの絶縁抵抗値を測定(2005.6.21) 5枚中1枚はサイエナジー（渕上ミクロ）へ返却 残り4枚のGEMをG-10(500μm厚）のフレームに接着 接着後、再度絶縁抵抗値を測定(2005.7.) GEMテストベンチを組み立て、印加テストを実施(2005.7.15) GEM：接着前の絶縁抵抗検査 • 測定日 2005.6.21 温度：２５℃/湿度：４５％ • GEMのフィルムだけを絶縁抵抗計のリードで吊るして測定番号測定値（Ω） 3 5×109 2×1012 2×1013 4 5×1011 5 2×1011 1 2 返却返却指示があった時点で一番悪いGEM（1番）は既にフレームに接着済みだったために、二番目に悪かった5番を返却した。 GEM：接着後の絶縁抵抗検査 • 測定日 2005.7.11 温度：２５℃/湿度：５０％ • G-10（500μm厚）の枠に接着済みのGEMを絶縁抵抗計のリードで吊るして測定番号測定値（Ω） 1 5×109 2 4.5×1010 3 1×1010 4 1×1010 GEM：テストベンチの印加検査 • 測定日 2005.７.15 温度：２５℃/湿度：不明 GEM: GEM：テストベンチの印加検査 • 測定日 • • • • • 2005.７.15 温度：２５℃/湿度：不明 GEM3枚を10mm間隔でテストベンチに設置プラスティックバックにテストベンチを封入プラスティックバック中に窒素ガスを流入 HVは100MΩの抵抗を入れた順次、印加検査を実施 GEM：テストベンチの印加検査 • 番号：４（絶縁抵抗値：1×1010Ω/ 5×1011Ω ）一回目 420V OK 430V 放電二回目 400V Ok 450V 放電三回目 460V 放電四回目 450V 6nA CERNのGEMハンドリングに対するサジェッションでは、 30%以下の空気中でリーク電流は、～5nA以下＠５００V（絶縁抵抗値＞100GΩ） GEM：テストベンチの印加検査 • 番号：３（絶縁抵抗値：1×1010Ω/ 2×1013Ω ）一回目 453V 放電二回目 451V 2nA • 番号：２（絶縁抵抗値：4.5×1010Ω/ 2×1012Ω ）一回目 451V 2nA • 番号：１（絶縁抵抗値：5×109Ω/ 5×109Ω ）一回目 offset電圧で放電二回目 280V 9nA 450V 3nA GEM：テストベンチの印加検査 CERN-GEM(60/40) 印加テストで放電したあたりを電子顕微鏡で見たところ表面の若干の変色以外に変化は見られなかった。 GEM：テストベンチの印加検査 ― まとめ ― GEM No. 1 2 3 4 絶縁抵抗測定値 5×109 4.5×1010 1×1010 1×1010 (フィルムのみ) 5×109 2×1012 2×1013 5×1011 印加電圧(V) リーク電流(nA) 25℃/不明 450 451 451 450 3 2 2 6 453 430 放電電圧１ offset値放電電圧２ 280/9 ― N2 gas中 450 CERN推奨値：～5nA以下＠５００V（絶縁抵抗値＞1×1011Ω） in air GEM：テストベンチの印加検査 ― まとめ ―