ブリッジマン法ブリッジマン法によるマイクロによるマイクロ波合成マイクロ波合成AgGaSe 波合成AgGaSe2の単結晶化 (Ⅱ) Single Crystallization of Microwave-Synthesized AgGaSe2 by Bridgman Method (II) 大阪府立高専 ○須崎須崎昌己，昌己，前田篤志 Osaka Pref. College of Technology, Masami Susaki and Atsushi Maeda [email protected] 非線形光学材料AgGaSe2について，マイクロ波合成多結晶を原料に用いたブリッジマン結晶成長を試みている[1]．成長炉は三つの独立した円筒炉を縦置きに結合した型をもち，上位クボード製の断熱帯(帯幅:35mm，開口径:30mm)を設け，この範囲にAgGaSe2の融点(860°C) とその近傍で25°C/cm前後の温度勾配をもつ炉内温度分布を得ている(右図)．高温帯を 1010°C，低温帯を805°Cに加熱し融点を断熱帯の最下部に置いた条件下で，合成原料粉末(約 12g)を真空封入した成長管(内径12mm，先端に30°の角度をもつ円錐部を準備)を10mm/day の速度で降下させて得た結晶体内部には無数の空孔やクラックが入り，結晶粒の成長は数 mm大までに抑えられていた．一方，高温帯を900°Cに低温帯を775°Cに加熱して融点を断熱帯の上端に置いた条件下で成長管を降下させると，空孔量が激減し粒子サイズは数倍増大した組織となる．現在，炉内温度分布の最適化と並行して単結晶化促進を図るために成長管の円錐部先端に小径ポケットを付加することを検討している．文献 [1]須崎，前田：2007年春季第54回応用物理学関係連合後援会 28a-ZJ-1. Distance (cm) 2段の炉で構成した高温帯(炉長:350mm)と最下位の低温帯(炉長:200mm)との間にセラミッ 12 10 8 6 4 2 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 900 936 966 ο 1010 C Upper zone Insulation zone Temperature gradients ο 19, 29, 24, 26 C/cm Lower zone Melting point ο 860 C ο 775 805 C 750 800 850 900 ο Temperature ( C) 950 1000