結晶工学特論 レポート（鍋谷）
GaAsの結晶構造は閃亜鉛鉱構造であり、下の図のような単位格子と原子配置をして
いる。基本単位格子にはそれぞれ4個のGaおよびAs原子が含まれる。
GaAsの[111]方向から電子線を入射する場合に観測されると予想される透過電子線
回折像を描き、各回折点に指数付けをしなさい。Laueゾーンは考えなくてもよい。ただ
し、加速電圧は200kV、カメラ長は100cm、フィルムの大きさは6cm×6cmとする。フィ
ルムの上方向を[112]と同じ方向とする。また、GaおよびAsの原子形状因子はそれぞ
れ7.2および7.5とする。フィルムの感度はダイナミックレンジが2桁（最も輝度が強い点
から1/100の輝度までしか観測できない。それ以外は見えない。）としなさい。
提出締め切り：2009/1/16(金) 17:00
提出場所：A7-404
a3= [001]
a1  a2  a3  a  5.653Å
a2= [010]
a1= [100]

有機機器分析(1) 宿題 提出締め切り 10/14 学籍番号 名前 【問1

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