Diodes 社ショットキーダイオードを超えた！ SBR®（Super Barrier rectifier）シリーズ SBR®はDiodes社の特許技術で、MOS構造のダイオードです。低いフォワード電圧（VF）を実現し、高温時のリーク電流（IR）が低いため、アプリケーションの効率を改善します。SBR®は従来のショットキーダイオードの置き換えとして最適です。 ◆ 特　長 ● 低いフォワード電圧（VF）、リーク電流（IR）、効率アップ！高温時においてSBR ®は低いI Rによりアプリケーションを効率的に動作させることが可能で、熱暴走に対する高い信頼性を保ち、安全動作領域（SOA）を十分に確保します。フォワード電圧（VF）リーク電流（IR） ● 幅広い製品を実現！ショットキーダイオードと異なりメタルバリアがなくCMOSプロセスを使用することにより、0.1A〜60A、 20V〜600Vと幅広い製品群を実現します。耐　圧　20〜600V 整流電流　0.1〜60A 豊富なラインナップ！ 20V - 600Vまで対応！ NEW ◆ ついに600V製品が登場！ついに600V耐圧のDSR（DIODESTAR Rectifiers）シリーズがリリースされます。DSRはSBR®と同様の— テクノロジーで、PFC回路のファーストリカバリダイオードから置き換えることで高効率化に貢献します。パッケージはTO220（フルモールドタイプも今年度中リリース予定）およびTO252で、電流値は15Aの他、 8A、 6Aの製品もお選びいただけます。 AC line 8 VDC ~400V ◆ SBR®による効率改善例　（250Wのスイッチング電源） AC Input 15A、125℃における VF 比較 PFC ＋3.3V 45V ショットキー＋5V SBR30U30CT 340mV ＋12V 350mV フォワード損失比較 3.3V 10A 250W 電源出力 3.3V 10A 5V 20A 型名合計 45V ショットキー 4.9W 9.8W 14.7W SBR30U30CT 3.0W 6.0W 9.0W 450mV 550mV 5V 20A 45V ショットキー合計電力削減：5.7W 効率改善：2.3％ SBR30U30CT 0 削減電力 5.7W 550mV 従来のショットキーよりも 38％VF 低が低減！ 3 6 9 12 15（W） ◆ Diodes社オリジナルパッケージ＋SBR® Diodes社の優れたパッケージング技術とSBR®技術によって、アプリケーションの更なる高効率化を実現させます。 ● 超低背！PowerDI®パッケージリードフレームとダイを金ワイヤで接続する通常の構造と異なり、金ワイヤの代わりに銅板を用い、可能な— 限り放熱性を向上させたDiodes社独自の特許パッケージです。通常のパッケージ PowerDI® 銅板でリードフレーム、ダイ間を接続　→　低背パッケージを実現！リードフレーム全体を放熱板として利用　→　電力損失を抑え、熱特性向上、効率アップ！ PowerDI®323 PowerDI®123 6.7mm2 3.1mm2 SOD123 5.7mm2 SOD-123 よりも45% PCB面積を削減・許容損失 750 mW ・RθJA = 175ºC/W ・パッケージ高さ Max 0.7mm PowerDI®5 SMA 16.2mm2 SMA よりも59% PCB面積を削減・許容損失 1W ・RθJA = 125ºC/W ・パッケージ高さ Max 1.0mm 26.0m2 SMC 50.0mm2 SMC よりも48% PCB面積を削減・許容損失 1.4W ・RθJA = 85ºC/W ・パッケージ高さ Max 1.15mm ● 熱抵抗が低い！ITO220Sパッケージダイと放熱板を絶縁させることにより、TO220パッケージとITO220パッケージの両方の特性を併せ持ったパッケージです。サーコンシートが不要で、絶縁部に関しては、AC4000Vの絶縁試験を合格し、UL1557に準拠しております。 9