MCP87022 - Microchip

注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください。最新情報は必ずオリジ
ナルの英語版をご参照願います。
MCP87022
高速 N チャンネルパワー MOSFET
特長
概要
• ドレイン - ソース間 ON 抵抗 (RDS(ON)) が低い
• ゲート電荷量 (QG) とゲート - ドレイン間電荷量
(QGD) が低い
• 直列ゲート抵抗 (RG) が低い
• 高速スイッチング
• 短いデッドタイムで動作可能
• ROHS 準拠
MCP87022は使いやすいPDFN 5 mm x 6 mmパッケー
ジの N チャンネルパワー MOSFET です。先進のパッ
ケージングおよびシリコン処理技術により、
MCP87022 は RDS(ON) に対する QG を低く抑え、低
FOM (Figure of Merit) を達成しています。低 RG で低
FOM の MCP87022 は、スイッチング損失と伝導損失
が低い高効率電力変換を可能にします。
アプリケーション
• POL (Point Of Load) DC/DC コンバータ
• サーバ、ネットワーク、車載アプリケーションの
高効率電源管理
パッケージタイプ
PDFN 5 x 6
S 1
8 D
S 2
7 D
S 3
6 D
G 4
5 D
製品概要表 : 明記のない限り TA = +25 ℃とする
パラメータ
記号
Min
ドレイン - ソース間電圧
BVDSS
25
—
—
V
VGS = 0 V, ID = 250 µA
ゲートしきい値電圧
VGS(TH)
1
1.3
1.6
V
VDS = VGS, ID = 250 µA
ドレイン - ソース間 ON 抵抗
RDS(ON)
—
2.2
2.6
mΩ
—
1.9
2.3
mΩ
VGS = 10 V, ID = 25 A
ゲート電荷量
QG
—
25.5
29
nC
VDS = 12.5 V, ID = 25 A, VGS = 4.5 V
ゲート - ドレイン間電荷量
QGD
—
9
—
nC
VDS = 12.5 V, ID = 25 A
RG
—
1.3
—
Ω
—
熱抵抗 (Junction-to-X)
RθJX
—
—
56
℃ /W Note 1
熱抵抗 (Junction-to-Case)
RθJC
—
—
1.6
℃ /W Note 2
Typ Max
単位
条件
動作特性
ゲート抵抗
VGS = 4.5 V, ID = 25 A
温度特性
Note 1:
2:
RθJX は、4 層 FR4 プリント基板に 2 オンス銅の 1”x 1”パターンを使って表面実装したデバイスでの値
です。この特性は実際の基板設計によって異なります。
RθJC は、JEDEC 51-14 規格に準拠して求めた値です。この特性は規格で定められた基板での値です。
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DS25133B_JP - p. 1
MCP87022
1.0
電気的特性
† 注 : 上記の「最大定格」を超える条件は、デバイス
に恒久的な損傷を生じる可能性があります。これはス
トレス定格です。本仕様書の動作表に示す条件または
上記から外れた条件でのデバイスの運用は想定してい
ません。長期間にわたる最大定格条件での動作や保管
は、デバイスの信頼性に影響する可能性があります。
絶対最大定格†
VDS ......................................................................+25 V
VGS ......................................................... +10.0 V / -8 V
ID、連続 .........................................100 A, TC = +25 ℃
PD ................................................... 2.2 W, TA = +25 ℃
TJ, TSTG................................................. -55 ～ +150 ℃
EAS アパランシェエネルギ ............................. 450 mJ
ID = 30A, L = 1 mH, RG = 25 Ω
電気的特性
電気的特性 : 明記のない限り TA = +25 ℃とする
パラメータ
記号
Min
Typ
Max
単位
条件
BVDSS
25
—
—
V
ドレイン遮断電流
IDSS
—
—
1
µA
VGS = 0 V, VDS = 20 V
ゲート漏れ電流
IGSS
—
—
100
nA
VDS = 0 V, VGS = 10 V/-8 V
VDS = VGS, ID = 250 µA
静特性
ドレイン - ソース間電圧
ゲートしきい値電圧
VGS(TH)
1
1.3
1.6
V
ドレイン - ソース間 ON 抵抗
RDS(ON)
—
2.2
2.6
mΩ
VGS = 0 V, ID = 250 µA
VGS = 4.5 V, ID = 25 A
—
1.9
2.3
mΩ
gfs
—
155
—
S
VDS = 12.5 V, ID = 25 A
入力容量
CISS
—
2310
—
pF
VGS = 0 V, VDS = 12.5 V, f = 1 MHz
出力容量
COSS
—
1080
—
pF
VGS = 0 V, VDS = 12.5 V, f = 1 MHz
帰還容量
CRSS
—
285
—
pF
VGS = 0 V, VDS = 12.5 V, f = 1 MHz
ゲート電荷量
QG
—
25.5
29
nC
VDS = 12.5 V, ID = 25 A,
VGS = 4.5 V
ゲート - ドレイン間電荷量
QGD
—
9
—
nC
VDS = 12.5 V, ID = 25 A
ゲート - ソース間電荷量
QGS
—
4.5
—
nC
VDS = 12.5 V, ID = 25 A
VGS(TH) におけるゲート電荷量
QG(TH)
—
3.3
—
nC
VDS = 12.5 V, ID = 25 A
出力電荷量
QOSS
—
21
—
nC
VDS = 12.5 V, VGS = 0
ターンオン時間
td(on)
—
7.6
—
ns
VDS = 12.5 V, VGS = 4.5 V,
ID = 25 A, RG = 2 Ω
tr
—
27
—
ns
VDS = 12.5 V, VGS = 4.5 V,
ID = 25A, RG = 2 Ω
td(off)
—
21
—
ns
VDS = 12.5 V, VGS = 4.5 V,
ID = 25 A, RG = 2 Ω
tf
—
17
—
ns
VDS = 12.5 V, VGS = 4.5 V,
ID = 25 A, RG = 2 Ω
RG
—
1.3
—
Ω
トランスコンダクタンス
VGS = 10 V, ID = 25 A
動特性
上昇時間
ターンオフ時間
下降時間
ゲート抵抗
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MCP87022
電気的特性 ( 続き )
電気的特性 : 明記のない限り TA = +25 ℃とする
パラメータ
記号
Min
Typ
ダイオード順方向電圧
VFD
—
0.8
1
V
逆回復電荷量
QRR
—
39
—
nC
IS = 25 A, di/dt = 300 A/µs
trr
—
22
—
ns
IS = 25 A, di/dt = 300 A/µs
EAS
200
—
—
mJ
ID = 20 A, L = 1 mH,
RG = 25 Ω
記号
Min
Typ
Max
単位
動作時接合部温度レンジ
TJ
-55
—
150
℃
保管温度レンジ
TA
-55
—
150
℃
熱抵抗 (Junction-to-X、8 ピン 5x6-PDFN)
RθJX
—
—
56
℃ /W
Note 1
熱抵抗 (Junction-to-Case、8 ピン 5x6-PDFN)
RθJC
—
—
1.6
℃ /W
Note 2
Max
単位
条件
ダイオード特性
逆回復時間
IS = 25 A, VGS = 0 V
アパランシェ特性
アパランシェエネルギ
温度特性
電気的特性 : 明記のない限り TA = +25 ℃とする
パラメータ
条件
温度レンジ
パッケージ熱抵抗
Note 1:
2:
RθJX は、4 層 FR4 プリント基板に 2 オンス銅の 1”x 1”パターンを使って表面実装したデバイスでの値
です。この特性は実際の基板設計によって異なります。
RθJC は、JEDEC 51-14 規格に準拠して求めた値です。この特性は規格で定められた基板での値です。
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DS25133B_JP - p. 3
MCP87022
代表的な性能データ
2.0
以下の図表は限られたサンプル数に基づく統計的な結果であり、情報の提供のみを目的としています。こ
こに記載した性能特性は検証されておらず保証されません。以下の図表の一部には、仕様の動作レンジ
外で計測されたデータ ( 例 : 仕様レンジ外の電源を使用 ) が含まれている可能性があり、それらのデータ
は保証範囲外です。
Note:
Note: 明記のない限り TA = +25 ℃とする
ID - Drain Current (A)
70
Normalized On-State Resistance
80
VGS = 10V
60
VGS = 4.5V
50
VGS = 3V
40
30
VGS = 2.5V
20
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
80
1
0.8
0.6
0.4
60
50
40
TC = +25°C
30
TC = +125°C
20
TC = -55°C
10
0
1.5
1.75
2
2.25
2.5
2.75
8
VDS = 5V
7
VDS = 12.5V
6
5
4
3
2
1
0
3
0
伝達特性 (typical)
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
QG - Gate Charge (nC)
4.5
ID = 25A
9
f = 1 MHz
VGS = 0V
4
8
C - Capacitance (nF)
RDS(ON) - On-State Resistance (mΩ)
5
図 2-5: ゲート電荷量に対するゲート-ソース間電圧
10
7
6
5
4
TC = +125°C
3
2
TC = +25°C
1
3.5
3
CISS
2.5
2
1.5
COSS
1
0.5
0
図 2-3:
20 40 60 80 100 120 140 160
ID = 25A
9
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
図 2-2:
0
温度に対する ON 抵抗
10
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
ID - Drain Current (A)
ID - Drain Current (A)
1.2
図 2-4:
VDS = 5V
1.25
1.4
TC - Case Temperature (°C)
70
1
ID = 25A
VGS = 4.5V
1.6
-60 -40 -20
0.8
出力特性 (typical)
図 2-1:
1.8
CRSS
0
0
2
4
6
8
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
10
ゲート - ソース間電圧に対する ON 抵抗
DS25133B_JP - p. 4
0
5
10
15
20
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
図 2-6:
ドレイン - ソース間電圧に対する容量
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MCP87022
1.7
120
ID = 250 µA
100
ID - Drain Current (A)
VGS(TH) - Gate-to-Source Threshold
Voltage (V)
Note: 明記のない限り TA = +25 ℃とする
1.5
1.3
1.1
0.9
VGS = 10V
80
VGS = 4.5V
60
40
20
0.7
0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0
25
50
TC - Case Temperature (°C)
温度に対するゲートしきい値電圧
125
150
100
1
10
1
TC = +25°C
TC = +125°C
0.1
0.01
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.1
DC = 0.5
DC = 0.3
DC = 0.1
DC = 0.05
DC = 0.02
DC = 0.01
Single Pulse
0.01
0.001
0.001
1.0
0.1
10
t1 - Pulse Duration (s)
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
ソース - ドレイン間電圧に対するソース
- ドレイン間電流
図 2-8:
100
1 ms
10 ms
100 ms
1
1s
0.1
RθJA = 56 °C/W
Single Pulse
0.01
0.01
図 2-9:
0.1
1
10
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
安全動作領域
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DC
100
IAS - Avalanche Current (A)
100
Operation in this range is
limited by RDS(on)
10
1000
図 2-11: 過渡熱インピーダンス
1000
ID - Drain Current (A)
100
図 2-10: 温度に対する最大ドレイン電流
ZqJA - Normalized Thermal
Impedance
ISD - Source-to-Drain Current (A)
ISD - Source-to-Drain Current (A)
図 2-7:
75
TC - Case Temperature (˚C)
1
0.01
TC = +25°C
TC = +150°C
10
0.1
1
10
100
tAV - Avalanche Time (ms)
図 2-12: 単発パルス安全動作領域
DS25133B_JP - p. 5
MCP87022
BR(DSS)
VBR(DSS)
- Breakdown
Voltage
(V) (V)
V
- Breakdown
Voltage
Note: 明記のない限り TA = +25 ℃とする
30
ID = 250 µA
29
28
27
26
25
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TC - Case Temperature(°C)
図 2-13: 温度に対するドレイン－ソース間電圧
DS25133B_JP - p. 6
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MCP87022
3.0
ピンの説明
ピンの機能を表 3-1 に示します。
表 3-1:
ピン割り当て表
MCP87022
5x6 PDFN
記号
概要
1、2、3
4
S
ソースピン
G
ゲートピン
5, 6, 7, 8
D
ドレインピン ( 露出サーマルパッドを含む )
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DS25133B_JP - p. 7
MCP87022
4.0
パッケージ情報
4.1
パッケージのマーキング情報
8 ピン PDFN (5x6x1.0 mm)
NNN
PIN 1
例
87022
U/MF e
^^3
1219
256
PIN 1
*EU-RoHS 適用除外項目 : 7(a) - 高融点はんだに含まれる鉛 ( 鉛の重量含有率が 85% 以上の鉛合金 )
を使った RoHs 準拠製品である事を外箱に表記しています。
凡例 :
XX...X
Y
YY
WW
NNN
e3
*
Note:
DS25133B_JP - p. 8
お客様固有情報
年コード ( 西暦の下 1 桁 )
年コード ( 西暦の下 2 桁 )
週コード (1 月の第 1 週を「01」とする )
英数字のトレーサビリティコード
つや消し錫 (Sn) の使用を示す鉛フリー JEDEC マーク
このパッケージは鉛フリーです。鉛フリー JEDC マーク ( e3 )
は外箱に表記しています。
マイクロチップ社の製品番号が 1 行に収まりきらない場合は複数行を使いま
す。この場合お客様固有情報に使える文字数が制限されます。
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MCP87022
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DS25133B_JP - p. 9
MCP87022
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MCP87022
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MCP87022
NOTE:
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MCP87022
補遺 A:
改訂履歴
リビジョン B (2012 年 11 月 )
• 「電気的特性」内の「絶対最大定格†」を更新
リビジョン A (2012 年 9 月 )
• 本書の初版
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DS25133B_JP - p. 13
MCP87022
製品識別システム
ご注文または製品の価格や納期につきましては、弊社または各地の営業所までお問い合わせください。
製品番号
X
デバイス
温度
レンジ
/XX
パッケージ
デバイス :
MCP87022T:
温度レンジ :
U
パッケージ :
MF = High Power Dual Flatpack,、鉛フリーパッケージ
(5x6x1.0 mm ボディ ) (PDFN)、8 ピン
例:
a)
MCP87022T-U/MF:
テープ & リール、
超高温、
8 ピン PDFN パッケージ
N チャンネルパワー MOSFET ( テープ & リール )
= -55 ～ +150 ℃ ( 超高温 )
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マイクロチップ社製デバイスのコード保護機能に関して次の点にご注意ください。
•
マイクロチップ社製品は、該当するマイクロチップ社データシートに記載の仕様を満たしています。
•
マイクロチップ社では、通常の条件ならびに仕様に従って使用した場合、マイクロチップ社製品のセキュリティレベルは、現
在市場に流通している同種製品の中でも最も高度であると考えています。
•
しかし、コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在する事もまた事実です。弊社の理解ではこうした手法は、
マイクロチップ社データシートにある動作仕様書以外の方法でマイクロチップ社製品を使用する事になります。このような行
為は知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。
•
マイクロチップ社は、コードの保全性に懸念を抱くお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。
•
マイクロチップ社を含む全ての半導体メーカーで、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。コー
ド保護機能とは、マイクロチップ社が製品を「解読不能」として保証するものではありません。
コード保護機能は常に進歩しています。マイクロチップ社では、常に製品のコード保護機能の改善に取り組んでいます。マイクロ
チップ社のコード保護機能の侵害は、デジタルミレニアム著作権法に違反します。そのような行為によってソフトウェアまたはそ
の他の著作物に不正なアクセスを受けた場合は、デジタルミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利が
本書に記載されているデバイスアプリケーション等に関する
情報は、ユーザの便宜のためにのみ提供されているものであ
り、更新によって無効とされる事があります。お客様のアプ
リケーションが仕様を満たす事を保証する責任は、お客様に
あります。マイクロチップ社は、明示的、暗黙的、書面、口
頭、法定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている
情報に関して、状態、品質、性能、商品性、特定目的への適
合性をはじめとする、いかなる類の表明も保証も行いません。
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商標
マイクロチップ社の名称とMicrochipロゴ、
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KEELOQ、KEELOQ ロゴ、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、
PIC32 ロゴ、rfPIC、SST、SST ロゴ、SuperFlash、UNI/O は、
米国およびその他の国におけるマイクロチップ・テクノロ
ジー社の登録商標です。
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MTP、SEEVAL、Embedded Control Solutions Company は、
米国におけるマイクロチップ・テクノロジー社の登録商標で
す。
Silicon Storage Technology は、その他の国におけるマイクロ
チップ・テクノロジー社の登録商標です。
Analog-for-the-Digital Age、Application Maestro、BodyCom、
chipKIT、chipKIT
ロゴ、CodeGuard、dsPICDEM、
d s P I C D E M . n e t 、d s P I C w o r k s 、d s S P E A K 、E C A N 、
ECONOMONITOR、FanSense、HI-TIDE、In-Circuit Serial
Programming、ICSP、Mindi、MiWi、MPASM、MPF、MPLAB
認証ロゴ、MPLIB、MPLINK、mTouch、Omniscient Code
Generation、PICC、PICC-18、PICDEM、PICDEM.net、PICkit、
PICtail、REAL ICE、rfLAB、Select Mode、SQI、Serial Quad
I/O、Total Endurance、TSHARC、UniWinDriver、WiperLock、
ZENA、Z-Scale は、米国およびその他の国におけるマイクロ
チップ・テクノロジー社の登録商標です。
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ジー社の子会社 ) の登録商標です。
その他、本書に記載されている商標は各社に帰属します。
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てカリフォルニア州とインドのデザインセンターが
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ムプロセスおよび手順は、PIC® MCU および dsPIC® DSC、KEELOQ®
コードホッピングデバイス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェ
ラル、不揮発性メモリ、アナログ製品に採用されています。さらに、
開発システムの設計と製造に関するマイクロチップ社の品質システ
ムは ISO 9001:2000 認証を取得しています。
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アジア / 太平洋
アジア / 太平洋
ヨーロッパ
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Fax:852-2401-3431
インド - バンガロール
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Fax:91-80-3090-4123
オーストリア - ヴェルス
Tel:43-7242-2244-39
インド - ニューデリー
Tel:91-11-4160-8631
Fax:91-11-4160-8632
デンマーク - コペンハーゲン
Tel:45-4450-2828
Fax:45-4485-2829
インド - プネ
Tel:91-20-2566-1512
Fax:91-20-2566-1513
フランス - パリ
Tel:33-1-69-53-63-20
Fax:33-1-69-30-90-79
アトランタ
Duluth, GA
Tel:678-957-9614
Fax:678-957-1455
中国 - 北京
Tel:86-10-8569-7000
Fax:86-10-8528-2104
日本 - 大阪
Tel:81-6-6152-7160
Fax:81-6-6152-9310
ドイツ - ミュンヘン
Tel:49-89-627-144-0
Fax:49-89-627-144-44
日本 - 東京
Tel:81-3-6880- 3770
Fax:81-3-6880-3771
イタリア - ミラノ
Tel:39-0331-742611
Fax:39-0331-466781
韓国 - 大邱
Tel:82-53-744-4301
Fax:82-53-744-4302
オランダ - ドリューネン
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韓国 - ソウル
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DS25133B_JP - p. 16
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