Data Sheet 4V駆動タイプ Nch + Pch MOSFET SP8M51 構造シリコンNチャネルMOS型電界効果トランジスタ/ シリコンPチャネルMOS型電界効果トランジスタ 外形寸法図 (Unit : mm) SOP8  特長 1) 新ライン採用により、従来品よりオン抵抗大幅低減 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ(SOP8)で省スペース (8) (5) (1) (4)  用途スイッチング  包装仕様 Type 内部回路図包装名記号テーピング (8) 基本発注単位（個） SP8M51 2500 ○  絶対最大定格 (Ta = 25C) Parameter Symbol ドレイン・ソース間電圧 VDSS ゲート・ソース間電圧 VGSS ドレイン電流ソース電流 (内部ダイオード) 許容損失チャネル部温度保存温度 (7) (6) (5) TB Limits Tr1 : N-ch Tr2 : P-ch 100 100 ±20 ±20 Unit ID 3.0 2.5 A IDP Is *1 12 1.0 10 1.0 A A パルス Isp *1 12 PD Tch Tstg ∗2 ∗2 ∗1 (1) ∗1 (2) (3) (4) ∗1 静電気保護用ダイオード ∗2 内部ダイオード V パルス直流 10 ソースゲートソースゲートドレインドレインドレインドレイン V 直流 *2 (1) Tr1 (2) Tr1 (3) Tr2 (4) Tr2 (5) Tr2 (6) Tr2 (7) Tr1 (8) Tr1 A 2.0 W/トータル 1.4 150 55～150 W/素子 C C *1 Pw≦10s, Duty cycle≦1% *2 セラミック基板実装時 www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/10 2011.02 - Rev.A Data Sheet SP8M51  電気的特性 (Ta = 25C) <Tr1(Nch)> Parameter ゲート漏れ電流ドレイン・ソース降伏電圧ドレイン遮断電流ゲートしきい値電圧ドレイン・ソース間オン抵抗順方向アドミタンス Symbol Min. Typ. Max. Unit IGSS - - ±10 A VGS=±20V, VDS=0V V (BR)DSS 100 - - V ID=1mA, VGS=0V IDSS - - 1 A VDS=100V, VGS=0V VGS (th) 1.0 - 2.5 V - 120 170 * RDS (on) ID=3.0A, VGS=10V - 130 180 m ID=3.0A, VGS=4.5V - 135 190 l Yfs l * 3.5 - - S VDS=10V, ID=3.0A Conditions VDS=10V, ID=1mA ID=3.0A, VGS=4.0V 入力容量 Ciss - 610 - pF VDS=25V 出力容量 Coss - 55 - pF VGS=0V 帰還容量 Crss - 35 - pF f=1MHz ターンオン遅延時間 td(on)* - 13 - ns ID=1.5A, VDD tr * - 13 - ns VGS=10V td(off)* - 50 - ns RL=33 tf * - 14 - ns RG=10 Qg * - 8.5 - nC ID=3.0A ゲート・ソース間電荷量 Qgs * - 1.8 - nC VDD ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd * - 3.5 - nC VGS=5V 上昇時間ターンオフ遅延時間降下時間ゲート総電荷量 50V 50V *パルス  内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta = 25C) Parameter 順方向電圧 Symbol VSD * Min. Typ. Max. Unit - - 1.2 V Conditions Is=3.0A, VGS=0V *パルス www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/10 2011.02 - Rev.A Data Sheet SP8M51  電気的特性 (Ta = 25C) <Tr2(Pch)> Symbol Min. Typ. Max. Unit IGSS - - ±10 A VGS=±20V, VDS=0V V (BR)DSS 100 - - V ID=1mA, VGS=0V - 1 A VDS=100V, VGS=0V 1.0 - 2.5 V - 210 290 * RDS (on) - 230 320 - 240 340 l Yfs l* 3.5 - - S ID=2.5A, VDS=10V 入力容量 Ciss - 1550 - pF VDS=25V 出力容量 Coss - 65 - pF VGS=0V 帰還容量 Crss - 40 - pF f=1MHz ターンオン遅延時間 td(on)* - 15 - ns ID=1.25A, VDD 50V tr * - 13 - ns VGS=10V td(off)* - 75 - ns RL=50 tf * - 19 - ns RG=10 Qg * - 12.5 nC ID=2.5A ゲート・ソース間電荷量 Qgs * - 3.8 - nC VDD 50V ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd * - 3.2 - nC VGS=5V Parameter ゲート漏れ電流ドレイン・ソース降伏電圧ドレイン遮断電流ゲートしきい値電圧ドレイン・ソース間オン抵抗順方向アドミタンス上昇時間ターンオフ遅延時間降下時間ゲート総電荷量 IDSS VGS (th) Conditions VDS=10V, ID=1mA ID=2.5A, VGS=10V m ID=1.25A, VGS=4.5V ID=1.25A, VGS=4.0V *パルス  内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta = 25C) Parameter 順方向電圧 Symbol VSD * Min. Typ. Max. Unit - - 1.2 V Conditions Is=2.5A, VGS=0V *パルス www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/10 2011.02 - Rev.A Data Sheet SP8M51 l電気的特性曲線 (Ta=25C) <TR1(Nch)> Fig.1 Typical Output Characteristics(Ⅰ) Fig.2 Typical Output Characteristics(Ⅱ) 3 3 VGS= 10V VGS= 4.5V VGS= 4.0V 2 Ta=25°C Pulsed 2.5 DRAIN CURRENT : ID[A] DRAIN CURRENT : ID[A] 2.5 VGS= 3.0V 1.5 VGS= 2.4V 1 0.5 0 VGS= 2.4V 2 VGS= 10V VGS= 4.5V VGS= 4.0V 1.5 1 VGS= 3.0V 0.5 0 0.2 0.4 0.6 0.8 0 1 Ta=25°C Pulsed 0 2 10 STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] DRAIN CURRENT : ID[A] 1 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 0.1 0.01 10 0 1 2 Ta=25°C Pulsed 100 VGS= 4.0V VGS= 4.5V VGS= 10V 10 3 . 0.01 0.1 GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS[V] 1000 STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] 100 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 1 VGS= 4.5V Pulsed 100 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 10 10 DRAIN-CURRENT : ID[A] www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10 Fig.6 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅲ) 1000 VGS= 10V Pulsed 0.1 1 DRAIN-CURRENT : ID[A] Fig.5 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅱ) STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] 8 1000 VDS= 10V Pulsed 10 6 Fig.4 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅰ) Fig.3 Typical Transfer Characteristics 0.001 4 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V] DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V] 0.1 1 10 DRAIN-CURRENT : ID[A] 4/10 2011.02 - Rev.A Data Sheet SP8M51 Fig.7 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅳ) Fig.8 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current 10 1000 FORWARD TRANSFER ADMITTANCE : |Yfs| [S] STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] VGS= 4.0V Pulsed 100 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 10 0.1 1 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 0.1 Fig.9 Reverse Drain Current vs. Sourse-Drain Voltage Fig.10 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate Source Voltage 300 STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(ON)[mΩ] 1 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 0.1 0 0.5 1 Ta=25°C Pulsed ID= 1.5A 250 ID= 3.0A 200 150 100 50 0 1.5 0 2 4 6 8 10 GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS[V] Fig.11 Switching Characteristics Fig.12 Dynamic Input Characteristics 10 10000 tf 1000 GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS [V] Ta=25°C VDD=50V VGS=10V RG=10Ω Pulsed td(off) 100 td(on) 10 8 6 4 Ta=25°C VDD= 50V ID= 3.0A RG=10Ω Pulsed 2 tr 1 10 DRAIN-CURRENT : ID[A] SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD [V] SWITCHING TIME : t [ns] 1 DRAIN-CURRENT : ID[A] VGS=0V Pulsed SOURCE CURRENT : Is [A] 1 0.1 0.01 10 10 0.01 VDS= 10V Pulsed 0.01 0.1 1 0 10 www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC] DRAIN-CURRENT : ID[A] 5/10 2011.02 - Rev.A Data Sheet SP8M51 Fig.13 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage Fig.14 Maximum Safe Operating Aera 10000 100 Operation in this area is limited by RDS(ON) (VGS=10V) 1000 DRAIN CURRENT : ID (A) CAPACITANCE : C [pF] Ciss 100 Crss Coss 10 1 10 PW =100us 1 PW =1ms 0.1 Ta=25°C f=1MHz VGS=0V 0.01 PW = 10ms Ta=25°C Single Pulse Mounted on a ceramic board. 0.1 1 10 0.01 100 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V] DC operation (30mm × 30mm × 0.8mm) 0.1 1 10 100 1000 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V] Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width NORMARIZED TRANSIENT THERMAL RESISTANCE : r (t) 10 Ta=25°C Single Pulse 1 0.1 0.01 0.001 0.0001 Mounted on a ceramic board. (30mm × 30mm × 0.8mm) Rth(ch-a)=89.3°C/W Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a) 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 PULSE WIDTH : Pw(s) www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/10 2011.02 - Rev.A Data Sheet SP8M51 <TR2(Pch)> Fig.1 Typical Output Characteristics(Ⅰ) Fig.2 Typical Output Characteristics(Ⅱ) 2.5 2.5 Ta=25°C Pulsed VGS= -10V VGS= -4.5V VGS= -4.0V VGS= -3.0V 1.5 1 VGS= -2.5V 0.5 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 1 VGS= -2.5V 0 2 6 8 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V] Fig.3 Typical Transfer Characteristics Fig.4 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅰ) 10 1000 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 0.1 100 0.01 0 Ta=25°C Pulsed STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] 1 1 2 10 3 VGS= -4.0V VGS= -4.5V VGS= -10V 0.1 1 GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V] Fig.6 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅲ) 1000 1000 100 100 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 1 10 10 DRAIN-CURRENT : -ID[A] www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. VGS= -4.5V Pulsed STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] VGS= -10V Pulsed 0.1 10 DRAIN-CURRENT : -ID[A] Fig.5 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅱ) 10 4 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V] VDS= -10V Pulsed DRAIN CURRENT : -ID[A] 1.5 0.5 10 0.001 VGS= -10V VGS= -4.5V VGS= -4.0V VGS= -3.0V 2 DRAIN CURRENT : -ID[A] DRAIN CURRENT : -ID[A] 2 Ta=25°C Pulsed Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 0.1 1 10 DRAIN-CURRENT : -ID[A] 7/10 2011.02 - Rev.A Data Sheet SP8M51 Fig.7 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅳ) Fig.8 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current 10 FORWARD TRANSFER ADMITTANCE : |Yfs| [S] STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] 1000 VGS= -4.0V Pulsed Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 100 10 0.1 1 VDS= -10V Pulsed 1 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 0.1 0.01 10 0.1 DRAIN-CURRENT : -ID[A] Fig.9 Reverse Drain Current vs. Sourse-Drain Voltage 500 1 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 0.1 0 0.5 1 400 300 200 100 0 1.5 ID= -2.50A 0 5 10 15 GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V] SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -VSD [V] Fig.11 Switching Characteristics Fig.12 Dynamic Input Characteristics 10 10000 Ta=25°C VDD= -50V VGS= -10V RG=10Ω Pulsed tf 1000 GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS [V] td(off) SWITCHING TIME : t [ns] Ta=25°C Pulsed ID= -1.25A STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(ON)[mΩ] SOURCE CURRENT : -Is [A] VGS=0V Pulsed 100 td(on) 10 8 6 4 Ta=25°C VDD= -50V ID= -2.5A RG=10Ω Pulsed 2 tr 1 10 Fig.10 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate Source Voltage 10 0.01 1 DRAIN-CURRENT : -ID[A] 0.01 0.1 1 0 10 DRAIN-CURRENT : -ID[A] www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 0 5 10 15 20 25 30 TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC] 8/10 2011.02 - Rev.A Data Sheet SP8M51 Fig.13 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage Fig.14 Maximum Safe Operating Aera 10000 100 Ciss Operation in this area is limited by RDS(ON) (VGS=-10V) DRAIN CURRENT : -ID (A) CAPACITANCE : C [pF] Ta=25°C f=1MHz VGS=0V 1000 Coss 100 10 PW =100us 1 0.1 0.01 0.1 PW = 10ms Ta=25°C Single Pulse Crss 10 PW =1ms Mounted on a ceramic board. 1 10 0.01 100 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V] DC operation (30mm × 30mm × 0.8mm) 0.1 1 10 100 1000 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V] Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width 10 NORMARIZED TRANSIENT THERMAL RESISTANCE : r (t) Ta=25°C Single Pulse 1 0.1 0.01 0.001 0.0001 Mounted on a ceramic board. (30mm × 30mm × 0.8mm) Rth(ch-a)=89.3°C/W Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a) 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 PULSE WIDTH : Pw(s) www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/10 2011.02 - Rev.A Data Sheet SP8M51  測定回路図 <Tr1(Nch)> Pulse width VGS ID VDS 90% 50% 10% VGS VDS RL 50% 10% D.U.T. VDD RG 10% 90% td(on) 90% td(off) tr tf ton Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit toff Fig.1-2　Switching Waveforms VG VGS ID VDS Qg RL VGS D.U.T. IG(Const.) Qgs Qgd VDD Charge Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform <Tr2(Pch)> Pulse Width VGS ID VDS VGS 10% 50% 90% RL 50% 10% D.U.T. 10% RG VDD VDS 90% td(on) tr ton 90% td(off) tf toff Fig.3-2　Switching Waveforms Fig.3-1 Switching Time Measurement Circuit VG ID VDS VGS RL IG(Const.) D.U.T. Qg VGS Qgs Qgd VDD Charge Fig.4-1 Gate Charge Measurement Circuit www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Fig.4-2 Gate Charge Waveform 10/10 2011.02 - Rev.A Notice ご注意本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必ずご請求のうえ、ご確認ください。本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームはその責任を負うものではありません。本資料に掲載されております製品は、一般的な電子機器（A V 機器、O A 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。本資料に掲載されております製品は、「耐放射線設計」はなされておりません。ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、種々の要因で故障することもあり得ます。ローム製品が故障した際、その影響により人身事故、火災損害等が起こらないようご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命を脅かしあるいは人体に危害を及ぼすおそれのある機器・装置・システム（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を意図して設計・製造されたものではありません。上記特定用途に使用された場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。上記特定用途への使用を検討される際は、事前にローム営業窓口までご相談願います。本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品または技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。ローム製品のご検討ありがとうございます。より詳しい資料やカタログなどご用意しておりますので、お問合せください。 ROHM Customer Support System http://www.rohm.co.jp/contact/ www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. 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