ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ (C1) 3 94 80 ± 0 .2 5 12 11 2 1 7(G2) 6(E2) 2-Ø 5.5 12 7 6 3 12 (E2) 2 11 4 12 3-M5 23 23 7 7 16 17 4-fasten tab #110 t= 0.5 16 .0 30 +1 - 0 .5 8 16 35 □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ (C2E1) 1 ＰＲＨＭＢ１００Ｅ６ １００Ａ，６００Ｖ 6 23 LABEL Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ ６００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ １００ ２００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ４００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） Ｆｔｏｒ ２ ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 100A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 100mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 5,000 － ｐＦ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= － － － － ０.１５ ０.２５ ０.１０ ０.３５ ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ μｓ 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent 300V 3.0Ω 8.2Ω ±15V ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ １００ ２００ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 100A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 100A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 200A/μs － ０.１５ ０.２５ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.３１ ０.６５ Ｕｎｉｔ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） ℃／Ｗ 00 日本インター株式会社 http://store.iiic.cc/ ＰＲＨＭＢ１００Ｅ６ Fig.1- Output Characteristics (Typical) VGE=20V VGE=20V Collector Current I C (A) 120 100 10V 80 60 15V 160 11V 140 9V 11V 140 120 10V 100 80 9V 60 40 40 8V 20 0 0 1 2 3 4 8V 20 0 5 0 1 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 200A 100A 12 10 8 6 4 2 0 4 8 12 16 IC=50A 14 100A 10 8 6 4 2 0 4 8 16 VGE=0V f=1MHZ T C=25°C 14 10 VCE =300V 200 8 200V 150 6 100V 100 4 10000 Capacitance C (pF) 12 250 20 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 30000 16 300 Cies 3000 Coes 1000 Cres 300 2 50 0 12 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 350 200A 12 0 20 Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) RL =3.0( TC=25°C 5 T C=125°C Gate to Emitter Voltage VGE (V) 400 4 16 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) IC=50A 14 3 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 16 2 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 0 12V 180 15V 160 T C=125°C 200 12V 180 Collector Current I C (A) Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 200 0 100 200 300 0 400 100 0.1 Total Gate Charge Qg (nC) 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 http://store.iiic.cc/ ＰＲＨＭＢ１００Ｅ６ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.6 tf 0.4 2 tON 0.2 0 1 0.5 toff 0.2 ton tr(V CE) 0.1 tf 0.05 tr(VCE) 0 VCC=300V IC=100A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 5 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) 10 VCC=300V RG=8.2 ( VGE=±15V T C=25°C Resistive Load tOFF 0.8 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 25 50 75 100 125 0.02 150 3 10 Collector Current IC (A) Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 tf tr(Ic) 2 0.01 0.001 0 25 50 75 100 125 VCC=300V IC=100A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 5 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) tON 0.1 10 VCC=300V RG=8.2 ( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load tOFF 1 0.5 toff 0.2 ton 0.1 tf 0.05 tr(IC ) 0.02 150 3 10 Collector Current IC (A) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss 100 300 Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss 300 VCC=300V RG=8.2( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 6 4 EON ERR 2 0 25 VCC=300V IC=100A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 100 EOFF 50 75 100 125 150 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 30 Series Gate Impedance RG (( ) 8 0 100 Series Gate Impedance RG (( ) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time 1 30 30 EON 10 EOFF 3 ERR 1 0.3 3 Collector Current IC (A) 10 30 100 Series Gate Impedance RG (( ) 00 日本インター株式会社 http://store.iiic.cc/ ＰＲＨＭＢ１００Ｅ６ Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) T C=25°C 1000 120 80 40 1 2 3 500 trr 200 100 50 20 5 2 4 IRrM 10 0 100 200 Forward Voltage VF (V) 300 400 500 600 -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 500 RG=8.2 ( , VGE=±15V, T C<125°C 200 100 Collector Current I C (A) 0 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0 200 400 600 800 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.16- Transient Thermal Impedance 3 Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Forward Current I F (A) 160 0 IF=100A T C=25°C T C=125°C T C=125°C Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 200 1 FRD IGBT 3x10 -1 1x10 -1 3x10 -2 1x10 -2 T C=25°C 3x10 -3 1 Shot Pulse 1x10 -3 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t (s) 00 日本インター株式会社 http://store.iiic.cc/
© Copyright 2024 ExpyDoc
