ＰＲＦＭＢ３００Ｅ６ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ ３００Ａ，６００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＲＦＭＢ３００Ｅ６Ｃ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 3-M6 108 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 4-Ø 6.5 94.0 80 ±0.25 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 1 7 3 2 6 25 9 16 3-M5 24 9 7 6 3 23.0 16 14 9 23.0 9 14 17.0 14 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 LABEL 7 7 23 LABEL 30 +1.0 - 0 .5 30 +1.0 - 0.5 8 16 25 2-Ø6.5 2 1 4 7(G2) 6(E2) 48.0 16.0 14.0 (C1) 3 6 48 ± 0 .2 5 (E2) 2 62 11 13 20 (C2E1) 1 PRFMB300E6 PRFMB300E6C Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ ６００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ３００ ６００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ １,０４０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 Ｆｔｏｒ ３（３０.６） PDMB3006 ３（３０.６） PDMB300E6Ｃ ３（３０.６） ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 300A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 300mA ４.０ － ８.０ Ｖ － 15,000 － ｐＦ － － － － ０.１５ ０.３０ ０.１０ ０.４０ ０.４０ ０.７５ ０.３５ ０.８０ μｓ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime 300V 1.0Ω 3.6Ω ±15V ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ３００ ６００ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 300A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 300A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 600A/μs － ０.１５ ０.２５ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.１２ ０.２４ Ｕｎｉｔ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） ℃／Ｗ 00 日本インター株式会社 http://store.iiic.cc/ ＰＲＦＭＢ３００Ｅ６ ＰＲＦＭＢ３００Ｅ６Ｃ Fig.2- Output Characteristics (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 600 VGE=20V VGE=20V 12V 15V 500 T C=125°C 600 12V 15V 500 400 300 10V 200 11V Collector Current I C (A) Collector Current I C (A) 11V 9V 400 100 300 10V 200 9V 100 8V 8V 0 0 1 2 3 4 0 5 0 1 T C=25°C Collector to Emitter Voltage V CE (V) 300A 10 8 6 4 2 4 8 12 16 IC=150A 14 300A 12 10 8 6 4 2 0 20 600A 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 16 RL =1.0( TC=25°C 350 12 250 10 VCE =300V 200 8 200V 150 6 100V 100 4 2 50 0 200 VGE=0V f=1MHZ T C=25°C 14 300 0 100000 400 600 800 1000 0 1200 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 600A 12 0 5 T C=125°C 16 30000 Cies Capacitance C (pF) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 16 0 4 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=150A 3 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage VCE (V) 14 2 10000 Coes 3000 Cres 1000 300 100 0.1 Total Gate Charge Qg (nC) 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 http://store.iiic.cc/ ＰＲＦＭＢ３００Ｅ６ ＰＲＦＭＢ３００Ｅ６Ｃ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 10 VCC=300V RG=4.7 ( VGE=±15V T C=25°C Resistive Load tOFF 0.6 tf 0.4 2 tON 0.2 0 100 200 300 400 0.2 tr(V CE) ton 0.1 0.02 500 tf 1 3 10 30 Fig.9- Collector Current vs. Switching Time Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 VCC=300V RG=4.7 ( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load tON tf tr(Ic) 0.01 100 VCC=300V IC=300A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 5 2 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) toff Series Gate Impedance RG (( ) tOFF 0.1 0.5 Collector Current IC (A) 10 1 1 0.05 tr(VCE) 0 VCC=300V IC=300A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 5 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) 0.8 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 1 0.5 toff 0.2 ton 0.1 tf 0.05 tr(IC ) 0.001 0 100 200 300 400 0.02 500 1 3 Collector Current IC (A) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss 100 1000 VCC=300V RG=4.7( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 30 EOFF EON 20 ERR 10 0 100 200 300 400 500 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 30 Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss 40 0 10 Series Gate Impedance RG (( ) VCC=300V IC=300A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 300 EON 100 EOFF 30 10 ERR 3 1 1 Collector Current IC (A) 3 10 30 100 Series Gate Impedance RG (( ) 00 日本インター株式会社 http://store.iiic.cc/ ＰＲＦＭＢ３００Ｅ６ ＰＲＦＭＢ３００Ｅ６Ｃ Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) T C=25°C Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 400 300 200 100 1 2 3 500 trr 200 100 50 IRrM 20 10 4 0 300 600 Forward Voltage VF (V) 900 1200 1500 1800 -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 2000 RG=4.7( , VGE=±15V, T C<125°C 1000 500 200 Collector Current I C (A) 0 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0 200 400 600 800 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.16- Transient Thermal Impedance 1 Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Forward Current I F (A) 500 0 IF=300A T C=25°C T C=125°C T C=125°C Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 600 3x10 -1 FRD IGBT 1x10 -1 3x10 -2 1x10 -2 T C=25°C 3x10 -3 1 Shot Pulse 1x10 -3 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t (s) 00 日本インター株式会社 http://store.iiic.cc/
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