コンビナトリアル手法を使った電子材料開発 Keyword : コンビナトリアル、半導体、酸化物、誘電体窒化物、on Si 研究の背景現在の集積回路の付加価値は微細化から新材料に移りつつあります。しかし、多様な材料を半導体基板上に堆積し、異種材料の界面を制御することは容易でありません。これまでにない、高速材料設計と材料合成が求められています。研究の狙い薄膜新材料を高速にスクリーニングする手法としてコンビナトリアル薄膜合成法を開発しました、それをつかってSi基板上の誘電体を含む各種酸化物材料、窒化物など多様な材料開発を進めています。最先端研究トピックス酸化膜、窒化物材料開発事例酸化物熱電材料探索電気伝導度とゼーベック係数マッピングコンビナトリアル材料探索手法 AlN/GaN エピタキシャルGaN AlNキャップ層硫化物緩衝層緩衝層窒化物電子材料探索 Si (100) Si(100)基板コンビナトリアル緩衝層探索文献 • • • MnS緩衝層とGaNのエピタキシャル成長 N.T.Nguyen et alAPEX 7 062102 (2014) D.A. Kukuznyak et al J.Appl.Phys.,98043710 (2005) YZ Yoo, et al Jpn.J.Appl.Phys., 45 1788 (2006) 応用分野と今後の展開実用化へ向けた課題  酸化物、窒化物などの機能性薄膜の電子デバイスへの応用（関連特許 3件）  機能性薄膜の実デバイスでの実証  Si上での窒化物パワーデバイス  Si上の発光デバイス、パワーデバイスは欠陥の制御を含めて実バイアスでの検証が必要。  ハイスループット材料開発とマテリアルズインフォーマティクスへの応用ナノマテリアル分野半導体デバイス材料グループ知京豊裕 E-mail: CHIKYO.Toyohiro●nims.go.jp URL: http://samurai.nims.go.jp/CHIKYO_Toyohiro-j.html —292 —