2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 : トランジスタ

中電力増幅用 (80V, 1A)
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
外形寸法図 (Unit : mm)
2SD1898
1.5 +0.2
−0.1
2.5+0.2
−0.1
4.0±0.3
0.5±0.1
4.5+0.2
−0.1
1.6±0.1
(1)
1.0±0.2
特長
1) VCEO が高い。VCEO=80V
2) IC が大きい。IC=1A (DC)
3) hFE のリニアリティが良い。
4) VCE (sat)が低い。
5) 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181
とコンプリである。
0.4±0.1
1.5±0.1
(2)
(3)
0.5±0.1
0.4+0.1
−0.05
0.4±0.1
1.5±0.1
3.0±0.2
構造
エピタキシャルプレーナ形
NPN シリコントランジスタ
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
標印記号 : DF
2SD1733
2SD1768S
0.65±0.1
0.75
2±0.2
3Min.
3±0.2
(15Min.)
1.5
0.5±0.1
9.5±0.5
0.9
2.3+−0.2
0.1
C0.5
2.5
1.5±0.3
5.5+−0.3
0.1
4±0.2
6.5±0.2
5.1+−0.2
0.1
0.45+0.15
−0.05
0.9
0.55±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
1.0±0.2
5
2.5 +0.4
−0.1
0.5
0.45 +0.15
−0.05
(1) (2) (3)
(1) (2) (3)
テーピング仕様です。
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
2SD1863
2.5±0.2
0.65Max.
0.5±0.1
(1)
(2)
4.4±0.2
14.5±0.5
1.0
0.9
6.8±0.2
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
テーピング仕様です。
ROHM : ATV
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○
1/3
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
2009.12 - Rev.C
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
Data Sheet
絶対最大定格 (Ta=25C)
Symbol
Limits
Unit
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
120
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
80
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
5
V
1
A (DC)
Parameter
コレクタ電流
IC
A (Pulse) ∗1
2
2SD1898
コレクタ損失
2SD1733
PC
2SD1768S
2SD1863
接合部温度
保存温度範囲
0.5
W
2
W
1
W
∗3
10
W (Tc=25°C)
0.3
W
1
W
∗2
Tj
150
°C
Tstg
−55~+150
°C
∗1 Pw=20ms, duty=1 / 2
∗2 プリント基板 : 厚み 1.7mm、コレクタ部分の銅箔面積 1cm2 以上
∗3 40×40×0.7mm のセラミック基板使用時
電気的特性 (Ta=25C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
コレクタ・ベース降伏電圧
Parameter
BVCBO
120
−
−
V
IC=50μA
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
80
−
−
V
IC=1mA
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
5
−
−
V
IE=50μA
コレクタしゃ断電流
ICBO
−
−
1
μA
VCB=100V
エミッタしゃ断電流
IEBO
−
−
1
μA
VEB=4V
120
−
390
−
120
−
390
−
120
−
390
−
VCE(sat)
−
0.15
0.4
V
fT
−
100
−
MHz
Cob
−
20
−
pF
2SD1863
直流電流増幅率 2SD1733, 2SD1898
hFE
∗
2SD1768S
コレクタ・エミッタ飽和電圧
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
Conditions
VCE=3V, IC=0.5A
IC/IB=500mA/20mA
VCE=10V, IE=−50mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0A, f=1MHz
∗ パルス測定
包装仕様及び hFE
包装名
Type
hFE
2SD1898
QR
テーピング
記号
T100
TL
TP
TV2
基本発注単位 (個)
1000
2500
5000
2500
−
−
−
−
−
2SD1733
QR
−
2SD1768S
QR
−
−
2SD1863
QR
−
−
−
−
hFE の値により下表のように分類します。
Item
Q
R
hFE
120~270
180~390
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○
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2009.12 - Rev.C
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
Data Sheet
電気的特性曲線
10
1
5mA
0.8
2mA
1mA
1000
VCE=3V
1V
100
0.2
0
0
2
4
6
IB=0mA
10
8
0
0
10
100
1000
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.1 エミッタ接地伝達静特性
Fig.2 エミッタ接地出力静特性
Fig.3 直流電流増幅率
−コレクタ電流特性
2.0
1.0
0.5
0.2
IC/IB=20/1
0.1
10/1
0.05
0.02
0.01
0
10
100
Ta=25˚C
VCE=5V
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1000
5 10 20 50100 200 5001000
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.7 安全動作領域
(2SD1863)
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○
0.5
1
2
5
10
20
50 100
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)
Fig.6 コレクタ出力容量
−コレクタ・ベース間電圧特性
エミッタ入力容量
−エミッタ・ベース間電圧特性
200m
S
2m
1m
0.1 0.2 0.5 1 2
1
0.1 0.2
m
5m
10
S
0m
S
10m
DC
00
m
20m
1
Ic Max (Pulse)
500m
100
Ta=25˚C
Single
non-repetitive
pulse
5
2
Ta=25˚C
f=1MHz
IE=0A
Ic=0A
=1
S
00
100m
50m
10
=1
0m
=1
200m
50 100 200 500 1000
Pw
=1
Pw
Pw
DC
500m
20
Fig.5 利得帯域幅積
−エミッタ電流特性
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Ic Max (Pulse)
10
Pw
Ta=25˚C
Single
non-repetitive
pulse
5
5
EMITTER CURRENT : −IE (mA)
Fig.4 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性
10
2
1000
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF)
EMITTER INPUT CAPACITANCE
: Cib (pF)
Ta=25˚C
TRANSITION FREQUENCY : fT (MHz)
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V)
3mA
0.4
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
4mA
0.6
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
1
6mA
1.0
DC CURRENT GAIN : hFE
100
2
Ta=25˚C
Ta=25˚C
Ta=25˚C
VCE=5V
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
1000
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.1 0.2 0.5 1
2
5 10 20 50100200 5001000
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.8 安全動作領域
(2SD1898)
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2009.12 - Rev.C
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R0079A

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