2SCR341Q : トランジスタ

2SCR341Q
Datasheet
NPN 100mA 400V ミドルパワートランジスタ
l 外形図
項目
規定値
VCEO
400V
IC
100mA
TSMT6
2SCR341Q
SC-95
l 特長
1) コンプリメンタリ:2SAR340Q
2) V CE(sat)が低い。
l 内部回路図
V CE(sat)=300mV(Max.).
(I C/I B=20mA/2mA)
l 用途
低周波増幅
l 包装仕様
形名
2SCR341Q
パッケージ
パッケージ テーピング
サイズ
コード
TSMT6
2928
TR
リール
サイズ
テープ幅
(mm)
(mm)
180
8
基本発注
単位
標印
(pcs)
3000
HJ
l使 用 上 の 注 意
本製品はピンピッチが狭くなっていますので、高電圧でご使用の際はピン間放電等に
ご注意ください。
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Datasheet
l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C)
項目
記号
規定値
単位
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
400
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
400
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
7
V
IC
100
mA
ICP*1
200
mA
IB
30
mA
PD*2
0.5
W
PD*3
1.25
W
Tj
150
℃
Tstg
-55 ~ +150
℃
最小値 標準値 最大値
単位
コレクタ電流
ベース電流
許容損失
ジャンクション温度
保存温度
l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)
項目
記号
条件
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
IC = 100μA
400
-
-
V
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
IC = 1mA
400
-
-
V
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
IE = 100μA
7
-
-
V
コレクタ遮断電流
ICBO
VCB = 400V
-
-
10
μA
エミッタ遮断電流
IEBO
VEB = 6V
-
-
10
μA
-
100
300
mV
82
-
270
-
-
6
-
pF
コレクタ・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
出力容量
VCE(sat) IC = 20mA, IB = 2mA
hFE
VCE = 10V, IC = 10mA
VCB = 10V, IE = 0A,
f = 1MHz
Cob
hFEの値により下表のように分類します
rank
P
Q
-
-
-
hFE
82 - 180
120 - 270
-
-
-
*1 Pw=10ms 単パルス
*2 各端子を参考ランドに実装した場合
*3 セラミック基板 25×25×0.8mm 実装時
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l 電 気 的 特 性 曲 線 (Ta = 25°C)
Fig.1 Grounded Emitter Propagation
Characteristics
Fig.2 Typical Output Characteristics
Fig.3 DC Current Gain vs. Collector
Current(I)
Fig.4 DC Current Gain vs. Collector
Current(II)
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l 電 気 的 特 性 曲 線 (Ta = 25°C)
Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current(I)
Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current(II)
Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Fig.8 Emitter input capacitance vs.
Emitter
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l 電 気 的 特 性 曲 線 (Ta = 25°C)
Fig.9 Emitter input capacitance vs.
Emitter
Fig.10 Safe Operating Area
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l外 形 寸 法 図
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