2SC5876 : トランジスタ

中電力増幅用 (60V, 0.5A)
2SC5876
2.0
1.3
0.9
(1)
0.3
(3)
(2)
UMT3
0.65 0.65
1) スイッチング速度が速い。
(Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA)
2) VCE(sat)が低い。 (Typ. : 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA)
3) 安全動作領域が広く、インダクタンス負荷及び
コンデンサ負荷に強い。
4) 2SA2088 とコンプリメンタリである。
0.7
外形寸法図 (Unit : mm)
特長
1.25
0.15
0.2
2.1
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
0.1Min.
各端子とも同寸法
標印略記号:VS
用途
低周波増幅、高速スイッチング
構造
NPN エピタキシャルプレーナ形
シリコントランジスタ
包装仕様
包装名
Type
テーピング
記号
T106
基本発注単位 (個)
3000
2SC5876
絶対最大定格 (Ta=25C)
Symbol
Limits
Unit
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
60
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
60
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
6
V
Parameter
IC
0.5
A
ICP
1.0
A
コレクタ損失
PC
200
mW
ジャンクション温度
Tj
150
°C
Tstg
−55~+150
°C
コレクタ電流
保存温度
∗1
∗2
∗1 Pw=10ms
∗2 各端子を推奨ランドに実装した場合
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○
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Data Sheet
電気的特性 (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
60
−
−
V
IC=100μA
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
60
−
−
V
IC=1mA
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
6
−
−
V
IE=100μA
コレクタ遮断電流
ICBO
−
−
1.0
μA
VCB=40V
エミッタ遮断電流
IEBO
−
−
1.0
μA
VEB=4V
IC=100mA, IB=10mA
Conditions
VCE(sat)
−
150
300
mV
直流電流増幅率
hFE
120
−
390
−
利得帯域幅積
fT
−
300
−
MHz
コレクタ出力容量
Cob
−
5
−
pF
VCB=10V, IE=0mA, f=1MHz
ターンオン時間
ton
−
70
−
ns
蓄積時間
tstg
−
130
−
ns
下降時間
tf
−
80
−
ns
IC=500mA,
IB1=50mA
IB2= −50mA
VCC 25V ∗1
コレクタ・エミッタ飽和電圧
VCE=2V, IC=50mA
VCE=10V, IE= −100mA, f=10MHz∗1
∗1 パルス測定
hFE ランク分類
Q
R
120-270
180-390
電気的特性曲線
Single non
repetitive pulse
Tstg
Ta=125°C
1ms
10ms
DC
100ms
1
10
100
Tf
100
Ton
10
0.01
0.1
1
100
1
0.001
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
0.01
COLLECTOR SATURATION
VOLTAGE : VCE(sat)(V)
VCE=5V
VCE=2V
VCE=3V
10
Ta=25°C
1
Ta=125°C
0.1
Ta=25°C
1
IC/IB=20/1
0.1
IC/IB=10/1
Ta= −40°C
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 DC current gain vs. collector
current
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○
0.01
0.001
1
10
IC/IB=10/1
Ta=25°C
1
0.001
0.1
Fig.3 DC current gain vs. collector
current
10
1000
Ta=25°C
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.2 Switching Time
Fig.1 Safe operating area
100
Ta= −40°C
10
COLLECTOR SATURATION
VOLTAGE : VCE (sat)(V)
0.1
DC CURRENT GAIN : hFE
1
0.01
0.1
DC CURRENT GAIN : hFE
VCE=2V
Ta=25°C
VCC=25V
IC/IB=10/1
500μs
SWITCHING TIME (ns)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
1000
1000
10
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
2/3
0.01
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
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2SC5876
Data Sheet
10
1
1000
Ta= −40°C
1
Ta=25°C
Ta=125°C
0.1
Ta=125°C
0.1
Ta=25°C
Ta= −40°C
0.01
0.1
0
1
0.5
1
Ta=25°C
VCE=10V
100
−0.01
−0.1
−1
−10
EMITTER CURRENT : IE (A)
Fig.8 Ground emitter propagat on
characteristics
Fig.7 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
10
1
−0.001
1.5
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : CoB (pF)
VCE=2V
0.01
0.01
0.001
TRANSITION FREQUENCY : FT (MHz)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
BASE EMITTER SATURATION
VOLTAGE : VBE(sat) (V)
IC/IB=10/1
Fig.9 Transition frequency
100
Ta=25°C
f=1MHz
10
1
0.1
1
10
100
BASE TO COLLECTOR VOLTAGE : VCB (V)
Fig.10 Collector output capacitance
スイッチング特性測定回路図
RL=50Ω
VIN
IB1
IC
VCC 25V
PW
IB2
PW 50 S
Duty cycle 1%
IB1
IB2
ベース電流波形
90%
IC
コレクタ電流波形
10%
Ton
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Tstg Tf
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R1010A