1SS133 : ダイオード

1SS133
Diode
スイッチングダイオード
1SS133
●用途
高速度スイッチング用
●外形寸法図（Unit : mm）
CATHODE BAND (YELLOW)
φ0.40.1
●特長
1)ガラス封止タイプである。(MSD)
2)高信頼度である。
291
2.70.3
291
φ1.80.2
ROHM : MSD
JEDEC : DO-34
●構造
シリコンエピタキシャルプレーナ型
●テーピング仕様（Unit : mm）
記号
BROWN
A
H2
BLUE
T-72
Ａ
E
B
C
L1
L2
F
D
H1
寸法規格値(mm)
T-77
52.4±1.5
+0.4
0
26.0
T-72
5.0±0.5
T-77
5.0±0.3
T-72
C
1.0 max.
T-77
T-72
D
0
T-77
T-72
1/2A±1.2
E
T-77
1/2A±0.4
T-72
0.7 max.
Ｆ
T-77
0.2 max.
T-72
H1
6.0±0.5
T-77
T-72
H2
5.0±0.5
T-77
T-72
1.5 max.
|L1-L2|
T-77
0.4 max.
＊H1(6mm)：BROWN
B
●絶対最大定格（Ta=25℃）
Parameter
尖頭逆方向電圧
直流逆方向電圧
尖頭順方向電流
平均整流電流
サージ電流(1s)
許容損失
接合部温度
保存温度
Limits
90
80
400
130
600
300
175
-65～175
Symbol
VRM
VR
IFM
Io
Isurge
P
Tj
Tstg
Unit
V
V
mA
mA
mA
mW
℃
℃
●電気的特性（Ta=25℃）
Parameter
順方向電圧
Symbol
VF
Min.
-
Typ.
-
Max.
1.2
Unit
V
IF=100mA
Conditions
逆方向電流
IR
-
-
0.5
µA
VR=80V
端子間容量
Ct
-
-
2
pF
逆回復時間
Trr
-
-
4.0
ns
VR=0.5V , f=1MHz
VR=6V,IF=10mA,RL=50Ω,Irr=1/10 IR
Rev.F
1/3
Diode
1SS133
Ta=175℃
Ta=25℃
10
Ta=-25℃
Ta=175℃
1
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ta=125℃
Ta=125℃
10000
1000
Ta=75℃
100
Ta=25℃
10
Ta=-25℃
1
0.1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
FORWARD VOLTAGE：VF(V)
VF-IF CHARACTERISTICS
1
0.1
0
1.2
10
20 30 40 50 60
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
70
80
0
REVERSE CURRENT:IR(nA)
940
Ta=25℃
VR=80V
n=30pcs
90
930
920
AVE:925.7mV
910
80
70
60
50
AVE:21.3nA
40
30
20
0.8
0.7
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
VF DISPERSION MAP
AVE:0.803pF
0.5
10
900
IR DISPERSION MAP
20
Ct DISPERSION MAP
20
1cyc
Ifsm
8.3ms
10
AVE:11.6A
5
Ta=25℃
VR=6V
IF=10mA
RL=50Ω
n=10pcs
2.5
2
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
RESERVE RECOVERY TIME:trr(ns)
3
15
1.5
1
AVE:1.46ns
0.5
0
0
30
Ta=25℃
VR=0.5V
f=1MHz
n=10pcs
0.9
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
10
20
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
1
100
950
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
f=1MHz
100000
REVERSE CURRENT:IR(nA)
FORWARD CURRENT:IF(mA)
Ta=75℃
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
10
1000000
100
Ifsm
15
8.3ms 8.3ms
1cyc
10
5
0
1
IFSM DISRESION MAP
trr DISPERSION MAP
10
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
100
ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装時
Ifsm
t
10
1
0.1
1
10
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
100
IM=1mA
1ms
0.20
IF=50mA
time
Rth(j-a)
300us
Rth(j-l)
100
10
0.001
Rth(j-c)
REVERSE POWER
DISSIPATION:PR (W)
1000
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
100
D=1/2
DC
Sin(θ＝180)
0.10
0.00
0.01
0.1
1
10
100
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
1000
0.00
0.05
0.10
0.15
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-P R CHARACTERISTICS
Rev.F
0.20
2/3
Diode
1SS133
20
0.20
0.20
0.15
D=1/2
0.10
0A
0V
0.05
Io
t
T
VR
D=t/T
VR=40V
Tj=175℃
Sin(θ＝180)
0.00
0.15
D=1/2
0.10
Io
0A
0V
0.05
t
T
0.00
0
25
50
75
100 125 150
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Ta)
175
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
DC
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
DC
0
25
VR
D=t/T
VR=40V
Tj=175℃
Sin(θ＝180)
50
75 100 125 150
CASE TEMPARATURE:Tc(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Tc)
15
AVE:7.4kV
10
AVE:2.2kV
5
0
175
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD DISPERSION MAP
Rev.F
3/3
Appendix
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●輸出貿易管理令について
本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな
りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要
件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。
Appendix1-Rev1.1

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