RF04UA2D : ダイオード

Data Sheet
スーパーファストリカバリダイオード
RF04UA2D
●シリーズ
Standard Fast Recovery
●外形寸法図（Unit : mm ）
●推奨ランドパターン
（Unit : mm ）
2.9±0.1
(1)
●特長
1)小型モールドタイプ（TSMD6）
2)高信頼度
(2)
0.95
0.95
0.95
(3)
0～0.1
0.33±0.03
0.7±0.1
0.95
0.8
0.7
0.85±0.1
1.9±0.2
0.35 0.45
1.0 min.
0.45 0.35
2.4
2.8±0.2
(4)
＋0.2
●用途
高速スイッチング
(5)
1.6 －0.1
(6)
1.9
0.16±0.1
0.06
各リードとも同寸法
－0.05
0.3～0.6
0.4＋0.1
TSMD6
1.0Max
1 pin mark
●回路図
(6)
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
ROHM : TSMD6
ﾄﾞｯﾄ(年週工場)+曜日
●構造
シリコンエピタキシャルプレーナ型
●テーピング仕様（Unit : mm ）
φ1.55±0.1
0
2.0±0.05
0.3±0.1
尖頭逆方向電圧
直流逆方向電圧
平均整流電流(*1)
Symbol
VRM
VR
Io
尖頭順サージ電流(*2)
IFSM
Tj
Tstg
接合部温度
保存温度範囲
Conditions
直流電圧印加時
Ta=25℃
ガラスエポキシ基板実装
60Hz正弦半波、抵抗負荷時 Tc=130℃
60Hz正弦半波、非繰り返し印加Tj=25℃
3.2±0.08
8.0±0.2
0～0.5
3.2±0.08
●絶対最大定格（Ta=25℃）
Parameter
φ1.1±0.1
4.0±0.1
3.2±0.08
5.5±0.2
3.5±0.05
1.75±0.1
4.0±0.1
1.1±0.08
Limits
Unit
200
200
V
V
0.4
A
1
150
40～150
A
℃
℃
(*1)1素子あたりの値：Io/2　(*2)1素子あたりの値
●電気的特性（Tj=25℃）
Parameter
Symbol
VF
順方向電圧
IR
逆方向電流
逆回復時間
trr
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Conditions
IF=0.2A
VR=200V
Min.
Typ.
Max.
－
－
0.86
0.01
0.98
10
Unit
V
μA
IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR
－
11
25
ns
1/3
2011.05 - Rev.A
Data Sheet
RF04UA2D
●電気的特性曲線
10
100
10000
f=1MHz
Tj=125C
1
Tj=25C
0.1
Tj=75C
Tj=75C
10
Tj=25C
1
10
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
1.3
50
100
150
880
860
850
REVERSE CURRENT : IR(nA)
1000
Tj=25C
IF=0.2A
n=30pcs
840
0
Tj=25C
VR=200V
n=30pcs
100
AVE:1.3nA
10
1
AVE : 851.3mV
VF DISPERSION MAP
10
8.3ms
AVE:10.2A
10
Ct DISPERSION MAP
10
1000
Tj=25°C
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25×IR
n=10pcs
25
20
15
AVE:10.2ns
10
5
0
0
IFSM DISRESION MAP
30
Tj=25°C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
AVE:10.9pF
20
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I FSM(A)
REVERSE RECOVERY TIME : trr(ns)
1cyc
25
0
30
Ifsm
20
30
IR DISPERSION MAP
30
15
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
0.1
830
20
5
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
FORWARD VOLTAGE : VF(V)
VF-IF CHARACTERISTICS
870
1
200
CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS :
Ct(pF)
0.3
FORWARD VOLTAGE : V F(mV)
Tj=125C
100
0.01
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I FSM(A)
Tj=150C
1000
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS : Ct(pF)
REVERSE CURRENT : IR(nA)
FORWARD CURRENT : I F(A)
Tj=150C
Ifsm
8.3ms 8.3ms
100
1cyc
10
1
1
trr DISPERSION MAP
10
100
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
Ifsm
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I FSM(A)
10000
30
t
100
10
AVE : 21.9kV
25
20
15
10
AVE : 3.9kV
5
0
1
1
10
TIME : t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
100
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C=200pF
R=0
C=100pF
R=1.5k
ESD DISPERSION MAP
2/3
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE : Rth (C/W)
1000
IM=10mA
1000
1ms
IF=1A
time
Rth(j-a)
300s
100
Rth(j-c)
10
ガラスエポキシ基板実装時
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
TIME : t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
2011.05 - Rev.A
Data Sheet
RF04UA2D
Io
0A
0V
t
0.35
0.25
T
D.C.
0.15
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
0.05
D.C.
0.25
D=0.8
0.2
half sin wave D=0.5
0.15
D=0.2
0.1
0.05
D=0.05
D=0.1
0
0
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
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T
D.C.
D=t/T
VR=200V
Tj=150C
0.3
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(A)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(A)
FORWARD POWER
DISSIPATION : Pf(W)
D=0.5
half sin wave
VR
t
0.35
0.3
D=0.8
0.2
Io
0A
0V
VR
D=t/T
VR=200V
Tj=150C
0.25
D=0.8
0.2
half sin wave
0.15
D=0.5
D=0.2
0.1
0.05
D=0.05
D=0.1
0
0
30
60
90
120
AMBIENT TEMPERATURE : Ta(C)
Derating Curve"(Io-Ta)
3/3
150
0
30
60
90
120
150
CASE TEMPARATURE : Tc(C)
Derating Curve(Io-Tc)
2011.05 - Rev.A
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R1120A

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