RB161M-20 : ダイオード

RB161M-20
Diode
ショットキーバリアダイオード
RB161M-20
●外形寸法図（Unit : mm）
●用途
一般整流用
●推奨ランドパターン（Unit : mm）
0.1±0.1
0.05
1.6±0.1
3.05
（PMDU）
①
2)低VFタイプ
3)高信頼性である。
3.5±0.2
●特長
1)小型パワーモールドタイプである。
2.6±0.1
0.85
1.2
PMDU
●構造
シリコンエピタキシャルプレーナ型
●回路図
0.9±0.1
0.8±0.1
ROHM : PMDU
JEDEC :SOD-123
製造年月
●テーピング仕様（Unit : mm）
4.0±0.1
1.81±0.1
8.0±0.2
3.71±0.1
0.25±0.05
1.75±0.1
φ1.55±0.05
2.0±0.05
3.5±0.05
4.0±0.1
φ1.0±0.1
1.5MAX
●絶対最大定格（Ta=25℃）
Parameter
Limits
Symbol
25
VRM
尖頭逆方向電圧
20
VR
直流逆方向電圧
1
Io
平均整流電流
IFSM
30
尖頭順サージ電流（60Hz・1cyc）
125
接合部温度
Tj
保存温度範囲
-40～+125
Tstg
(*1)ガラスエポキシ基板実装時。180°Half sine wave
Unit
V
V
A
A
℃
℃
●電気的特性（Ta=25℃）
Parameter
順方向電圧
逆方向電流
Symbol
VF1
VF2
Min.
-
Typ.
0.28
0.31
Max.
0.32
0.35
Unit
V
V
IR
-
280
700
µA
Conditions
IF=0.5A
IF=1.0A
VR=20V
Rev.B
1/3
Diode
RB161M-20
1000
1000000
1
Ta=125℃
Ta=25℃
0.1
Ta=-25℃
0.01
1000
Ta=25℃
100
Ta=-25℃
10
100
200
300
400
500
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
600
0
350
5
10
15
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
0
AVE:311.1mV
320
310
800
700
600
500
400
300
200
AVE:283.1uA
100
VF DISPERSION MAP
370
360
350
340
330
320
AVE:351.2pF
300
Ct DISPERSION MAP
100
1cyc
Ifsm
8.3ms
50
AVE:65.0A
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
25
20
15
10
5
AVE:11.7ns
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
RESERVE RECOVERY TIME:trr(ns)
30
100
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
380
IR DISPERSION MAP
150
0
0
Ifsm
8.3ms 8.3ms
1cyc
50
0
1
trr DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
t
100
50
0
0.1
1
10
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
100
ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装時
100
Rth(j-c)
IM=100mA
IF=1A
10
1ms
0.1
10
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
0.6
D=1/2
DC
Sin(θ＝180)
0.4
0.2
time
300us
1
0.001
100
0.8
Rth(j-a)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
Ifsm
10
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
1
1000
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
150
30
310
0
300
10
15
20
25
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
390
Ta=25℃
VR=20V
n=30pcs
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
330
5
400
900
REVERSE CURRENT:IR(uA)
340
10
20
1000
Ta=25℃
IF=1A
n=30pcs
100
1
1
0
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
Ta=75℃
10000
0.001
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
f=1MHz
100000
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ta=125℃
REVERSE CURRENT:IR(uA)
FORWARD CURRENT:IF(A)
Ta=75℃
0
1000
0
0.5
1
1.5
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT：Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
Rev.B
2
2/3
Diode
RB161M-20
3
REVERSE POWER
DISSIPATION:PR (W)
4
3
2
D=1/2
DC
1
Sin(θ＝180)
0
0
5
10
15
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-P R CHARACTERISTICS
20
3
Io
0A
0V
2.5
VR
t
DC
2
T
1.5
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
5
D=t/T
VR=10V
Tj=125℃
D=1/2
1
0.5
0A
0V
2.5
2
DC
1.5
t
T
D=t/T
VR=10V
Tj=125℃
D=1/2
1
0.5
Sin(θ＝180)
Sin(θ＝180)
0
Io
VR
0
0
25
50
75
100
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Ta)
125
0
25
50
75
100
CASE TEMPARATURE:Tc(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Tc)
125
30
30kVで破壊せず
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
25
20
15
10
5
AVE:6.90kV
0
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD DISPERSION MAP
Rev.B
3/3
Appendix
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慮していただきますようお願いいたします。
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●輸出貿易管理令について
本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな
りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要
件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。
Appendix1-Rev1.1

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