RSX051VA-30 : ダイオード - RS Components International

Data Sheet
ショットキーバリアダイオード
RSX051VA-30
●外形寸法図(Unit : mm)
●用途
一般整流用
●ランド寸法図 (Unit : mm)
1.1
0.17±0.1
0.05
2.5±0.2
1.9±0.1
●特長
1)小型モールドタイプである。(TUMD2)
2)低VFタイプ
3)高信頼性である。
0.8 0.5
2.0
1.3±0.05
TUMD2
●構造
シリコンエピタキシャルプレーナ型
0.8±0.05
●回路図
0.6±0.2
0.1
ROHM : TUMD2
ドット(年週工場)+曜日
●テーピング仕様(Unit : mm)
8.0±0.2
2.75
4.0±0.1
1.43±0.05
●絶対最大定格(Ta=25℃)
Parameter
尖頭逆方向電圧
直流逆方向電圧
平均整流電流
尖頭順サージ電流(60Hz・1cyc)
接合部温度
保存温度範囲
●電気的特性(Ta=25℃)
Parameter
順方向電圧
逆方向電流
Limits
30
30
500
5
150
40~150
Symbol
VRM
VR
Io
IFSM
Tj
Tstg
φ1.0±0.2
0
0.9±0.08
Unit
V
V
mA
A
℃
℃
Symbol
VF
Min.
-
Typ.
0.35
Max.
0.39
Unit
V
IF=500mA
IR
-
40
200
μA
VR=30V
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1/3
2.8±0.05
0.25±0.05
1.75±0.1
φ1.55±0.1
0
2.0±0.05
3.5±0.05
4.0±0.1
Conditions
2011.05 - Rev.D
Data Sheet
RSX051VA-30
100
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
10
100000
Ta=125℃
10000
Ta=75℃
1000
Ta=25℃
100
10
Ta=-25℃
1
100
10
0.1
100
200
300
400
500
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
1
0
600
5
10
15
20
25
30
0
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
380
360
350
340
250
200
150
100
AVE:36.59uA
50
180
170
160
150
140
130
120
100
VF DISPERSION MAP
IR DISPERSION MAP
Ct DISPERSION MAP
1cyc
Ifsm
8.3ms
15
10
5
AVE:15.6A
30
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
25
20
15
10
5
AVE:10.4ns
0
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
30
20
1000
8.3ms 8.3ms
1cyc
20
15
10
5
1
t
20
15
10
5
0
10
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
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100
ガラスエポキシ基板実装時
IM=10mA
10
100
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
0.5
IF=0.2A
0.4
1ms
time
Rth(j-a)
300us
100
Rth(j-c)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
30
1
Ifsm
trr DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
Ifsm
25
0
0
25
AVE:159.7pF
110
0
30
30
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
190
AVE:354.8mV
25
10
20
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
200
Ta=25℃
VR=30V
n=30pcs
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
370
REVERSE CURRENT:IR(uA)
300
Ta=25℃
IF=0.5A
n=30pcs
330
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ta=125℃
0
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
f=1MHz
Ta=150℃
1
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
1000
1000000
Ta=150℃
REVERSE CURRENT:IR(uA)
FORWARD CURRENT:IF(mA)
1000
0.3
D=1/2
DC
Sin(θ=180)
0.2
0.1
10
0.001
0
0.1
10
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
2/3
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
1
2011.05 - Rev.D
Data Sheet
RSX051VA-30
2
Sin(θ=180)
D=1/2
1
DC
0A
0V
1
DC
Io
t
VR
D=t/T
VR=15V
T Tj=150℃
D=1/2
0.5
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
REVERSE POWER
DISSIPATION:PR (W)
1.5
1.5
3
0A
0V
1
DC
0
10
20
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-PR CHARACTERISTICS
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30
T
VR
D=t/T
VR=15V
Tj=150℃
D=1/2
0.5
Sin(θ=180)
Sin(θ=180)
0
0
0
Io
t
0
25
50
75
100
125
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Derating Curve゙(Io-Ta)
3/3
150
0
25
50
75
100
125
150
CASE TEMPARATURE:Tc(℃)
Derating Curve゙(Io-Tc)
2011.05 - Rev.D
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R1120A