RB070M-30 : ダイオード

RB070M-30
Diode
ショットキーバリアダイオード
RB070M-30
●外形寸法図（Unit : mm）
●用途
一般整流用
●推奨ランドパターン（Unit : mm）
0.1±0.1
0.05
1.2
0.85
1.6±0.1
①
2.6±0.1
（PMDU）
2)低IRタイプ
3)高信頼性である。
3.5±0.2
3.05
●特長
1)小型パワーモールドタイプである。
PMDU
●構造
シリコンエピタキシャルプレーナ型
●回路図
0.9±0.1
0.8±0.1
ROHM : PMDU
JEDEC :SOD-123
製造年月
●テーピング仕様（Unit : mm）
4.0±0.1
1.81±0.1
8.0±0.2
3.71±0.1
0.25±0.05
1.75±0.1
φ1.55±0.05
2.0±0.05
3.5±0.05
4.0±0.1
φ1.0±0.1
1.5MAX
●絶対最大定格（Ta=25℃）
Limits
Parameter
Symbol
30
VRM
尖頭逆方向電圧
VR
30
直流逆方向電圧
1.5
平均整流電流
Io
IFSM
尖頭順サージ電流（60Hz・1cyc）
30
150
接合部温度
Tj
-40～+150
保存温度範囲
Tstg
(*1)ガラスエポキシ基板実装時。180°Half sine wave
Unit
V
V
A
A
℃
℃
●電気的特性（Ta=25℃）
Parameter
順方向電圧
逆方向電流
Symbol
VF1
Min.
-
Typ.
0.37
Max.
0.43
Unit
V
VF2
-
0.44
0.49
V
IR
-
9.0
50
µA
Conditions
IF=0.5A
IF=1.5A
VR=30V
Rev.A
1/3
Diode
RB070M-30
100000
1000
Ta=150℃
10000
Ta=125℃
REVERSE CURRENT:IR(uA)
1
Ta=150℃
Ta=25℃
0.1
Ta=-25℃
0.01
0.001
1000
Ta=75℃
100
Ta=25℃
10
1
Ta=-25℃
0.1
200
300
400
500
10
1
0
600
5
10
15
20
25
200
Ta=25℃
VR=30V
n=30pcs
180
REVERSE CURRENT:IR(uA)
Ta=25℃
IF=1.5A
n=30pcs
450
440
AVE:441.5mV
430
0
160
140
120
100
80
60
40
420
AVE:8.828uA
380
370
360
350
340
330
320
310
0
300
AVE:332.6pF
Ct DISPERSION MAP
8.3ms
100
AVE:96.0A
50
RESERVE RECOVERY TIME:trr(ns)
20
1cyc
Ifsm
100
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
15
10
AVE:9.30ns
5
50
Ifsm
8.3ms 8.3ms
1cyc
0
0
0
1
trr DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
1000
Ifs
t
100
0
10
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
100
100
ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装時
Rth(j-a)
100
50
10
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
2
Rth(j-c)
10
IM=10mA
IF=1.5A
1.5
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
150
30
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
390
IR DISPERSION MAP
150
10
15
20
25
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
400
20
VF DISPERSION MAP
1
5
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
470
460
30
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
100
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
100
0.01
0
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
f=1MHz
Ta=125℃
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
FORWARD CURRENT:IF(mA)
Ta=75℃
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
10
D=1/2
1
DC
Sin(θ＝180)
0.5
1ms
time
300us
1
0.001
0
0.1
10
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
1000
0
1
2
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT：Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
Rev.A
3
2/3
RB070M-30
5
0.4
4
Sin(θ＝180)
0.3
D=1/2
0.2
DC
0.1
5
0A
0V
Io
t
D=1/2
3
DC
T
VR
D=t/T
VR=15V
Tj=150℃
2
1
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
0.5
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
REVERSE POWER
DISSIPATION:PR (W)
Diode
0A
0V
4
3
DC
2
D=1/2
10
20
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-P R CHARACTERISTICS
30
T
Sin(θ＝180)
0
0
t
1
Sin(θ＝180)
0
Io
VR
D=t/T
VR=15V
Tj=150℃
0
0
25
50
75
100
125
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Ta)
150
0
25
50
75
100
125
150
CASE TEMPARATURE:Tc(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Tc)
Rev.A
3/3
Appendix
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件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。
Appendix1-Rev1.1

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