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1SR139-400
ダイオード
整流ダイオード
1SR139-400
●用途
高速整流用
●外形寸法図（Unit : mm ）
CATHODE BAND (GREEN)
① ②
4
φ0.6±0.1
●特長
1)円筒型モールドタイプである。（MSR）
2)高信頼性
3)高速スイッチングスピードである。
3.0±0.2
29±1
29±1
φ2.5±0.2
ROHM : MSR
①
●構造
シリコン拡散接合型
②
製造年月
●テーピング仕様（Unit : mm ）
BROWN
記号
A
H2
BLUE
E
寸法規格値(mm)
T-31 52.4±1.5
T-32
26.0 +0.4
0
T-31 5.0±0.5
B
T-31
5.0±0.3
T-31
C
1.0 max.
T-32
T-31
D
0
T-32
T-31
1/2A±1.2
E
T-32
1/2A±0.4
T-31
±0.7
Ｆ
T-32
0.2 max.
T-31
H1
6.0±0.5
T-32
T-31
H2
5.0±0.5
T-32
T-31
1.5 max.
¦L1-L2¦
T-32
0.4 max.
＊H1(6mm)：BROWN
Ａ
B
C
L2
L1
F
H1
D
●絶対最大定格（Ta=25℃）
Parameter
過渡尖頭逆方向電圧
尖塔逆方向電圧
平均整流電流(*1)
尖頭順サージ電流（60Hz・1cyc）
接合部温度
保存温度
Limits
500
400
1
40
150
-40∼+150
Symbol
VRMS
VR
Io
IFSM
Tj
Tstg
Unit
V
V
A
A
℃
℃
(*1)アルミナ基板実装時。
●電気的特性（Ta=25℃）
Parameter
順方向電圧
Symbol
VF
Min.
-
Typ.
-
Max.
1.1
Unit
V
逆方向電流
IR
-
-
10
uA
Conditions
IF=1.0A
VR=400V
Rev.E
1/3
Diode
1SR139-400
1
100000
100
Ta=150℃
Ta=75℃
Ta=125℃
Ta=-25℃
0.01
1000
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ta=25℃
Ta=150℃
0.1
f=1MHz
10000
REVERSE CURRENT:IR(nA)
FORWARD CURRENT:IF(A)
Ta=125℃
Ta=75℃
100
Ta=25℃
10
Ta=-25℃
10
1
0.001
0
200
400
600
800
1000
1
0.1
1200
0
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
0
400
REVERSE CURRENT:IR(nA)
AVE:932.2mV
940
930
15
20
25
30
400
350
300
250
200
150
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
45
Ta=25℃
VR=400V
n=30pcs
450
950
10
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ta=25℃
IF=1A
n=30pcs
960
5
50
AVE:28.27nA
40
35
30
25
20
AVE:22.8pF
15
100
10
50
5
0
0
VF DISPERSION MAP
IR DISPERSION MAP
Ct DISPERSION MAP
3
150
100
8.3ms
50
AVE:43.0A
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
2.5
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
1cyc
Ifsm
100
RESERVE RECOVERY TIME:trr(us)
2
1.5
AVE:1.597us
1
0.5
Ifsm
8.3ms 8.3ms
1cyc
50
0
0
0
trr DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
1
10
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
100
ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装時
100
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
10000
Ifsm
t
0
10
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
IM=1mA
1000
50
1
2
IF=0.5A
100
time(ms)
Rth(j-a)
td=300us
100
Rth(j-l)
Rth(j-c)
10
1
0.001
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
300
500
920
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
200
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
970
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
100
DC
D=1/2
Sin(θ＝180)
1
0
0.01
0.1
1
10
100
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
1000
0
1
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT：Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
Rev.E
2
2/3
Diode
1SR139-400
3
DC
0.01
D=1/2
Sin(θ＝180)
3
0A
0V
2.5
2
Io
t
T
DC
VR
D=t/T
VR=200V
Tj=150℃
D=1/2
1.5
1
Sin(θ＝180)
0.5
0
100
200
300
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-P R CHARACTERISTICS
400
0A
0V
2.5
2
Io
t
T
DC
1.5
VR
D=t/T
VR=200V
Tj=150℃
D=1/2
1
Sin(θ＝180)
0.5
0
0
0
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
REVERSE POWER
DISSIPATION:PR (W)
0.02
0
25
50
75
100
125
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Ta)
150
0
25
50
75
100
125
150
CASE TEMPARATURE:Tc(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Tc)
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
30
25
AVE:18.6V
20
15
10
AVE:5.00kV
5
0
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD DISPERSION MAP
Rev.E
3/3
Appendix
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●輸出貿易管理令について
本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな
りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要
件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。
Appendix1-Rev1.1

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