2SB1732TL : Transistors

2SB1732
Datasheet
一般増幅用 (-12V, -1.5A)
l 外形図
項目
規定値
VCEO
-12V
IC
-1.5A
TUMT3
SOT-323T
l 特長
1)コレクタ電流が大きい。
2)コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い。
V CE(sat)≦-200mV
l 内部回路図
at I C=-500mA/I B=-25mA
l 用途
低周波増幅
l 包装仕様
形名
2SB1732
パッケージ パッケージ テーピング
サイズ
コード
TUMT3
2021
TL
リール
サイズ
テープ幅
(mm)
(mm)
180
8
基本発注
単位
標印
(pcs)
3000
EV
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l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C)
項目
記号
規定値
単位
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
-15
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
-12
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
-6
V
IC
-1.5
A
ICP*1
-3
A
PD*2
400
mW
PD*3
800
mW
Tj
150
℃
Tstg
-55 ~ +150
℃
最小値 標準値 最大値
単位
コレクタ電流
許容損失
ジャンクション温度
保存温度
l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)
項目
記号
条件
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
IC = -10μA
-15
-
-
V
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
IC = -1mA
-12
-
-
V
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
IE = -10μA
-6
-
-
V
コレクタ遮断電流
ICBO
VCB = -15V
-
-
-100
nA
エミッタ遮断電流
IEBO
VEB = -6V
-
-
-100
nA
-
-85
-200
mV
コレクタ・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
利得帯域幅積
出力容量
VCE(sat) IC = -500mA, IB = -25mA
hFE
VCE = -2V, IC = -200mA
270
-
680
-
fT
VCE = -2V, IE = 200mA,
f = 100MHz
-
400
-
MHz
Cob
VCB = -10V, IE = 0A,
f = 1MHz
-
12
-
pF
*1 Pw=1ms 単パルス
*2 各端子を参考ランドに実装した場合
*3 セラミック基板 25×25×0.8mm実装時
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l 電 気 的 特 性 曲 線 (Ta = 25°C)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
Fig.2 Typical output characteristics
Fig.3 DC current gain vs. collector current (I)
Fig.4 DC current gain vs. collector current (II)
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l 電 気 的 特 性 曲 線 (Ta = 25°C)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (I)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (II)
Fig.7 Base-emitter saturation voltage vs.
collector current
Fig.8 Gain bandwidth product vs.
emitter current
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l 電 気 的 特 性 曲 線 (Ta = 25°C)
Fig.9 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
Fig.10 Safe operating area
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l外 形 寸 法 図
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