注文コード No.N 1 8 5 3 A
2SA1434
No.
N1853A
20400
半導体ニューズ No.1853 とさしかえてください。
2SA1434
PNP エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ
高 hFE, 低周波一般増幅用
用途
・ 低周波一般増幅 , 各種ドライブ , ミューティング回路。
特長
・ 超小型パッケージのため セットの小型化, 薄型化が可能である。
・ FBET プロセス採用。
・直流電流増幅率が高い（hFE=500 ∼ 1200）
。
・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い（VCE(sat)≦ 0.5V）
。
・高 VEBO である（VEBO ≦ 15V）
。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
unit
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
VCBO
VCEO
− 60
− 50
V
V
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
VEBO
IC
− 15
− 100
V
mA
コレクタ電流（パルス）
コレクタ損失
ICP
PC
− 200
200
mA
mW
接合部温度
保存周囲温度
Tj
Tstg
125
− 55 ∼＋ 125
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
コレクタしゃ断電流
ICBO
VCB= − 40V, IE=0
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
VEB= − 10V, IC=0
VCE= − 5V, IC= − 10mA
利得帯域幅積
出力容量
IEBO
hFE
fT
Cob
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
VBE(sat)
IC= − 50mA, IB= − 1mA
IC= − 50mA, IE= − 1mA
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
V(BR)CBO IC= − 10µA, IE=0
V(BR)CEO IC= − 1mA, RBE=∞
V(BR)EBO IE= − 10µA, IC=0
エミッタ・ベース降伏電圧
min
typ
500
800
VCE= − 10V, IC= − 10mA
VCB= − 10V, f=1MHz
℃
℃
max
− 0.1
unit
µA
− 0.1
1200
µA
100
4.8
− 0.2
− 0.8
MHz
pF
− 0.5
− 1.1
V
V
− 60
− 50
V
V
− 15
V
単体品名表示：FL
外形図 2018B
0.4
0.8
1.1
1 0.95 0.95 2
1.9
2.9
0.16
0∼0.1
0.5
1.5
2.5
3
0.5
(unit : mm)
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CP
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
20400 GI IM / 9139KN 印 2267YO 社変 / 3205YY 原 8-8378 No.1853-1/3
2SA1434
IC -- VCE
--4.0mA
--3.5mA
--3.0mA
--80
mA
A
--2.0m
A
--1.5m
A
--1.0m
--2.5
A
--0.5m
--60
--40
--20
0
0
IB=0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
--12
--8µA
--6µA
--8
--4µA
--4
0
--2µA
0
ITR03593
IB=0
--10
--20
--30
--40
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
--50
ITR03594
hFE -- IC
5
VCE=--5V
VCE=--5V
3
直流電流増幅率, hFE
--40°C
--80
25°C
Ta=120°C
--100
コレクタ電流, IC -- mA
µA
--20 µA
--18 µA
--16
A
--14µ
A
--12µ
--10µA
--16
--1.0
IC -- VBE
--120
--60
--40
--20
0
IC -- VCE
--20
コレクタ電流, IC -- mA
コレクタ電流, IC -- mA
--100
2
Ta=120°C
1000
7
25°C
--40°C
5
3
2
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
100
--1.0
fT -- IC
2
--7 --1.0
ITR03595
--3 --5 --7 --10
--2 --3 --5 --7 --100 --2
ITR03596
コレクタ電流, IC -- mA
Cob -- VCB
5
VCE=--10V
--2
f=1MHz
出力容量, Cob -- pF
利得帯域幅積, fT -- MHz
3
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
2
--7 --1.0
VCE(sat) -- IC
--1.0
IC / IB=50
--7
--5
--3
--2
--0.1
--7
--5
--1.0
1.0
--2 --3 --5 --7 --10
--2 --3 --5 --7 --100
--2
ITR03597
コレクタ電流, IC -- mA
--2 --3
--2 --3 --5 --7 --100
--2
--5 --7 --10
ITR03599
コレクタ電流, IC -- mA
ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V
10
--7 --1.0
--2 --3
--5 --7 --10
--2 --3
--5 --7 --100
コレクタ・ベース電圧, VCB -- V ITR03598
VBE(sat) -- IC
--10
IC / IB=50
--7
--5
--3
--2
--1.0
--7
--5
--3
--7 --1.0
--2 --3 --5 --7 --10
--2 --3 --5 --7 --100
--2
ITR03600
コレクタ電流, IC -- mA
No.1853-2/3
2SA1434
PC -- Ta
240
コレクタ損失, PC -- mW
200
160
120
80
40
0
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
ITR03601
PS No.1853-3/3

2SB1732TL : Transistors

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