2SAR572DGTL : Transistors

2SAR572D
Datasheet
PNP -5.0A -30V ミドルパワートランジスタ
l 外形図
項目
規定値
VCEO
-30V
IC
-5A
CPT
TO-252
SC-63
l 特長
1) ミドルパワードライバに最適。
2) コンプリメンタリ：2SCR572D
3) V CE(sat)が低い。
l 内部回路図
V CE(sat)=-400mV(Max.).
(I C/I B=-2A/-100mA)
l 用途
低周波増幅
l 包装仕様
形名
2SAR572D
パッケージ
CPT
パッケージテーピング
サイズ
コード
6595
TL
リール
サイズ
テープ幅
(mm)
(mm)
330
16
基本発注
単位
標印
(pcs)
2500
AR572
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l 絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目
記号
規定値
単位
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
-30
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
-30
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
-6
V
IC
-5
A
ICP*1
-10
A
IB
-1.5
A
PD*2
10
W
Tj
150
℃
Tstg
-55 ～ +150
℃
最小値標準値最大値
単位
コレクタ電流
ベース電流
許容損失
ジャンクション温度
保存温度
l 電気的特性 (Ta = 25°C)
項目
記号
条件
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
IC = -100μA
-30
-
-
V
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
IC = -1mA
-30
-
-
V
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
IE = -100μA
-6
-
-
V
コレクタ遮断電流
ICBO
VCB = -30V
-
-
-1
μA
エミッタ遮断電流
IEBO
VEB = -4V
-
-
-1
μA
-
-200
-400
mV
200
-
500
-
コレクタ・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
VCE(sat) IC = -2A, IB = -100mA
hFE
VCE = -3V, IC = -500mA
利得帯域幅積
f T*3
VCE = -10V, IE = 200mA,
f = 100MHz
-
300
-
MHz
出力容量
Cob
VCB = -10V, IE = 0A,
f = 1MHz
-
40
-
pF
ターンオン時間
ton
-
80
-
ns
蓄積時間
tstg
-
400
-
ns
下降時間
IC = -2.5A,
IB1 = -250mA,
IB2 = 250mA,
VCC ⋍ -10V,
RL = 4Ω
tf
測定回路図参照
-
200
-
ns
*1　Pw=10ms 単パルス
*2　Tc=25℃
*3　パルス測定
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l 電気的特性曲線 (Ta = 25°C)
Fig.1 Grounded Emitter Propagation
Characteristics
Fig.2 Typical Output Characteristics
Fig.3 DC Current Gain vs. Collector
Current(I)
Fig.4 DC Current Gain vs. Collector
Current(II)
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l 電気的特性曲線 (Ta = 25°C)
Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current(I)
Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current(II)
Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Fig.8 Gain Bandwidth Product vs. Emitter
Current
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l 電気的特性曲線 (Ta = 25°C)
Fig.9 Emitter input capacitance vs.
Emitter-Base Voltage
Collector output capacitance vs.
Collector-Base Voltage
Fig.10 Safe Operating Area
スイッチングタイム測定回路図
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l外形寸法図
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