技術レポート No.T1512 2016.02.05 【技術資料】 GCIB-ESCA による膜基板界面の分析 概要 Ar ガスクラスターイオン銃(GCIB)を搭載した ESCA では有機膜/基板界面の情報を得ることができます。 ポリスチレン(PS)膜/シリコン(Si)基板の深さ方向分析を行い、膜基板界面の自然酸化膜を検出した例につい て紹介します。 分析事例 (1)デプスプロファイル測定結果 ポリスチレン(PS)膜/シリコン(Si)基板(図 1)の GCIB-ESCA による深さ方向分析結果を図 2 に示します。 膜(C)/基板(Si)界面に自然酸化膜由来の酸素が観測されました。 酸素が観測された深さの Si2p スペクトルにおいて、Si 酸化物由来のピークが検出されました(図 3)。 100 Si C 80 PS膜 基板(Si) Si 60 測定強度 深 さ 方 向 組成(atom%) 約0.8μm 40 20 Si酸化物 O 0 0 図 1 膜/基板 0.3 0.6 深さ(μm) 図 2 深さ方向分析結果 0.9 110 105 100 結合エネルギー(eV) 95 図 3 Si2p スペクトル 材料キーワード：PS、ポリスチレン、Si、シリコン 適用分野 その他有機製品、その他無機製品 株式会社 東ソー分析センター 東京事業部 TEL 0467-77-2218 FAX 0467-77-7135 1/1
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