SONY TA-N86 \90,000（1978 年発売）パルス電源や Hi-fT トランジスタなどの最新技術を投入して開発されたステレオパワーアンプ。低音域の位相回転による原音波形の崩れと、高音域の過渡応答特性低下に伴なう倍音成分の再現性劣化を改善するため、 DC アンプの充実と Hi-fT トランジスタの開発という 2 つの手段で音質向上を図っています。初段には、ソニー独自の半導体技術を生かして開発された温度ドリフトの非常に少ないデュアル FET を使用しており、DC アンプで問題となる動作点を安定させています。パワートランジスタには Hi-fT トランジスタを採用しています。バイポーラトランジスタは大電力を扱うほど高域の信号に対する応答特性が悪くなる傾向があります。これはスイッチング歪を発生させ高音のクオリティを損なう原因となります。この点を改善するため、細かいライン状のパターンをとった Hi-fT トランジスタを開発し、大電力にも充分な安定動作を可能にしています。この Hi-fT トランジスタは高域応答特性の良い小電力トランジスタを無数に集積したようなもので、遮断周波数は従来の 4MHz～20MHz に対して 60MHz 以上まで伸び、高域応答速度が非常に早くなっています。これにより高域の再現性も向上しています。電圧増幅段は 3 段差動 DC アンプ構成となっています。この回路では NF をかける以前の裸特性の向上を追求しており、歪率を極めて少なくしています。また、ゲインも十分にとれるため NF ループにおける歪も低減されています。さらに初段（ソース側）と次段（エミッタ側）にはインピーダンスの大きい定電流回路を挿入し、電源電流の変動を抑えて音質向上を図っています。電力増幅段は 3 段ダーリントン DC アンプ構成となっています。一般に電圧増幅段・中段で大きなゲインを得るためには、トランジスタの負荷抵抗を大きくする必要があります。その場合、電力増幅段の入力インピーダンスが充分高くなければなりません。ダーリントン接続ではトランジスタの内部抵抗が実質的に 2 倍となるため、電圧増幅段・中段の能力を活かすことができています。電源部には 4 年の開発期間を経て誕生したパルス電源を採用しています。パルス電源は、AC100V をダイレクト整流して 20kHz のパルスに変換し、高周波トランスで降圧したのち再整流する構造となっています。この方式では電圧変動が少なくなっていますが TA-N86 ではさらにパルス幅制御定電圧回路を併用することで徹底を図っています。パルス幅制御定電圧回路では電圧変動をパルス幅の変化に変換しており、このパルス波形と逆の形に 1 次整流回路で得られた DC を ON-OFF することで変動分がキャンセルされた電圧を得ています。これにより電圧変動率を 1％以下に抑えています。パルス電源では AC100V はアンプに入ったとたんに DC 化されるため、50Hz/60Hz AC 電源による磁気漏れが基本的にありません。このため、ハムによる信号系の干渉は皆無となっています。また、パルス整流方式では整流しただけでほぼ直流状態となり、脈流成分は直流をパルス変換するトランジスタのスイッチングタイム分だけとなり、脈流成分はほぼゼロとなっています。 A 級動作、B 級動作、モノラル動作の切換えが可能です。 A 級と B 級の切換えには、バイアス電流の供給の仕方をリレー回路で変える設計を採用しており、簡単に A 級/B 級切換えが可能です。また、プリント基板上の適切な位置にリードリレーを設け、リアパネルのスイッチリモートコントロールする構造にすることで、信号経路の最短化を図っています。内部コンストラクションは左右チャンネルの信号系を分離したツインモノ構成となっており、相互干渉による音質劣化を抑えています。 SONY TA-E88 \200,000（1977 年発売）各ブロックの回路構成や回路を構成する各素子、配列を含むコンストラクションなど、ひとつひとつを徹底的に追求し、個々のブロックの性能を最大限に引き出す事でクオリティの向上を図ったプリアンプ。 TA-E88 は、2 台のモノラルアンプを組合わせた構成を、可能な限りシンプルにまとめ上げています。このため、入出力端子が上面にセットされており、アッテネーターやスイッチなどの操作部品もプリント基板上にマウントされています。これにより、各回路は信号経路に沿って一直線に接続されたレイアウトとなっています。アッテネーターやバランサー用のボリュームには、摺動部に金を蒸着した導体を採用した超低雑音・高精度ボリュームを採用しています。また、カップラーを介して不要振動をなくした構造と銀クラッド接点による高信頼性のセレクタースイッチや、無共振コンデンサー、高精度金属被膜抵抗、半導体などに厳選したものを使用しています。ヘッドアンプは低雑音特性の LEC トランジスタを複数個並列に接続することで低歪化を図っています。また、イコライザーアンプとフラットアンプには、デュアル FET による差動回路、カスコード接続、カレントミラーやダイヤモンド回路などの回路技術を投入しており、インプットバッファアンプには出力段を除きイコライザーアンプとほぼ同じ回路構成を採用しています。これらの回路は全て DC アンプ構成となっています。電源部は左右 ch 用にそれぞれ専用電源トランスを用いており、FET バッファ電源による 4 系統独立電源方式を採用しています。 10kΩ～100kΩの負荷抵抗、100pF～500pF の負荷容量が切替えられるカートリッジロード・セレクターを搭載しています。 Phono 信号のローカットフィルタースイッチを搭載しています。クイックアクセス式のファンクション・セレクター、2 系統テープモニタースイッチ、モードスイッチを搭載しています。出力レベルが 0dB、-10dB、-20dB、OFF に切替えられるアウトプットレベル・セレクタースイッチを搭載しています。