P7
中間赤外観測装置用
極低温バッファ回路のための
汎用FETの特性検査
岡田一志、宮田隆志、酒向重行、上塚貴史、
中村友彦、浅野健太朗、内山瑞穂(東京大学)
低温プリアンプのためのGaAs FET
• 大規模化が進む中間赤外線観測装置
• 4～20K程度の極低温で動作する低温プリアンプ
の必要性にせまられる
• 極低温で（安定）動作されるとされているGaAs FET
を使い、シンプルなプリアンプを構成したい
• 現在市販されているGaAs FETから、良好な低温
特性をもつものを探す
詳細に関してはポスターP7

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