SiC-MOSFET

おすすめ！新商品
高耐圧・低オン抵抗スイッチング・高速リカバリを同時に実現
SiC-MOSFET
SiC POWER
高耐圧
SiC POWER
低スイッチング
ロス
SiC POWER
高速リカバリ
バリ
TO-247
■ ラインアップ
ラインア
ラ
ライ
インア
ンアップ
アップ
ップ
・S
SWITCHING
WITC
WITC
WI
TCHI
CHI
HING
NG SERIES
SER
RIE
IES
ES
品名
極性
TO-220AB
T
O-220AB
VDSS(V)
ID(A)
PD(W)
Qg
Typ.(nC)
RDS(on)
パッケージ
VGS=18V
VGS=18V
駆動電圧(V)
SCT2120AF
N
650
29
165
120
61
18
SCH2080KE
N
1,200
35
179
80
106
18
SCT2080KE
N
1,200
35
179
80
106
18
SCT2160KE
N
1,200
22
165
160
62
18
SCT2280KE
N
1,200
14
108
280
36
18
SCT2450KE
N
1,200
10
85
450
27
18
ID(A)
PD(W)
TO-220AB
TO-247
MUS
U IC
USIC
C SERIES
SER
ERIE
RIE
IIES
ES
・MUSIC
品名
極性
SCTMU001F
VDSS(V)
N
400
20
Qg
Typ.(nC)
RDS(on)
パッケージ
VGS=18V
VGS=18V
駆動電圧(V)
120
59
18
132
TO-220AB
■ 低スイッチングロス特性による省エネ・小型化
ターンオフ特性
損失比較
25
120
Vdd=400V
20
100
オン損失
電流(A)
10
Si-IGBT
5
0
-5
SiC-MOSFET
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450
時間(nsec)
80
Loss (W)
スイッチング損失
最大90%削減！
15
Turn-ON
switching loss
60
オフ損失
40
シリコンデバイスで実現不可能だった高速
(when operating at 30 kHz)
オン損失 Turn-ON switching loss
オフ損失 Turn-OFF switching loss
導通損失 Conduction loss
Si-IGBTに比べ、
ターンオフ損失を最大90%
削減しました。加えて、ダイオードの高速リカ
Si IGBTと比較し、スイッチング
損失約80%削減
バリ特性により、動作時の損失をI G B T比
Switching loss reduced by 80% vs. Si-IGBTs
73%削減することが可能です。
Turn-OFF
switching loss
機器の省エネ・高効率を達成するだけでなく、
30kHz以上の高周波駆動をすることにより、
20
導通損失
0
スイッチングと高耐圧を同時に実現。
周辺部品の小型化にも大きく貢献します。
Conduction loss
Si-IGBT
SiC-MOSFET
世界初＊量産開始フルSiCパワーモジュール
＊2013年9月ローム調べ
■ ラインアップ
絶対最大定格(Ta=25℃)
IGBT（モジュール）とのスイッチング損失比較
品
60
Vds=600V
Id= 100A
Vg(on)=18V
Vg(off)=0V
Ta
inductive load
50
Esw (mJ)
40
名
VDS(V)
VGS(V)
ID(A)
Tj)
Visol(V)
Tstg) AC 1min.
1,200
–6~+22
180
–40
~+150
–40
~+125
2,500
1,200
–6~+22
120
–40
~+150
–40
~+125
2,500
Si IGBT Module
1200V 100A
社
他
MOSモジュール
A
他社
BSM180D12P2C101
B
ハーフブリッジ回路
30
他社 C
20
0
損失が
小さくなる
MOS+SBDモジュール
85%
reduction
10
0
BSM120D12P2C005
ROHM
BSM120D12P2C005
10
ゲート抵抗 100
第２世代低VF SiCショットキーバリアダイオード
■ ラインアップ
IF(A)
絶対最大定格(Ta=25℃)
＊1
VF-IF
(Ta=25°C)
10
品名
車載
対応
(AEC-Q101)
VRM
(V)
電気的特性(Ta=25℃)
IFSM
パッケージ等価回路図
VR
IF トキーバリアダイオード(SiC-SBD)ラインアップ
IR(μA)
VF(V)
■SiCショッ
(A)
(V)
(A)
Typ.
Max.
60Hz.1
IF(A)
VR(V)
SCS206AJ
−
650
650
6
24
1.35
6
120
600
SCS208AJ
−
650
650
8
31
1.35
8
160
600
SCS210AJ
−
650
650
10
40
1.35
10
200
600
SCS212AJ
−
650
650
12
45
1.35
12
240
LPTL
（D2-PAK）
600 〔4pin〕
SCS215AJ
−
650
650
15
55
1.35
15
300
600
SCS220AJ
−
650
650
20
71
1.35
20
400
600
SCS206AG
Yes
650
650
6
24
1.35
6
120
600
SCS208AG
Yes
650
650
8
31
1.35
8
160
600
SCS210AG
Yes
650
650
10
40
1.35
10
200
600
SCS212AG
Yes
650
650
12
45
1.35
12
240
600
SCS215AG
Yes
650
650
15
55
1.35
15
300
600
SCS220AG
Yes
650
650
20
71
1.35
20
400
600
SCS206AM
−
650
650
6
24
1.35
6
120
600
SCS208AM
−
650
650
8
31
1.35
8
160
600
SCS210AM
−
650
650
10
40
1.35
10
200
600
2
SCS212AM
−
650
650
12
45
1.35
12
240
600
0
SCS215AM
−
650
650
15
55
1.35
15
300
600
-2
SCS220AM
−
650
650
20
71
1.35
20
400
600
SCS220AE2
Yes
650
650
10/20＊2
40/80＊2
1.35
10
200
600
SCS230AE2
−
650
650
15/30＊2 55/110＊2
1.35
15
300
600
20/40＊2 71/140＊2
0.15V Down
5
New Series
SCS210AG
Comparable
Product
SCS110AG
0
0
1
V（
F V)
0.5
2
1.5
スイッチング波形
12
SiC SBD
10
8
面積が小さく
なると損失が減り
大きなメリットとなる
電流 (A)
6
4
Qrr
-4
-6
100
時間 (nsec)
0
TO-220AC
Si FRD
TO-220FM
TO-247
200
LPTL
(D2-PAK)
SCS240AE2
−
650
650
1.35
20
400
600
SCS205KG
Yes
1,200
1,200
5
23
1.4
5
100
1,200
SCS210KG
Yes
1,200
1,200
10
45
1.4
10
200
1,200
SCS215KG
−
1,200
1,200
15
65
1.4
15
300
1,200
SCS220KG
−
1,200
1,200
20
82
1.4
20
400
1,200
SCS210KE2
−
1,200
1,200
5/10＊2
23/46＊2
1.4
5
100
1,200
SCS220KE2
−
1,200
1,200
10/20＊2
44/88＊2
1.4
10
200
1,200
SCS230KE2
−
1,200
1,200
15/30＊2 65/130＊2
1.4
15
300
1,200
SCS240KE2
−
1,200
1,200
20/40＊2 84/160＊2
1.4
20
400
1,200
＊1
2013年6月現在
TO-220AC
〔2pin〕
TO-220FM
〔2pin〕
TO-247
〔3pin〕
TO-220AC
〔2pin〕
TO-247
〔3pin〕
＊2
(1端子/パッケージ)
2013
9
1
【O_021】Catalog No.56O6745J 09.2013 ROHM © PDF

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