おすすめ！ 新商品 第２世代 低VF SiCショットキーバリアダイオード誕生 SiC POWER TO-247 低VF SiC POWER 高速リカバリ 特性 TO-220FM SiC POWER スイッチング損失 大幅低減 大幅低減 ■ 業界最小 業 業界 業界最小クラスの順方向電圧 界最小 最小ク クラスの クラスの クラ スの順 順方向電圧 順方 順方向電 向電 電圧 VF-IF (Ta=25°C) 10 LPTL (D2 2-P (D2-PAK) TO-220AC ライ インア ンアップ アップ プ ■ ラインアップ 絶対最大定格(Ta=25℃) ＊1 プロセスとデ プロセ プロセスとデバイス構造の改善 スとデバ とデ デバ バイス イス構造 構造 造の改善 造の 造の改善 善 品名 により、 により、 リーク リーク電流を低く保った ク電流を低 を低 低く保 た 低く保った 車載 対応 (AEC-Q101) VRM (V) VR (V) 電気的特性(Ta=25℃) IFSM (A) 60Hz.1 IF (A) ま まま、 ま、 順方向電 順方向電圧の低減を実現。 電圧の低減 電圧 減を実現 減を実現。 現。 VF(V) Typ. IF(A) IR(μA) Max. パッケージ 等価回路図 VR(V) 650 6 24 1.35 6 120 600 − 650 650 8 31 1.35 8 160 600 SCS210AJ − 650 650 10 40 1.35 10 200 600 SCS212AJ − 650 650 12 45 1.35 12 240 LPTL （D2-PAK） 600 〔4pin〕 SCS215AJ − 650 650 15 55 1.35 15 300 600 SCS220AJ − 650 650 20 71 1.35 20 400 600 SCS206AG Yes 650 650 6 24 1.35 6 120 600 SCS208AG Yes 650 650 8 31 1.35 8 160 600 SCS210AG Yes 650 650 10 40 1.35 10 200 600 SCS212AG Yes 650 650 12 45 1.35 12 240 600 Siでは実現できなかった極小の SCS215AG Yes 650 650 15 55 1.35 15 300 600 逆回復時間（trr）により、高速ス SCS220AG Yes 650 650 20 71 1.35 20 400 600 イッチングが可能になります。逆 SCS206AM − 650 650 6 24 1.35 6 120 600 回復電荷量（Qrr）が小さいた SCS208AM − 650 650 8 31 1.35 8 160 600 め、スイッチング損 失を低 減で SCS210AM − 650 650 10 40 1.35 10 200 600 SCS212AM − 650 650 12 45 1.35 12 240 600 0 SCS215AM − 650 650 15 55 1.35 15 300 600 -2 SCS220AM − 650 650 20 71 1.35 20 400 600 SCS220AE2 Yes 650 650 10/20 ＊2 40/80＊2 1.35 10 200 600 SCS230AE2 − 650 650 15/30＊2 55/110＊2 1.35 15 300 600 20/40＊2 IF(A) 650 0.15V Down 5 め、 め 、使用温度環境・電流値によら 電流値 ら New Series SCS210AG ず低負荷状態での効率の改善 ず 低負荷状態 負荷状態での効率の改善 善 Comparable Product SCS110AG 0 0 1 V（ F V) 0.5 特に立ち上がり電圧が低いた 特 に立ち上がり電圧が低いた ち上がり電圧が低いた た が期待できます。 が期待できます。 期待できます 2 1.5 ■超 超高 超高速スイ 高速ス 速スイッチ 速スイ ッ ッチング チン チ チング ング （スイ （スイ スイッチング損失を大幅に低減) ッチン ッチング ッチ ング グ損失 損失を大 損 失を大 失 を大幅 を大 大幅に 幅 低減 減) スイッチング波形 12 SiC SBD 10 8 面積が小さく なると損失が減り 大きなメリットとなる 電流 (A) 6 4 2 き、機器の小型化に貢献します。 -6 100 時間 (nsec) 0 90 80 200 trr温度特性 100 逆回復時間 trr (nsec) Si FRD Qrr -4 条件 IF=10A di/dt= -350A/sec Si FRD 70 40 温度が上がると 特性差も大きくなる 30 20 10 0 0 − 650 650 71/140＊2 1.35 20 400 600 また、Siファストリカバリダイオー Yes 1,200 1,200 5 23 1.4 5 100 1,200 ドのtrrは温度上昇に従って増大 SCS210KG Yes 1,200 1,200 10 45 1.4 10 200 1,200 するのに対し、SiCではほぼ一定 SCS215KG − 1,200 1,200 15 65 1.4 15 300 1,200 SCS220KG − 1,200 1,200 20 82 1.4 20 400 1,200 SCS210KE2 − 1,200 1,200 5/10＊2 23/46＊2 1.4 5 100 1,200 SCS220KE2 − 1,200 1,200 10/20＊2 44/88＊2 1.4 10 200 1,200 SCS230KE2 − 1,200 1,200 15/30＊2 65/130＊2 1.4 15 300 1,200 SCS240KE2 − 1,200 1,200 20/40＊2 84/160＊2 1.4 20 400 1,200 失が損なうことなく、駆動させるこ SiC SBD SiCはあまり温度に依存しない 10 20 30 40 50 60 Ta (°C) 70 80 90 100 − SCS205KG す。高温動作時もスイッチング損 50 SCS208AJ SCS240AE2 の特性を維持することができま 60 SCS206AJ とが可能です。 ＊1 2013年6月現在 ＊2 (1端子/パッケージ) TO-220AC 〔2pin〕 TO-220FM 〔2pin〕 TO-247 〔3pin〕 TO-220AC 〔2pin〕 TO-247 〔3pin〕 世界初＊量産開始 フルSiCパワーモジュール ＊2013年9月ローム調べ ■ ラインアップ IGBT（モジュール）とのスイッチング損失比較 60 Vds=600V Id= 100A Vg(on)=18V Vg(off)=0V Ta inductive load 50 Esw (mJ) 40 絶対最大定格(Ta=25℃) 品 名 VDS(V) VGS(V) ID(A) Tj) Visol(V) Tstg AC 1min. 1,200 –6~+22 180 –40 ~+150 –40 ~+125 2,500 1,200 –6~+22 120 –40 ~+150 –40 ~+125 2,500 Si IGBT Module 1200V 100A MOSモジュール A 社 他 他社 BSM180D12P2C101 B ハーフブリッジ回路 30 他社 C 20 10 0 損失が 小さくなる MOS+SBDモジュール 85% reduction 0 ROHM BSM120D12P2C005 10 ゲート抵抗 BSM120D12P2C005 100 高耐圧・低オン抵抗スイッチング・高速リカバリを同時に実現 SiC-MOSFET ■ ラインアップ ターンオフ特性 ・SWITCHING SERIES 25 Vdd=400V 20 スイッチング損失 最大90%削減！ 電流(A) 15 10 Si-IGBT 5 0 -5 SiC-MOSFET 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 時間(nsec) (when operating at 30 kHz) 100 Loss (W) オン損失 80 60 40 Turn-ON switching loss オフ損失 Turn-OFF switching loss 極性 VDSS(V) ID(A) RDS(on) PD(W) VGS=18V Qg Typ.(nC) パッケージ VGS=18V 駆動電圧(V) SCT2120AF N 650 29 165 120 61 18 SCH2080KE N 1,200 35 179 80 106 18 SCT2080KE N 1,200 35 179 80 106 18 SCT2160KE N 1,200 22 165 160 62 18 SCT2280KE N 1,200 14 108 280 36 18 SCT2450KE N 1,200 10 85 450 27 18 極性 VDSS(V) ID(A) TO-220AB TO-247 ・MUSIC SERIES 損失比較 120 品名 オン損失 Turn-ON switching loss オフ損失 Turn-OFF switching loss 導通損失 Conduction loss 品名 SCTMU001F N 400 20 RDS(on) PD(W) VGS=18V 132 Qg Typ.(nC) パッケージ VGS=18V 駆動電圧(V) 120 59 TO-220AB 18 Si IGBTと比較し、スイッチング 損失約80%削減 Switching loss reduced by 80% vs. Si-IGBTs 20 導通損失 0 Conduction loss Si-IGBT SiC-MOSFET TO-220AB 2013 TO-247 9 1 【O_022】Catalog No.56O6746J 10.2013 ROHM © PDF
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